阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该制备方法，包括：利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使膜组的刻蚀点处形成浸润槽；对浸润槽处剩余的膜组进行图形化，得到贯穿剩余的膜组的过孔。阵列基板包括：膜组；膜组的一侧形成有浸润槽；浸润槽处的剩余膜组中开设有过孔，过孔贯穿剩余膜组，过孔的一端开口位于浸润槽底部，另一端开口位于膜组远离浸润槽的一侧。本申请实施例在图形化形成过孔之前，采用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使膜组的刻蚀点处形成浸润槽，减少了既有的膜层需刻蚀部分的厚度，大大降低过孔边缘处的光刻胶层变性风险，并能提升缩小孔径的能力。

Preparation method of array substrate, array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示器中的像素都是由阵列基板中的薄膜晶体管来驱动的。如图1所示，阵列基板作为薄膜晶体管的载体，通常通过膜组结构将薄膜晶体管的各控制线路或供电线路隔开，再通过开设在阵列基板的部分膜层中的过孔及设置在过孔内的导电膜层连通位于不同膜层的控制线路或供电线路，以实现对像素的驱动。随着显示技术向超高分辨率发展，阵列基板上过孔的尺寸越做越小，导致过孔的制备过程中存在刻蚀困难、或刻蚀精度低等问题。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术存在阵列基板的过孔刻蚀困难的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使膜组的刻蚀点处形成浸润槽；对浸润槽处剩余的膜组进行图形化，得到贯穿剩余的膜组的过孔。在一个可能的实现方式中，利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，包括：采用打印方法，将刻蚀液定点投放在刻蚀点。在一个可能的实现方式中，浸润槽为球冠形，浸润槽的开口尺寸大于图形化形成的过孔在浸润槽底部的开口尺寸。在一个可能的实现方式中，刻蚀液包括：氢氟酸，浓度不大于5％。在一个可能的实现方式中，对浸润槽处剩余的膜组进行图形化，包括：在膜组上设置光刻胶层，并使得光刻胶层在浸润槽内形成开口；开口的尺寸与待刻蚀的过孔在浸润槽底部的开口尺寸相对应；对膜组进行干刻，得到贯穿膜组的过孔；对残留的光刻胶层进行剥离。在一个可能的实现方式中，膜组包括层叠设置的第二膜层和第一膜层；以及，本申请第一个方面的阵列基板的制备方法包括：利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，在第一膜层远离第二膜层的一侧形成浸润槽；对浸润槽处剩余的膜组进行图形化，得到贯穿剩余的膜组的过孔。在一个可能的实现方式中，对浸润槽处剩余的膜组进行图形化，包括：在第一膜层上设置第一光刻胶层，并使得第一光刻胶层在浸润槽内形成第一开口；第一开口的尺寸与待刻蚀的第一过孔在浸润槽底部的开口尺寸相对应；以第一光刻胶层为掩膜，对第一膜层进行第一次干刻，得到贯穿第一膜层的第一过孔；对剩余的第一光刻胶层进行剥离；在第一膜层和第一过孔中暴露的第二膜层上设置第二光刻胶层，并使得第二光刻胶层在第一过孔内形成第二开口；第二开口的尺寸与待刻蚀的第二过孔在靠近第一膜层一侧的开口尺寸相对应；以第二光刻胶层为掩膜，对第二膜层进行第二次干刻，得到贯穿第二膜层的第二过孔；对剩余的第二光刻胶层进行剥离。在一个可能的实现方式中，第一过孔的轴线与第二过孔的轴线重合，和/或，第一过孔的最小孔径不小于第二过孔的最大孔径。第二个方面，本申请实施例提供了一种由上述第一个方面提供的制备方法制备得到的阵列基板，包括：膜组；膜组的一侧具有浸润槽；浸润槽处的剩余膜组中开设有过孔，过孔贯穿剩余膜组，过孔的一端开口位于浸润槽底部，另一端开口位于膜组远离浸润槽的一侧。在一个可能的实现方式中，阵列基板还包括位于膜组远离浸润槽一侧的第一导体层，和位于浸润槽一侧的第二导体层，第一导体层和第二导体层通过过孔连接。在一个可能的实现方式中，模组包括层叠设置的第二膜层和第一膜层；过孔包括相互连通的第一过孔和第二过孔；第一膜层远离第二膜层的一侧具有浸润槽，第一膜层具有第一过孔，第一过孔由浸润槽底部向第二膜层的方向贯穿第一膜层；第二膜层具有第二过孔，第二过孔贯穿第二膜层。在一个可能的实现方式中，第一过孔和第二过孔同轴设置；或，浸润槽的中心轴，与第一过孔和第二过孔同轴设置。在一个可能的实现方式中，浸润槽为球冠形，浸润槽的开口尺寸大于第一过孔在浸润槽底部的开口尺寸；和/或，第一过孔的最小孔径不小于第二过孔的最大孔径。第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：上述第二个方面提供的阵列基板。本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：在图形化形成过孔之前，采用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使膜组的刻蚀点处形成浸润槽，减少了既有的膜层需刻蚀部分的厚度，大大降低过孔边缘处的光刻胶层变性风险，并能提升缩小孔径的能力。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为现有技术中完成第一次干刻后、准备第二次干刻的阵列基板结构示意图；图2为现有技术中完成第一次干刻后，在过孔开口处形成变性光刻胶的示意图；图3为现有技术中完成第一次干刻后，在过孔底部形成残留的光刻胶的示意图；图4为现有技术中因光刻胶残留而导致第二次干刻无法刻穿膜层的示意图；图5为本申请实施例提供的一种阵列基板的制备方法的实施方式一的流程示意图；图6为图5中步骤S102的一种具体方法的流程示意图；图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的制备方法的实施方式二的流程示意图；图8为图7中步骤S202的一种具体方法的流程示意图；图9为本申请实施方式二提供的利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，在第一膜层远离第二膜层的一侧形成浸润槽的结构示意图；图10为本申请实施方式二提供的在第一膜层上设置第一光刻胶层，并使得第一光刻胶层在浸润槽内形成第一开口的结构示意图；图11为本申请实施方式二提供的以第一光刻胶层为掩膜，对第一膜层进行第一次干刻，得到贯穿第一膜层的第一过孔的结构示意图；图12为本申请实施方式二提供的在第一膜层和第一过孔中暴露的第二膜层上设置第二光刻胶层，并使得第二光刻胶层在第一过孔内形成第二开口的结构示意图；图13为本申请实施例提供的以第二光刻胶层为掩膜，对第二膜层进行第二次干刻，得到贯穿第二膜层的第二过孔的结构示意图；图14为本申请实施例提供的在第一膜层上、第一过孔内的第二膜层上和第二过孔内的基板上铺设第二导体层得到的一种阵列基板的结构示意图；图15为本申请实施例提供的一种阵列基板的一个实例的结构示意图；图中：100-膜组；100a-浸润槽；100b-第一开口；100c-第二开口；110-第二膜层；110a-第二过孔；120-第一膜层；120a-第一过孔；200-光刻胶层；200a-第一光刻胶层；200b-第二光刻胶层；201-变性的光刻胶；202-残留的光刻胶；300-第一导体层；400-第二导体层；510-有源层；511-源漏区；512-沟道区；520-栅绝缘层；530-源漏极层；600-玻璃基板；700-缓冲层；800层间介质层。具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：/n利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使所述膜组的所述刻蚀点处形成浸润槽；/n对所述浸润槽处剩余的所述膜组进行图形化，得到贯穿剩余的所述膜组的过孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，使所述膜组的所述刻蚀点处形成浸润槽；
对所述浸润槽处剩余的所述膜组进行图形化，得到贯穿剩余的所述膜组的过孔。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，包括：采用打印方法，将所述刻蚀液定点投放在所述刻蚀点。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述浸润槽为球冠形，所述浸润槽的开口尺寸大于所述图形化形成的所述过孔在所述浸润槽底部的开口尺寸。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液包括：氢氟酸，浓度不大于5％。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对所述浸润槽处剩余的所述膜组进行图形化，包括：
在所述膜组上设置光刻胶层，并使得所述光刻胶层在所述浸润槽内形成开口；所述开口的尺寸与待刻蚀的所述过孔在所述浸润槽底部的开口尺寸相对应；
对所述膜组进行干刻，得到贯穿所述膜组的过孔；
对残留的所述光刻胶层进行剥离。


