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本发明公开了一种新型沟槽IGBT芯片，包括集电极，集电极上设置有P+集电极区，P+集电极区上设置有N型衬底，N型衬底上设置有N‑场截止层，N‑场截止层上设置有P基区，P基区上设置有P+欧姆接触区，P+欧姆接触区上设置有发射极，P基区和P+欧...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

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