晶圆承载装置、系统与方法制造方法及图纸

本发明专利技术是晶圆承载装置、系统与方法，本发明专利技术揭露描述一种装置。此装置包含一静电吸盘、一气体通道和多个气孔。此静电吸盘是用以置放一物件于其上。此气体通道沿着静电吸盘的一外侧壁的一周边延伸，并将静电吸盘分为一内部分和一侧壁部分。此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接一气体外部至静电吸盘并至气体通道。

Wafer loading device, system and method

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载装置、系统与方法
本揭露实施方式是有关于静电吸盘的装置与系统及其操作方法。
技术介绍
静电吸盘(ElectrostaticChucks；ESCs)被广泛地应用在半导体制程中，以在不同的操作期间承载晶圆，例如电浆基底的蚀刻、离子植入、化学气相沉积(CVD)等。静电吸盘包含具有整合的电极的平台。在操作期间，这些电极被施加高伏特的偏压，以在平台与被承载的物件(例如晶圆)间建立一静电支撑力。提供此静电支撑力的静电吸盘的这个部分提供被称为“吸盘”。静电吸盘可被用于不同的系统中，例如蚀刻、离子植入、化学气相沉积系统。举例而言，在干式蚀刻系统中，静电吸盘是位于腔室中，以承载将被蚀刻的晶圆。可通入反应气体至腔室中，并可在晶圆产生电浆。自由基/高能离子可由电浆所形成，而撞击晶圆表面。这些自由基/高能离子可与晶圆表面碰撞，而通过撞掉材料和与材料反应来去除部分的晶圆。
技术实现思路
在一些实施方式中，一种装置包含：静电吸盘、多个气孔和气体通道。静电吸盘用以置放物件于其上；气体通道沿着该静电吸盘的外侧壁的周边延伸，并将静电吸盘分为内部分和侧壁部分；此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接气体通道至在该静电吸盘外的气体。在一些实施方式中，一种方法包含：装载晶圆至晶圆承载结构上；在晶圆上进行一或多个操作；以及形成环绕该晶圆承载结构的外侧壁的气体帘幕。在一些实施方式中，一种系统包含：腔室和控制装置。腔室包含：晶圆承载结构，晶圆承载结构包含静电吸盘和气体通道，静电吸盘用以置放物件于其上，气体通道沿着静电吸盘的外侧壁的周边延伸。气体通道可将静电吸盘分为内部分和侧壁部分。晶圆承载结构亦可包含多个气孔，此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接气体通道至在晶圆承载结构外的气体。气体通道配置以容许惰性气体流过此些气孔，以形成环绕静电吸盘的外侧壁的气体帘幕。控制装置可配置以控制腔体中的一或多个操作和沿着静电吸盘的外侧壁的气体帘幕。附图说明从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露有更佳的了解。需强调的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示，且仅作为例示的目的。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。图1是绘示一种静电吸盘的剖面示意图；图2A和图3A每一者是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种静电吸盘结构的剖面示意图；图2B是绘示图2A中沿着2-2’方向所示的静电吸盘结构的俯视示意图；图3B是绘示图3A中沿着3-3’方向所示的静电吸盘结构的俯视示意图；图4是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种控制系统；图5是绘示依照本揭露的一些实施方式的保护静电吸盘结构免被偏转的自由基损坏的方法；图6是绘示实施本揭露的各种实施方式的一种例示计算机系统。【符号说明】100静电吸盘结构109电极111基座平台112加热构件113隔热构件114基座115气体隧道115-1入口115-2出口116基座底部117箭头200剖面视图209电极210静电吸盘结构211基座平台212加热构件213隔热构件214基座结构215气体隧道215-1入口215-2出口216底部218气体通道219入口220气孔221侧壁部分222基座侧壁部分223内部分250俯视图300剖面视图310静电吸盘结构311基座平台313隔热构件318气体通道322水平侧壁部分323内部分324垂直侧壁部分325垂直侧壁部分330气孔332水平通道部分334垂直通道部分335垂直通道部分340气孔341垂直侧壁部分350俯视图400系统401控制单元/装置402通讯装置403圆承载结构404惰性气体500方法501操作502操作503操作602使用者输入/输出接口603使用者输入/输出装置604处理器606通讯设施608主记忆体610次要记忆体612硬盘驱动机614可移动储存驱动机618可移动储存单元620接口622可移动储存单元624通讯接口626通讯路径628远程装置、网络、实体2-2’方向3-3’方向d1直径d2宽度d3厚度d4弧长d5距离P电浆W晶圆具体实施方式以下的揭露提供了许多不同实施方式或例子，以实施所提供的标的的不同特征。以下描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然，这些仅为例子，并非用以作为限制。举例而言，于描述中，第一特征形成于第二特征的上方或之上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，亦可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施方式，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简化与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施方式及/或配置之间的关系。在半导体制造中，静电吸盘可被使用于各种系统中，例如用以承载/固定晶圆。例如：静电吸盘可被用来承载晶圆于腔室中，以进行干式蚀刻制程。晶圆可被放置在静电吸盘上，并可通入蚀刻剂至腔室中。在一射频功率下，可通过离子化气体原子来形成自由基/高能离子，而可形成电浆于晶圆上。这些自由基可以高动能轰击晶圆，而可去除晶圆欲被去除的部分。然而，这些电浆自由基亦会碰撞到与静电吸盘(或晶圆)相邻的物体，而偏离这些物体。这些物体可为任何东西，例如：用以处理晶圆的腔体或其他机台的一部分。被偏转的离子会轰击静电吸盘的外侧壁并与其反应，因而在一段时间后造成静电吸盘的损坏。此种腐蚀会损害静电吸盘的外侧壁(例如：或者是外侧壁上的保护涂层)。被损害的外侧壁会引起静电，此静电会造成晶圆弯曲(waferbowing)。结果是，晶圆会被损坏，因而降低产品良率。图1是绘示一种静电吸盘结构100，其承载晶圆W于用以进行干式蚀刻制程的腔室中(例如：静电吸盘结构100可被容置于干式蚀刻腔室中)。电浆P是被形成于晶圆W上。静电吸盘结构100包含基座114和位于基座114上的静电吸盘110。静电吸盘110包含电极109、基座平台111、加热构件112和隔热构件113。电极109可被嵌入至基座平台111中，加热构件112可被嵌入至隔热构件113中。静电吸盘结构100可提供库仑力(CoulombForce)，而能在此蚀刻制程期间吸引并抓住晶圆W。加热构件112可对此蚀刻制程提供合适的温度。基座114可还包含气体隧道115，以调整/控制晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载装置，其特征在于，该包含：/n一静电吸盘，用以置放一物件于其上；/n一气体通道，沿着该静电吸盘的一外侧壁的一周边延伸，并将该静电吸盘分为一内部分和一侧壁部分；以及/n多个气孔，贯穿该侧壁部分并配置以连接该气体通道至在该静电吸盘外的一气体。/n

