一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，本申请的阵列基板上形成有钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，在形成钝化层过孔后，仅保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的光刻胶，形成光刻胶图块；接着蚀刻金属层以形成位于光刻胶图块下方的金属图块，其中光刻胶图块与金属图块的组合形成底切结构；在制备顶电极膜层时，顶电极膜层需要被去除掉的部分形成于光刻胶图块表面，需要保留的部分无需使用光罩便可直接形成于钝化层上从而形成预设图案的顶电极层，之后剥离光刻胶图块以及金属图块，与此同时顶电极膜层需要被去除掉的部分与光刻胶图块一同被剥离。

An array substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。特别是LTPS低温多晶硅显示技术，由于其较高的载流子迁移率可以使薄膜晶体管获得更高的开关电流比，在满足要求的充电电流条件下，每个薄膜晶体管可以更加小尺寸化，增加每个像素透光区，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗，从而获得更好的视觉体验。由于液晶显示器是一种靠电场来调节液晶分子的排列状态，从而实现光通量调制的被动型显示器件，需要精细的有源驱动矩阵(Array)配合各像素区液晶的偏转状况。鉴于有源矩阵朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了设备成本以指数增长。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，能够减少光罩的使用数量，从而降低阵列基板生产周期和成本，提高产能。为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，形成钝化层过孔，保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的所述光刻胶，去除其余位置的所述光刻胶，形成光刻胶图块；步骤S20，对所述金属层进行图案化，蚀刻后形成位于所述光刻胶图块下方的金属图块，所述光刻胶图块与所述金属图块的组合形成底切结构，所述金属图块在所述基板上的正投影位于所述光刻胶图块在所述基板上的正投影的范围内；步骤S30，在所述光刻胶图块以及所述钝化层上制备所述顶电极膜层，所述顶电极膜层需要去除掉的部分形成于所述光刻胶图块表面，所述顶电极膜层需要保留的部分形成于所述钝化层上，以在所述钝化层上形成预设图案的顶电极层，其中，所述顶电极膜层位于所述光刻胶图块表面的部分与其余部分呈断开状态；步骤S40，将所述光刻胶图块以及位于所述光刻胶图块表面的所述顶电极膜层的相应部分一同剥离；步骤S50，将所述钝化层表面的所述金属图块蚀刻掉。在本申请的制备方法中，在所述步骤S10之前，所述方法还包括以下步骤：步骤S101，在所述基板上依次形成多晶硅图案、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备底电极膜层，并在所述底电极膜层上制备所述光刻胶；步骤S102，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，完全去除待形成源漏极过孔位置的所述光刻胶，完全保留待形成底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶部分保留；步骤S103，依次去除待形成所述源漏极过孔相应位置的所述底电极膜层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层，形成所述源漏极过孔；步骤S104，保留待形成所述底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶完全去除，对所述底电极膜层进行蚀刻，形成所述底电极层，并去除所述光刻胶。在本申请的制备方法中，在所述步骤S104之后，所述方法还包括以下步骤：步骤S105，在所述底电极层上制备源漏极金属层，对所述源漏极金属层进行图案化后形成与所述多晶硅图案的离子掺杂区电连接的源漏极，以及形成与所述源漏极和所述底电极层绝缘的信号线。在本申请的制备方法中，所述顶电极层通过所述钝化层过孔与所述信号线电连接。在本申请的制备方法中，在所述步骤S20中，采用湿法蚀刻工艺对所述金属层进行蚀刻，未被所述光刻胶图块遮挡的所述金属层以及对应所述光刻胶图块边缘位置下方的所述金属层被蚀刻掉，以形成所述金属图块。在本申请的制备方法中，所述金属图块的截面宽度小于所述光刻胶图块的截面宽度。在本申请的制备方法中，在所述步骤S30中，形成于所述钝化层以及所述光刻胶图块上的所述顶电极膜层与所述金属图块之间存在空隙，所述顶电极膜层不与所述金属图块接触。在本申请的制备方法中，所述光刻胶图块在所述基板上的正投影与所述钝化层过孔在所述基板上的正投影的范围不重叠。在本申请的制备方法中，所述金属层包括由从铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中选择的至少一种金属形成的单层或多层。本申请还提供一种采用如上所述的制备方法制备的阵列基板。