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提供了包括以下步骤的制造再分布电路结构的方法。形成导电通孔。形成光敏介电层以覆盖导电通孔。至少通过曝光和显影工艺部分地去除光敏介电层以露出导电通孔。在光敏介电层和露出的导电通孔上形成再分布线。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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