【技术特征摘要】
20180629 US 62/692,128;20190619 US 16/445,3361.一种承载装置，其特征在于，该包含：
一静电吸盘，用以置放一物件于其上；
一气体通道，沿着该静电吸盘的一外侧壁的一周边延伸，并将该静电吸盘分为一内部分和一侧壁部分；以及
多个气孔，贯穿该侧壁部分并配置以连接该气体通道至在该静电吸盘外的一气体。


2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，还包含：
一入口，连接至该气体通道并配置以接收一惰性气体源。


3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，该气体通道的一高度是实质等于或小于该静电吸盘的一高度。


4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，该侧壁部分包含一垂直侧壁部分，在该垂直侧壁部分中的该些气孔的至少一第一者具有一第一出口方向，该静电吸盘的该侧壁部分还包含一水平侧壁部分，在该水平侧壁部分中的该些气孔的至少一第二者具有一第二出口方向，该第二出口方向不同于该第一出口方向，其中该些气孔的该至少一第一者和该至少一第二者是彼此相邻。


5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，还包含一基座，该基座支撑该静电吸盘，其中一入口是位于该基座的一底部上，该气体通道延伸穿过该基座并连接至该入口，该气体通道将该基座分为一基座内部分和一基座侧壁部分，该基座侧壁部分包含其他多个气孔，配置以连接该气体通道至在该装置中的该气体。


6.一种晶圆承载方法，其特征在于，包含：
装载一晶圆至一晶圆承载结构上；
在该晶圆上进行一或多个操作；以及
形成一气体帘幕，该气体帘幕环绕该晶圆承载结构的一外侧壁。


7.根据权利要求6所述的晶圆承载方法，其特征在于，该形成该气体帘幕的操作包...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢文渊，陈哲夫，刘晏宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71