【技术实现步骤摘要】
一种新型沟槽IGBT芯片
本专利技术涉及IGBT芯片
,具体为一种新型沟槽IGBT芯片。
技术介绍
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。传统的IGBT3系列(也是常规使用的型号系列),总损耗高,开关行为较为生硬,且芯片体型稍大,在安装时不够方便,并且P/N结的最高结温也仅为150度,多数用电器热量在长时间使用时,很容易达到该温度,导致芯片性能降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型沟槽IGBT芯片,以解决传统IGBT损耗高,使用性能不够优越的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种新型沟槽IGBT芯片,包括集电极,所述集电极上设置有P+集电极区,所述P+集电极区上设置有N型衬底,所述N型衬底上设置有N-场截止层,所述N-场截止层上设置有P基区,所述P基区上设置有P+欧姆接触区,所述P+欧姆接触区上设置有发射极,所述P基区和P+欧姆接触区上均设置有N+型源区,所述N-场截止层、P基区以及N+型源区上均设置有沟槽,所述沟槽内设置有栅氧化层,所述栅氧化层内设置有栅极,所述发射极与N+型源区、栅氧化层和栅极之间设置有夹层。优选的,所述发射极为金属材料制成。优选的,所述夹层由硼磷硅玻璃材料制成。优选的,所述N型衬底的厚度不超过0.5微米。优选的,所述N-场截止层的厚度不超过1.5微米 ...
【技术保护点】
1.一种新型沟槽IGBT芯片,包括集电极(1),其特征在于:所述集电极(1)上设置有P+集电极区(2),所述P+集电极区(2)上设置有N型衬底(3),所述N型衬底(3)上设置有N-场截止层(4),所述N-场截止层(4)上设置有P基区(5),所述P基区(5)上设置有P+欧姆接触区(6),所述P+欧姆接触区(6)上设置有发射极(8),所述P基区(5)和P+欧姆接触区(6)上均设置有N+型源区(9),所述N-场截止层(4)、P基区(5)以及N+型源区(9)上均设置有沟槽(7),所述沟槽(7)内设置有栅氧化层(11),所述栅氧化层(11)内设置有栅极(12),所述发射极(8)与N+型源区(9)、栅氧化层(11)和栅极(12)之间设置有夹层(10)。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型沟槽IGBT芯片,包括集电极(1),其特征在于:所述集电极(1)上设置有P+集电极区(2),所述P+集电极区(2)上设置有N型衬底(3),所述N型衬底(3)上设置有N-场截止层(4),所述N-场截止层(4)上设置有P基区(5),所述P基区(5)上设置有P+欧姆接触区(6),所述P+欧姆接触区(6)上设置有发射极(8),所述P基区(5)和P+欧姆接触区(6)上均设置有N+型源区(9),所述N-场截止层(4)、P基区(5)以及N+型源区(9)上均设置有沟槽(7),所述沟槽(7)内设置有栅氧化层(11),所述栅氧化层(11)内设置有栅极(12),所述发射极(8)与N+型源区(9)、栅氧化层(11)和栅极(12)之间设置有夹层(10)。
2.根据权利要求1所述的一种新型沟槽IGBT芯片,其特征在于:所述发射极(8)为金属材料制成。
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【专利技术属性】
技术研发人员:周炳,赵承杰,许新佳,
申请(专利权)人:张家港意发功率半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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