达林顿三极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种达林顿三极管，所述三极管包括P/N型衬底；分别形成于P/N型衬底顶表面的第一N/P层和第二N/P层；形成于第一N/P层顶表面的第一P+/N+层；形成于第二N/P层顶表面的第二P+/N+层以及第三P+/N+层；形成于第一N/P层、第二N/P层、第一P+/N+层、第二P+/N+层以及第三P+/N+层顶表面的氧化物掩膜；以及形成于氧化物掩膜上的第一引线孔、第二引线孔、第三引线孔以及第四引线孔，所述第二引线孔与第三引线孔通过金属引线连接，且氧化物掩膜上覆盖有PI塑料层。借此，本实用新型专利技术使达林顿管的主三极管的B极和副三极管的E极相连时，不会导致氧化物掩膜下面的P/N层产生反型作用，实现了单片式达林顿管去掉副三极管的BE结间偏置电阻的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

Darlington transistor

The utility model relates to a Darlington transistor, the transistor includes a P/N type substrate; P/N type are respectively formed on the top surface of the substrate layer and the first N/P second N/P layer; N/P layer formed on the first surface of the top P+/N+ layer; N/P layer is formed on the second surface of the top layer to second P+/N+ and three P+/N+ N/P; is formed on the first layer, the second layer, the first layer, N/P P+/N+ second P+/N+ third P+/N+ layer and top layer oxide on the surface of the mask; and the mask oxide formed in the first and second lead lead hole hole, third hole and fourth hole lead wire, the second lead hole and the third hole through metal wire wire connections, and mask oxide coated with a PI plastic layer. Thereby, the utility model makes the main transistor Darlington tube B pole and E pole pair transistor is connected, anti type P/N layer does not cause the following oxide mask, the monolithic Darlington transistor pair removed BE junction between the bias resistor.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子器件封装
，尤其涉及一种达林顿三极管。
技术介绍
达林顿三极管是将二个三极管复合连接，将副管的发射极和主管的基极相连接(如图1所示)组成一个达林顿管，其放大倍数约等于两个三极管放大倍数的乘积，从而可以用很小的基极电流驱动大电流，在开关电路中得到广泛的应用。但是按照常规工艺制造高压达林顿管，例如采用单片式(其芯片封装如图2所示)，无法将Rl去掉(或者做得很大)，因为用铝进行互连主三极管(Q2)的基极和副三极管(Ql)的发射极时，在铝下面的Si02氧化物掩膜会导致下面的P/N型层反型。因此，单片式高压达林顿三极管均为主管和副管的基区存在互连，导致Rl无法做到很大。这样，如果对基极驱动电流很小的电路，则不适用，只能采用二个分立式芯片互连，一方面增加了成本，同时对于小型封装(比如T0-92，帖片式)，无法进行封装。综上可知，现有达林顿三极管在实际使用上，显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。
技术实现思路
针对上述的缺陷，本技术的目的在于提供一种达林顿三极管，其达林顿管的主三极管的B极和副三极管的E极相连时，不会导致氧化物掩膜下面的P/N层产生反型作用，实现了单片式达林顿管去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种达林顿三极管，其特征在于，所述三极管包括P/N型衬底；分别形成于所述P/N型衬底顶表面的第一N/P层和第二N/P层，所述第一N/P层和所述第二N/P层相互隔离；形成于所述第一N/P层顶表面的第一P+/N+层；形成于所述第二N/P层顶表面的第二P+/N+层以及第三P+/N+层；形成于所述第一N/P层、第二N/P层、第一P+/N+层、第二P+/N+层以及第三P+/N+层顶表面的氧化物掩膜；以及形成于所述氧化物掩膜上的第一引线孔、第二引线孔、第三引线孔以及第四引线孔，所述第一引线孔与第一N/P层对应，所述第二引线孔与所述第一P+/N+层对应，所述第三引线孔与所述第二N/P层对应，所述第四引线孔与...

【技术特征摘要】
1.一种达林顿三极管，其特征在于，所述三极管包括 P/N型衬底； 分别形成于所述P/N型衬底顶表面的第一 N/P层和第二 N/P层，所述第一 N/P层和所述第二 N/P层相互隔离； 形成于所述第一 N/P层顶表面的第一 P+/N+层； 形成于所述第二 N/P层顶表面的第二 P+/N+层以及第三P+/N+层； 形成于所述第一 N/P层、第二 N/P层、第一 P+/N+层、第二 P+/N+层以及第三P+/N+层顶表面的氧化物掩膜； 以及形成于所述氧化物掩膜上的第一引线孔、第二引线孔、第三引线孔以及第四引线孔，所述第一引线孔与第一 N/P层对应，所述第二引线孔与所述第一 P+/N+层对应，所述第三弓丨线孔与所述第二 N/P层对应，所述第四弓丨线孔与所述第二 P+/N+层、第三P+/N+层以及第二 N/P层对应， 所述第二引线孔与所述第三引线孔通过金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建球，杨晓智，黄佳，
申请(专利权)人：深圳市鹏微科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：