本申请的有益效果为：通过在光刻胶下方增设一层金属层，采用半色调掩膜工艺，保留待制备膜层需要被去除部分相应位置的光刻胶，以形成光刻胶图块；再通过蚀刻金属层形成位于光刻胶图块下方的金属图块，由于光刻胶图块与金属图块的组合形成底切结构，因此在制备膜层时膜层需要去除掉的部分形成于光刻胶图块表面，后续随光刻胶图块一同被剥离，而需要保留的部分则无需使用光罩便可直接形成预设图案，从而缩减了一道光罩工艺，节省成本。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法流程图；图2～图7为本申请实施例提供的阵列基板的制备过程示意图；图5A～5F为本申请实施例提供的第四道光罩工艺示意图；图7A～7G为本申请实施例提供的第六道光罩工艺示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。参阅图1，为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法流程图。在图1的步骤S10之前，所述方法包括以下步骤：步骤S101，在基板上依次形成多晶硅图案、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备底电极膜层，并在所述底电极膜层上制备光刻胶；步骤S102，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，完全去除待形成源漏极过孔位置的所述光刻胶，完全保留待形成底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶部分保留；步骤S103，依次去除待形成所述源漏极过孔相应位置的所述底电极膜层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层，形成所述源漏极过孔；步骤S104，保留待形成所述底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶完全去除，对所述底电极膜层进行蚀刻，形成所述底电极层，并去除所述光刻胶；步骤S105，在所述底电极层上制备源漏极金属层，对所述源漏极金属层进行图案化后形成与所述多晶硅图案的离子掺杂区电连接的源漏极，以及形成与所述源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，形成钝化层过孔，保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的所述光刻胶，去除其余位置的所述光刻胶，形成光刻胶图块；/n步骤S20，对所述金属层进行图案化，蚀刻后形成位于所述光刻胶图块下方的金属图块，所述光刻胶图块与所述金属图块的组合形成底切结构，所述金属图块在所述基板上的正投影位于所述光刻胶图块在所述基板上的正投影的范围内；/n步骤S30，在所述光刻胶图块以及所述钝化层上制备所述顶电极膜层，所述顶电极膜层需要去除掉的部分形成于所述光刻胶图块表面，所述顶电极膜层需要保留的部分形成于所述钝化层上，以在所述钝化层上形成预设图案的顶电极层，其中，所述顶电极膜层位于所述光刻胶图块表面的部分与其余部分呈断开状态；/n步骤S40，将所述光刻胶图块以及位于所述光刻胶图块表面的所述顶电极膜层的相应部分一同剥离；/n步骤S50，将所述钝化层表面的所述金属图块蚀刻掉。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，形成钝化层过孔，保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的所述光刻胶，去除其余位置的所述光刻胶，形成光刻胶图块；
步骤S20，对所述金属层进行图案化，蚀刻后形成位于所述光刻胶图块下方的金属图块，所述光刻胶图块与所述金属图块的组合形成底切结构，所述金属图块在所述基板上的正投影位于所述光刻胶图块在所述基板上的正投影的范围内；
步骤S30，在所述光刻胶图块以及所述钝化层上制备所述顶电极膜层，所述顶电极膜层需要去除掉的部分形成于所述光刻胶图块表面，所述顶电极膜层需要保留的部分形成于所述钝化层上，以在所述钝化层上形成预设图案的顶电极层，其中，所述顶电极膜层位于所述光刻胶图块表面的部分与其余部分呈断开状态；
步骤S40，将所述光刻胶图块以及位于所述光刻胶图块表面的所述顶电极膜层的相应部分一同剥离；
步骤S50，将所述钝化层表面的所述金属图块蚀刻掉。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S10之前，所述方法还包括以下步骤：
步骤S101，在所述基板上依次形成多晶硅图案、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备底电极膜层，并在所述底电极膜层上制备所述光刻胶；
步骤S102，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，完全去除待形成源漏极过孔位置的所述光刻胶，完全保留待形成底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶部分保留；
步骤S103，依次去除待形成所述源漏极过孔相应位置的所述底电极膜层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层，形成所述源漏极过孔；
步骤S104，保留待形...

【专利技术属性】
技术研发人员：许勇，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42