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本实用新型涉及一种达林顿三极管，所述三极管包括P/N型衬底；分别形成于P/N型衬底顶表面的第一N/P层和第二N/P层；形成于第一N/P层顶表面的第一P+/N+层；形成于第二N/P层顶表面的第二P+/N+层以及第三P+/N+层；形成于第一N/...
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