一种液晶显示面板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板的制造方法，从底层到顶层依序形成公共电极层、遮光层、有机绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极、第一绝缘层和像素电极层；有机绝缘层对遮光层的金属进行保护，在去掉像素区域内的第一金属层后，有机绝缘层和公共电极层同时进行烘烤，使得机绝缘层和公共电极层同时进行结晶化，以此保护有机绝缘层下方的遮光层，避免遮光层在烘烤时产生氧化，同时能保证像素区域的公共电极层结晶后有良好的透光率和电阻率。本发明专利技术液晶显示面板为减掩膜版设计，与现有9道掩膜版工艺相比减少为7道掩膜版，可以节约成本，同时保留TFT器件的电性优势。

A manufacturing method of LCD panel

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板的制造方法
本专利技术涉及液晶面板的
，尤其涉及一种液晶显示面板的制造方法。
技术介绍
顶栅的TFT器件具有较小的Cgs(栅极和漏极之间的电容)和Cgd(栅极和源极之间的电容),相对于常规的底栅的TFT器件具有较小的功耗和较好的器件稳定性，被广泛用于OLED补偿电路和低功耗显示器件中。但是顶栅的TFT器件的工艺需要9道Mask(掩膜版)，有明显的成本劣势。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种节约成本、保持TFT器件的电性优势的液晶显示面板的制造方法。本专利技术提供一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上依序沉积公共电极层和第一金属层的叠层结构；S2：首先在步骤S1的基础上沉积一层有机绝缘层；然后采用半透掩膜版对有机绝缘层进行曝光并形成位于像素区域内的第一凹槽区域、位于端子区域的接触孔位置内的第二凹槽区域以及位于像素区域和端子区域之间的连接区域内的第一开孔；S3：首先，在步骤S2的基础上，进行第一次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的第一金属层；然后进行第二次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的公共电极层；S4：在步骤S3的基础上对有机绝缘层进行第一次灰化处理，使得去除第一凹槽区域内的有机绝缘层和第二凹槽区域内的有机绝缘层；S5：在步骤S4的基础上分别对像素区域和端子区域进行刻蚀并分别去除像素区域和端子区域内的第一金属层；S6：在步骤S5的基础上对有机绝缘层和公共电极层一同进行烘烤，同时进行有机绝缘层和公共电极层进行的结晶化；S7：在步骤S5的基础上，首先形成顶栅结构的TFT器件，然后形成与TFT器件的漏极连接的像素电极。优选地，所述步骤S2中，半透掩膜版分别在像素区域和端子区域为半透区域，半透掩膜版在像素区域和端子区域之间的连接区域为全透区域。优选地，还包括位于步骤S6和S7之间的步骤S61：S61：在步骤S6的基础上对有机绝缘层进行第二次灰化处理，去除超过第一金属层两侧的有机绝缘层，第一金属层形成位于有机绝缘层下方的遮光层。优选地，步骤S7包括如下步骤：S71：在步骤S61的基础上采用化学气相沉积法成膜形成一层缓冲层；S72：在步骤S71的基础上形成半导体层；S73：在步骤S72的基础上依序沉积绝缘材料层和第二金属层并分别对绝缘材料层和第二金属层进行刻蚀形成位于半导体上的栅极绝缘层和位于栅极绝缘层上的栅极；S74：在步骤S73的基础上首先沉积一层层间绝缘层，然后对层间绝缘层进行刻蚀形成位于端子区域内且公共电极层上的第二开孔；S75：在步骤S74的基础上沉积第三金属层并对第三金属层进行刻蚀形成位于第二开孔内的源极和漏极，其中源极和漏极分别位于半导体的两侧；S76：在步骤S75的基础上沉积第一绝缘层并对第一绝缘层进行刻蚀形成位于漏极上方的第三开孔；S77：在步骤S76的基础上采用透明导电材料沉积形成像素电极层，像素电极层通过第三开孔与漏极接触。优选地，步骤S75中，源极与公共电极层接触。优选地，步骤S71中，缓冲层包裹在公共电极层、第一金属层、有机绝缘层和开孔外。优选地，步骤S3中，采用无氟铜酸进行第一次刻蚀，采用草酸进行第二次刻蚀。优选地，步骤S5中，采用采用无氟铜酸分别对像素区域和端子区域进行刻蚀。优选地，所述第一金属层的材料为铜或铝或合金材料。本专利技术液晶显示面板为减掩膜版设计，与现有9道掩膜版工艺相比减少为7道掩膜版，可以节约成本，同时保留TFT器件的电性优势。附图说明图1至图13为本专利技术液晶显示面板的制造步骤的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。本专利技术揭示一种液晶显示面板的制造方法，包括如下步骤：S1：如图1所示，在基板10上沉积公共电极层20和第一金属层30的叠层结构；其中，公共电极层20采用透明导电材料形成的，第一金属层30的材料为铜或铝等单层金属或多层金属。