一种晶体生长用加热器制造技术

技术编号:23175364 阅读:46 留言:0更新日期:2020-01-22 02:50
本申请提供了一种晶体生长用加热器,包括长晶炉和加热装置;所述加热装置为鸟笼形结构,所述长晶炉设置于所述加热装置内部;所述加热装置包括第一U型加热棒、第二U型加热棒、第三U型加热棒、第一固定圈、第二固定圈、第三固定圈和第四固定圈;所述第二固定圈位于所述第一固定圈与所述第三固定圈之间;所述第一U型加热棒、所述第二U型加热棒和所述第三U型加热棒的U型开口端在第四固定圈上形成完整圆周,三层U型加热棒的底部留有方形开口。本申请提供的晶体生长用加热器,通过三层U型加热棒,在长晶炉内提供存在不同温度区间的温度场,实现晶体不同区域生长速度不同,生长出取材率更高的晶体形状,提高蓝宝石晶体取材率。

A heater for crystal growth

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长用加热器
本申请涉及晶体生长装置
领域,尤其涉及一种晶体生长用加热器。
技术介绍
蓝宝石晶体是一种简单配位型氧化物晶体,具有优良的光学、力学、热学、电学性能和化学稳定性,是一种综合性能优良的技术晶体,广泛应用于微电子和光学领域,特别是作为高亮度GaN(氮化镓)基LED(LightEmittingDiode)的衬底材料。随着LED市场的迅速发展,要求生长出高质量、大尺寸、低成本、性能稳定的蓝宝石单晶,这就对蓝宝石单晶生长设备及技术提出了更高要求。生长蓝宝石晶体的技术主要有直拉法、热交换法,温梯法,泡生法等。直拉法与温梯法主要生长100kg以下的晶体,热交换法生长的单晶外部易开裂,晶体易出现气泡、杂质坑及散射中心等缺陷。目前生长大尺寸蓝宝石主要使用泡生法,此种方法生长的晶体缺陷少、位错密度低。该方法通过加热器加热提供合适的温度,且生长前将籽晶牢牢固定于籽晶杆上,籽晶杆与热交换器中的工作流体直接接触,从而通过晶体、籽晶与热交换器之间形成一个热交换系统,在生长炉内形成上冷下热的温度梯度,促进蓝宝石单晶生长。泡生法蓝宝石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长用加热器,其特征在于,包括:长晶炉(1)和加热装置(2);/n所述加热装置(2)为鸟笼形中空结构,所述长晶炉(1)设置于所述加热装置(2)内部;/n所述加热装置(2)包括第一U型加热棒(21)、第二U型加热棒(22)、第三U型加热棒(23)、第一固定圈(24)、第二固定圈(25)、第三固定圈(26)和第四固定圈(27);/n所述第二固定圈(25)位于所述第一固定圈(24)与所述第三固定圈(26)之间;/n所述第一U型加热棒(21)底端连接所述第一固定圈(24),U型开口端连接第四固定圈(27);/n所述第二U型加热棒(22)底端连接所述第二固定圈(25),U型开口端连接第四固定...

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长用加热器,其特征在于,包括:长晶炉(1)和加热装置(2);
所述加热装置(2)为鸟笼形中空结构,所述长晶炉(1)设置于所述加热装置(2)内部;
所述加热装置(2)包括第一U型加热棒(21)、第二U型加热棒(22)、第三U型加热棒(23)、第一固定圈(24)、第二固定圈(25)、第三固定圈(26)和第四固定圈(27);
所述第二固定圈(25)位于所述第一固定圈(24)与所述第三固定圈(26)之间;
所述第一U型加热棒(21)底端连接所述第一固定圈(24),U型开口端连接第四固定圈(27);
所述第二U型加热棒(22)底端连接所述第二固定圈(25),U型开口端连接第四固定圈(27);
所述第三U型加热棒(23)底端连接所述第三固定圈(26),U型开口端连接第四固定圈(27);
所述第一U型加热棒(21)底面与所述第三U型加热棒(23)底面交叉放置,形成井字形结构;
所述第一U型加热棒(21)、所述第二U型加热棒(22)和所述第三U型加热棒(23)的U型开口端在第四固定圈上形成完整圆周,底部留有方形开口;
所述第一U型加热棒(21)和所述第三U型加热棒(23)的直径相同,所述第二U型加热棒(22)的直径大于所述第一U型加热棒(21)和所述第三U型加热棒(23)的直径。


2.根据权利要求1所述的晶体生长用加热器,其特征在于,所述第一U型加热棒(21)、所述第二U型加热棒(22)和所述第三U型加热棒(23)的直径为5~8mm;
所述第二U型加热棒(22)的直径比所述第一U型加热棒(...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐永亮于海群张国华陈有生
申请(专利权)人:浙江昀丰新材料科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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