半导体装置制造方法及图纸

提供同时实现低导通损失和低开关损失的IGBT和应用其的电力变换装置。特征在于具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层；第2导电类型的阱区域；第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述半导体层及所述阱区域相接，夹着所述阱区域相互相邻地形成；第1导电类型的发射极区域；第2导电类型的供电区域；发射极电极；第2导电类型的集电极层；以及集电极电极，其中，所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或载流子控制栅极布线中的某一方电连接，与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置，特别是涉及对于IGBT的电力损失降低和电力变换装置的高效化有效的技术。
技术介绍
全球变暖成为全世界共同的重要的紧急课题，作为其对策之一，功率电子技术的贡献期待度提高。特别是，面向承担电力变换功能的逆变器的高效化，要求以构成逆变器的起到功率开关功能的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)以及起到整流功能的二极管为主的功率半导体设备的低功耗化。图20示出以往的逆变器的部分电路图。对于具有绝缘栅端子71的IGBT70，与IGBT70反并联地连接有二极管72。逆变器构成为从直流电压源69被供给电力，对IGBT70的绝缘栅71施加电压而高速地重复接通(TURNON)、截止(TURNOFF)，从而控制对所连接的感应性负载68供给的电力。此外，感应性负载68是例如马达(电动机)。IGBT70和二极管72在导通时发生导通损失，在开关时发生开关损失，所以为了使逆变器小型化、高效化，需要降低IGBT70和二极管72的导通损失本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第1导电类型的半导体层，形成于半导体基板的第1主面；/n第2导电类型的阱区域，与所述第1导电类型的半导体层相接，形成于所述第1主面侧；/n第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述第1导电类型的半导体层及所述第2导电类型的阱区域相接，夹着所述第2导电类型的阱区域而相互相邻地形成；/n第1导电类型的发射极区域，形成于所述第2导电类型的阱区域的所述第1主面侧；/n第2导电类型的供电区域，贯通所述第1导电类型的发射极区域，与所述第2导电类型的阱区域电连接；/n发射极电极，经由所述第2导电类型的供电区域而与所述第2导电类型的阱区域电连接；/n第2导电类型的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170529 JP 2017-1055751.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1导电类型的半导体层，形成于半导体基板的第1主面；
第2导电类型的阱区域，与所述第1导电类型的半导体层相接，形成于所述第1主面侧；
第1栅电极及第2栅电极，隔着栅极绝缘膜而与所述第1导电类型的半导体层及所述第2导电类型的阱区域相接，夹着所述第2导电类型的阱区域而相互相邻地形成；
第1导电类型的发射极区域，形成于所述第2导电类型的阱区域的所述第1主面侧；
第2导电类型的供电区域，贯通所述第1导电类型的发射极区域，与所述第2导电类型的阱区域电连接；
发射极电极，经由所述第2导电类型的供电区域而与所述第2导电类型的阱区域电连接；
第2导电类型的集电极层，与所述第1导电类型的半导体层相接，形成于与所述第1主面侧相反的一侧的所述半导体基板的第2主面侧；以及
集电极电极，与所述第2导电类型的集电极层电连接，
所述第1栅电极及所述第2栅电极的间隔比与和各自相邻的其它栅电极之间的间隔窄，
所述第1栅电极及所述第2栅电极各自与开关栅极布线或者载流子控制栅极布线中的某一方电连接，
与所述载流子控制栅极布线连接的栅电极的数量比与所述开关栅极布线连接的栅电极的数量多。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1栅电极及所述第2栅电极是在贯通所述第2导电类型的阱区域而形成的沟槽内设置的沟槽栅型的栅电极。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1栅电极及所述第2栅电极是在与各自相邻的其它栅电极之间不具有导电区域的侧栅型的栅电极。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：三好智之，森睦宏，竹内悠次郎，古川智康，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：日本;JP