S2：如图2所示，首先在步骤S1的基础上沉积一层有机绝缘层40；然后采用半透掩膜版(图未示)对有机绝缘层40进行曝光，半透掩膜版分别在像素区域101和端子区域102的接触孔位置为半透区域，半透掩膜版在像素区域101和端子区域102之间的连接区域103为全透区域，通过半透掩膜版对有机绝缘层40进行曝光形成位于像素区域101内的第一凹槽区域41、位于端子区域102内的第二凹槽区域42以及位于连接区域103内的第一开孔43，第一开孔43位于第一金属层30的上方；其中，通过连接区域103使得靠近端子区域101的公共电极层20作为TFT器件的遮光区域，靠近像素区域101的公共电极层20用来提供公共电压，端子区域101的公共电极层20和靠近像素区域101的公共电极层20连接在一起会导致TFT器件的特性异常。其中，步骤S2为第一道掩膜版工艺。S3：如图3(a)所示，首先，在步骤S2的基础上，采用无氟铜酸进行第一次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔43下的第一金属层30；然后采用草酸进行第二次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔43下的公共电极层20，即通过两次刻蚀使得第一开孔43位于基板10上；S4：如图4所示，在步骤S3的基础上对有机绝缘层40进行第一次灰化处理(Ashing)，使得去除第一凹槽区域41内的有机绝缘层40和第二凹槽区域42内的有机绝缘层40；S5：如图5所示，在步骤S4的基础上采用无氟铜酸分别对像素区域101和端子区域102进行刻蚀并分别去除像素区域101和端子区域102内的第一金属层30；S6：在步骤S5的基础上对有机绝缘层40和公共电极层20一同进行烘烤，同时进行有机绝缘层40和公共电极层20进行的结晶化，这样可以节省一次烘烤制程，在有机绝缘层40的保护，有机绝缘层40下的第一金属层30不会被氧化；S7：在步骤S6的基础上，首先形成顶栅结构的TFT器件，然后形成与TFT器件的漏极连接的像素电极。通过上述步骤形成本专利技术液晶显示面板。其中，液晶显示面板的制造方法，还包括位于步骤S6和S7之间的步骤S61：S61：在步骤S6的基础上对有机绝缘层40进行第二次灰化处理(Ashing)，去除超过第一金属层30两侧的有机绝缘层40，第一金属层30形成位于有机绝缘层40下方的遮光层31，消除有机绝缘层40的UnderCut(底切)；其中，遮光层31作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：在基板上依序沉积公共电极层和第一金属层的叠层结构；/nS2：首先在步骤S1的基础上沉积一层有机绝缘层；然后采用半透掩膜版对有机绝缘层进行曝光并形成位于像素区域内的第一凹槽区域、位于端子区域的接触孔位置内的第二凹槽区域以及位于像素区域和端子区域之间的连接区域内的第一开孔；/nS3：首先，在步骤S2的基础上，进行第一次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的第一金属层；然后进行第二次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的公共电极层；/nS4：在步骤S3的基础上对有机绝缘层进行第一次灰化处理，使得去除第一凹槽区域内的有机绝缘层和第二凹槽区域内的有机绝缘层；/nS5：在步骤S4的基础上分别对像素区域和端子区域进行刻蚀并分别去除像素区域和端子区域内的第一金属层；/nS6：在步骤S5的基础上对有机绝缘层和公共电极层一同进行烘烤，同时进行有机绝缘层和公共电极层进行的结晶化；/nS7：在步骤S5的基础上，首先形成顶栅结构的TFT器件，然后形成与TFT器件的漏极连接的像素电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在基板上依序沉积公共电极层和第一金属层的叠层结构；
S2：首先在步骤S1的基础上沉积一层有机绝缘层；然后采用半透掩膜版对有机绝缘层进行曝光并形成位于像素区域内的第一凹槽区域、位于端子区域的接触孔位置内的第二凹槽区域以及位于像素区域和端子区域之间的连接区域内的第一开孔；
S3：首先，在步骤S2的基础上，进行第一次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的第一金属层；然后进行第二次刻蚀并刻蚀掉位于第一开孔下的公共电极层；
S4：在步骤S3的基础上对有机绝缘层进行第一次灰化处理，使得去除第一凹槽区域内的有机绝缘层和第二凹槽区域内的有机绝缘层；
S5：在步骤S4的基础上分别对像素区域和端子区域进行刻蚀并分别去除像素区域和端子区域内的第一金属层；
S6：在步骤S5的基础上对有机绝缘层和公共电极层一同进行烘烤，同时进行有机绝缘层和公共电极层进行的结晶化；
S7：在步骤S5的基础上，首先形成顶栅结构的TFT器件，然后形成与TFT器件的漏极连接的像素电极。


2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：所述步骤S2中，半透掩膜版分别在像素区域和端子区域为半透区域，半透掩膜版在像素区域和端子区域之间的连接区域为全透区域。


3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：还包括位于步骤S6和S7之间的步骤S61：
S61：在步骤S6的基础上对有机绝缘层进行第二次灰化处理，去除超过第一金属层两侧的有机绝缘层，第一金属层形成位于有机绝缘层下方的遮光层。


4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：易志根，郑帅，潘明超，殷大山，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32