【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
本专利技术的实施例涉及制造半导体器件的方法。
技术介绍
近年来，由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。这些更小的电组件也需要比以前的封装件占据更小面积的更小的封装件。用于半导体组件的一些较小类型的封装件包括方形扁平封装件(QFP)、引脚网格阵列(PGA)封装件、球栅阵列(BGA)封装件等。目前，集成扇出封装件因其紧凑性而变得越来越流行。集成扇出封装件中的超高密度(UHD)再分布电路结构可以包括铜通孔、再分布线和介电层，其中，通过化学机械抛光(CMP)工艺完成介电层的平坦化，这增加了制造成本并且影响了生产率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成导电通孔；形成光敏介电层以覆盖所述导电通孔；减薄所述光敏介电层以露出所述导电通孔，至少通过曝光和显影工艺来实施减薄所述光敏介...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n形成导电通孔；/n形成光敏介电层以覆盖所述导电通孔；/n减薄所述光敏介电层以露出所述导电通孔，至少通过曝光和显影工艺来实施减薄所述光敏介电层；以及/n在减薄所述光敏介电层之后，在所述光敏介电层和所述导电通孔上形成再分布线。/n
【技术特征摘要】
20180629 US 62/691,721;20190517 US 16/415,4371.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
形成导电通孔；
形成光敏介电层以覆盖所述导电通孔；
减薄所述光敏介电层以露出所述导电通孔，至少通过曝光和显影工艺来实施减薄所述光敏介电层；以及
在减薄所述光敏介电层之后，在所述光敏介电层和所述导电通孔上形成再分布线。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在减薄所述光敏介电层之后，部分地去除所述导电通孔，从而使得所述导电通孔的上表面低于所述光敏介电层的上表面第一距离；以及
在部分地去除所述导电通孔之后，部分地去除所述光敏介电层以减小所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，至少部分地通过蚀刻工艺实施部分地去除所述光敏介电层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，减薄所述光敏介电层以露出所述导电通孔包括：
实施所述曝光和显影工艺以去除所述光敏介电层的第一部分；
在实施所述曝光和显影工艺之后，固化所述光敏介电层的剩余部分；以及
在固化所述光敏介电层的剩余部分之后，去除所述光敏介电层的第二部分以露出所述导电通孔。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，至少部分地通过灰化工艺实施去除所述第二部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，减薄所述光敏介电层以露出所述导电通孔包括：
实施所述曝光和显影工艺以去除所述光敏介电层的第一部分；以及
在实施所述曝光...
【专利技术属性】
技术研发人员：王博汉，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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