晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括：支撑台，用于承载晶圆；屏蔽板，与所述支撑台同轴设置，且位于所述支撑台上方；第一喷孔，位于所述屏蔽板的中心，用于向所述晶圆喷射清洗液；多个第二喷孔，位于所述屏蔽板上，用于向所述晶圆喷射干燥气体。本实用新型专利技术提供的晶圆清洗装置，通过在所述屏蔽板的中心设置用于喷射清洗液的第一喷孔，从而使得在使用干燥气体干燥晶圆的过程中，即使所述屏蔽板旋转，也不会使得清洗液在离心力的作用下被甩出，避免了对晶圆造成二次污染，提高了晶圆清洗装置的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。在晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面残留的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆的表面特性。为此，在晶圆的制造过程中需要经过多次清洗步骤。然而，随着特征尺寸的不断缩小，对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂，经过一系列的清洗工艺步骤，以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高，而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率，因此，现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。在采用单片式清洗设备干燥清洗后的晶圆的过程中，屏蔽板(ShieldPlate)会下降至距离晶圆0.3mm的位置，且自固定于所述屏蔽板中的气体喷嘴向晶圆喷洒氮气，以为所述晶圆创造一个惰性环境。随着晶圆在支撑台上的快速旋转，晶圆表面残留的水分由离心力甩出，晶圆表面图形沟槽内的水汽借由氮气带出，从而达到干燥晶圆的目的。但是，在现有的单片式清洗设备中，由于喷射去离子水的第一喷嘴和喷射氮气的第二喷嘴均偏离屏蔽板的圆心，因而在干燥所述晶圆的过程中：一方面，在离心力的作用下，残留于第一喷嘴中的去离子水将会被甩出，易在所述晶圆表面形成水渍；另一方面，第二喷嘴喷射的氮气在所述晶圆表面分布不均匀，影响干燥效果。而且，现有的第一喷嘴和第二喷嘴是通过四个螺钉锁定在屏蔽板上，当锁定喷嘴的力矩不同时，两个喷嘴相对于晶圆中心的位置也会发生偏移，从而进一步影响干燥效果。因此，如何改善晶圆清洗装置的清洗效果，避免造成水渍残留，提高清洗后的干燥效果，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种晶圆清洗装置，用于解决现有的晶圆清洗装置清洗效果较差的问题。为了解决上述问题，本技术提供了一种晶圆清洗装置，包括：支撑台，用于承载晶圆；屏蔽板，与所述支撑台同轴设置，且位于所述支撑台上方；第一喷孔，位于所述屏蔽板的中心，用于向所述晶圆喷射清洗液；多个第二喷孔，位于所述屏蔽板上，用于向所述晶圆喷射干燥气体。优选的，多个所述第二喷孔关于所述屏蔽板的中心对称分布。优选的，所述屏蔽板包括外壳；所述晶圆清洗装置还包括：第一管道，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第一喷孔传输所述清洗液；第二管道，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第二喷孔传输所述干燥气体。优选的，还包括：分配盘，位于所述腔体内，连通所述第二管道，用于将所述干燥气体均匀分布至多个所述第二喷孔。优选的，在沿所述分配盘的轴向方向上，具有一贯穿所述分配盘的通孔；所述第一管道穿过所述通孔并与所述第一喷孔连通。优选的，所述屏蔽板朝向所述支撑台的一侧具有一凹槽，所述第一喷孔与所述第二喷孔均位于所述凹槽内。优选的，所述第二喷孔的数量大于或等于4个。优选的，所述清洗液为去离子水。优选的，所述干燥气体为氮气或者惰性气体。本技术提供的晶圆清洗装置，通过在所述屏蔽板的中心设置用于喷射清洗液的第一喷孔，从而使得在使用干燥气体干燥晶圆的过程中，即使所述屏蔽板旋转，也不会使得清洗液在离心力的作用下被甩出，避免了对晶圆造成二次污染，提高了晶圆清洗装置的清洗效果。附图说明附图1是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的截面结构示意图；附图2是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的俯视结构示意图；附图3是本技术具体实施方式中第一喷孔与第二喷孔的分布示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的晶圆清洗装置的具体实施方式做详细说明。