【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种逆导IGBT芯片，其特征在于，包括，第一导电类型衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对，所述第一表面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，其中，所述第二子表面围绕所述第一子表面，所述第三子表面围绕所述第二子表面；位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构，所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面上的终端区；所述IGBT区和所述FRD区均包括若干个并联的IGBT元胞，每个所述IGBT元胞包括第二导电类型的基区，所述FRD区还包括第二导电类型的扩散阱，所述扩散阱的结深大...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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