【技术实现步骤摘要】
电荷泵电路及其形成方法
本专利技术涉及电荷泵领域，尤其涉及一种能增大输出电压的电荷泵电路及其形成方法。
技术介绍
在闪存的编程和擦除操作中需要用到高压，故需要对闪存的工作电源电压进行转换，以配合闪存的编程和擦除。电荷泵电路作为闪存中的重要组成部分，随着电子器件趋于小型化，高度精密化，电荷泵电路很大程度上决定了闪存的初始编程、擦除和读写速度。闪存中这些过程往往需要高的电压完成，这使得电荷泵电路在闪存中地位越来越重要。各种高性能电荷泵的研究逐渐成为当前研究的热点之一。目前，现有常用的电荷泵电路均是基于Dickson电荷泵模型或者Pelliconi电荷泵模型。但是现有的电荷泵电路的输出电压的大小仍有待提升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提高电荷泵电路输出电压的大小。本专利技术提供了一种电荷泵电路，包括：包括交叉耦合电荷泵电路和与交叉耦合电荷泵电路连接的Dickson电荷泵电路，所述交叉耦合电荷泵电路包括第一电压输入端和第一电压输出端，所述Dickson电荷...
【技术保护点】
1.一种电荷泵电路，其特征在于，包括：/n包括交叉耦合电荷泵电路和与交叉耦合电荷泵电路连接的Dickson电荷泵电路，所述交叉耦合电荷泵电路包括第一电压输入端和第一电压输出端，所述Dickson电荷泵电路包括第二电压输入端和第二电压输出端，所述交叉耦合电荷泵电路的第一电压输入端连接外部输入电压，所述Dickson电荷泵电路的第二电压输入端连接所述交叉耦合电荷泵电路的第一电压输出端，所述Dickson电荷泵电路的第二电压输出端输出的电压作为电荷泵电路的输出电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种电荷泵电路，其特征在于，包括：
包括交叉耦合电荷泵电路和与交叉耦合电荷泵电路连接的Dickson电荷泵电路，所述交叉耦合电荷泵电路包括第一电压输入端和第一电压输出端，所述Dickson电荷泵电路包括第二电压输入端和第二电压输出端，所述交叉耦合电荷泵电路的第一电压输入端连接外部输入电压，所述Dickson电荷泵电路的第二电压输入端连接所述交叉耦合电荷泵电路的第一电压输出端，所述Dickson电荷泵电路的第二电压输出端输出的电压作为电荷泵电路的输出电压。
2.如权利要求1所述的电荷泵电路，其特征在于，所述交叉耦合电荷泵电路包括若干级串联的第一电荷泵，每一级第一电荷泵均包括交叉耦合连接两个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管。
3.如权利要求2所述的电荷泵电路，其特征在于，所述两个NMOS晶体管包括相同的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述两个PMOS晶体管包括相同的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述每一级第一电荷泵中两个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管交叉耦合连接的方式为：所述第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管漏极连接在一起作为每一级第一电荷泵的电压输入端，所述第一NMOS晶体管源极与第一PMOS晶体管的源极连接并与第二NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管的栅极连接，所述第二NMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的源极连接并与第一NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的栅极连接，所述第一PMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的漏极连接在一起作为每一级第一电荷泵的电压输出端，所述电压输出端连接下一级第一电荷泵的电压输入端；第一级第一电荷泵的电压输入端作为交叉耦合电荷泵电路的第一电压输入端，所述第一电压输入端连接输入电压，最后一级第一电荷泵的电压输出端作为交叉耦合电荷泵电路的第一电压输出端。
4.如权利要求3所述的电荷泵电路，其特征在于，还包括第一时钟和第二时钟，每一个第一电荷泵中，所述第一NMOS晶体管源极与第一PMOS晶体管的源极的连接点通过第一电容与第一时钟连接，所述第二NMOS晶体管的源极与第二PMOS晶体管的源极的连接点通过第二电容与第二时钟连接。
5.如权利要求4所述的电荷泵电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极通过第三电容与接地端连接，所述第二PMOS晶体管的源极通过第四电容与接地端连接，所述第一电容与第一时钟连接的一端通过第五电容与接地端连接，所述第二电容与第二时钟的连接的一端通过第六电容与接地端连接。
6.如权利要求4所述的电荷泵电路，其特征在于，所述Dickson电荷泵电路包括若干级串联的第二电荷泵，每一级第二电荷泵均包括一个二极管和一个电容，电容的一端连接二极管的阴极，电容的另一端连接时钟，后一级第二电荷泵中的二极管的阳极与前一级第二电荷泵中的二极管的阴极连接，第一级第二电荷泵中的二极管的阳极作为第二电压输入端，所述第二电压输入端连接交叉耦合电荷泵电...
【专利技术属性】
技术研发人员：盖春赟，刘威，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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