6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述膜组包括层叠设置的第二膜层和第一膜层；
所述制备方法包括：
利用刻蚀液浸润膜组的刻蚀点，在第一膜层远离第二膜层的一侧形成浸润槽；
对所述浸润槽处剩余的所述膜组进行图形化，得到贯穿剩余的所述膜组的过孔。


7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述对所述浸润槽处剩余的所述膜组进行图形化，包括：
在所述第一膜层上设置第一光刻胶层，并使得所述第一光刻胶层在所述浸润槽内形成第一开口；所述第一开口的尺寸与待刻蚀的第一过孔在所述浸润槽底部的开口尺寸相对应；
以所述第一光刻胶层为掩膜，对所述第一膜层进行第一次干刻，得到贯穿所述第一膜层的第一过孔；
对剩余的所述第一光刻胶层进行剥离；
在所述第一膜层和所述第一过孔中暴露的第二膜层上设置第二光刻胶层，并使得所述第二光刻胶层在所述第一过孔内形成第二开口；所述第二开口的尺寸与待刻蚀的第二过孔在靠近所述第一膜层一侧的开口尺寸相对应；
以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第二膜层进行第二次干刻，得到贯穿所述第二膜层的第二过孔；
对剩余的所述第二光刻胶层进行剥离。

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，侯文军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11