本具体实施方式提供了一种晶圆清洗装置，附图1是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的截面结构示意图，附图2是本技术具体实施方式中晶圆清洗装置的俯视结构示意图。如图1、图2所示，本具体实施方式提供的晶圆清洗装置包括：支撑台10，用于承载晶圆11；屏蔽板12，与所述支撑台10同轴设置，且位于所述支撑台10上方；第一喷孔21，位于所述屏蔽板12的中心，用于向所述晶圆11喷射清洗液；多个第二喷孔22，位于所述屏蔽板12上，用于向所述晶圆11喷射干燥气体。具体来说，在清洗所述晶圆11的过程中，将所述晶圆11置于所述支撑台10表面，使得所述支撑台10的轴线与所述晶圆11的轴线重合。随着所述支撑台10的高速旋转，带动位于其上的所述晶圆11的旋转。之后，所述清洗液经所述第一喷孔21喷出，以清洗所述晶圆11。最后，所述干燥气体自所述第二喷孔22喷出，除去残留于所述晶圆11表面的所述清洗液，实现对所述晶圆11的干燥。所述屏蔽板12的形状优选为圆形，且所述屏蔽板12的直径优选为大于或等于所述晶圆11的直径。由于在图2所示的角度下，所述晶圆11不可见，故以虚线方式表示所述晶圆的位置。本具体实施方式通过将所述第一喷孔21设置于所述屏蔽板12的中心，使得即便是在所述屏蔽板12旋转喷射所述干燥气体的过程中，残留于所述第一喷孔21内的清洗液也不会在离心力的作用下甩至所述晶圆11表面，避免了干燥过程中对所述晶圆11造成二次污染，提高所述晶圆11的干燥效果。附图3是本技术具体实施方式中第一喷孔与第二喷孔的分布示意图。优选的，多个所述第二喷孔22关于所述屏蔽板12的中心对称分布。具体来说，多个所述第二喷孔22环绕所述第一喷孔21的外周分布，且关于所述屏蔽板12的中心对称分布。采用这种结构，在对所述晶圆11进行干燥的过程中，所述干燥气体可以均匀的覆盖所述晶圆11表面，改善了所述晶圆11的干燥效果，同时也提高了所述晶圆11的干燥效率。优选的，所述屏蔽板12包括外壳；所述晶圆清洗装置还包括：第一管道14，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第一喷孔21传输所述清洗液；第二管道15，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第二喷孔22传输所述干燥气体。优选的，所述晶圆清洗装置还包括：分配盘16，位于所述腔体内，连通所述第二管道15，用于将所述干燥气体均匀分布至多个所述第二喷孔22。优选的，在沿所述分配盘16的轴向方向上，具有一贯穿所述分配盘16的通孔；所述第一管道14穿过所述通孔并与所述第一喷孔21连通。所述分配盘16的设置，更加有助于所述干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：/n支撑台，用于承载晶圆；/n屏蔽板，与所述支撑台同轴设置，且位于所述支撑台上方；/n第一喷孔，位于所述屏蔽板的中心，用于向所述晶圆喷射清洗液；/n多个第二喷孔，位于所述屏蔽板上，用于向所述晶圆喷射干燥气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
支撑台，用于承载晶圆；
屏蔽板，与所述支撑台同轴设置，且位于所述支撑台上方；
第一喷孔，位于所述屏蔽板的中心，用于向所述晶圆喷射清洗液；
多个第二喷孔，位于所述屏蔽板上，用于向所述晶圆喷射干燥气体。


2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，多个所述第二喷孔关于所述屏蔽板的中心对称分布。


3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述屏蔽板包括外壳；
所述晶圆清洗装置还包括：
第一管道，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第一喷孔传输所述清洗液；
第二管道，自外界延伸至所述外壳围绕而成的腔体内，用于向所述第二喷孔传输所述干燥气体。


4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢思源，陈章晏，云巴图，颜超仁，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32