微发光二极管转印头制造技术

本发明专利技术涉及一种将微发光二极管从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转印头，尤其涉及一种使吸附微发光二极管的吸附区域的真空压变均匀，从而可更有效率地转印微发光二极管，可在吸附微发光二极管的吸附面形成均匀的真空压，从而可提高微发光二极管的转印效率的微发光二极管转印头。

Microled transfer head

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转印头
本专利技术涉及一种将微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)从第一基板移送到第二基板的微LED转印头。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)LED(以下，称为“微LED”)显示器也逐渐成为下一代显示器。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微LED显示器是将1微米至100微米(μm)单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。随着Cree公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微LED”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微LED应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微LED元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的LED芯片的转印(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。尤其，关于将微LED元件移送到显示基板的转印(transfer)，因LED尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pick&place)设备，需要一种以更高精确度进行移送的转印头技术。关于这种转印头技术，揭示如下所述的几种构造，但所揭示的各技术具有几个缺点。美国的Luxvue公司揭示了一种利用静电头(electrostatichead)转印微LED的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号，以下称为“现有专利技术1”)。现有专利技术1的转印原理为对由硅材料制成的头部分施加电压，由此，因带电现象与微LED产生密接力。所述方法在静电感应时会因施加在头部的电压产生因带电现象引起的微LED损伤的问题。美国的X-Celeprint公司揭示了一种应用具有弹性的聚合物物质作为转印头而将晶片上的微LED移送到所期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号，以下称为“现有专利技术2”)。与静电头方式相比，所述方法无LED损伤的问题，但存在如下缺点：在转印过程中，只有弹性转印头的接着力大于目标基板的接着力才可稳定地移送微LED，需另外进行用以形成电极的制程。另外，持续地保持弹性聚合物物质的接着力也为非常重要的要素。韩国光技术院揭示了一种利用纤毛接着构造头转印微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1754528号，以下称为“现有专利技术3”)。然而，现有专利技术3存在难以制作纤毛的接着构造的缺点。韩国机械研究院揭示了一种在辊上涂覆接着剂来转印微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号，以下称为“现有专利技术4”)。然而，现有专利技术4存在如下缺点：需持续使用接着剂，在对辊进行加压时，微LED也会受损。三星显示器揭示了一种在阵列基板浸入在溶液的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压而通过静电感应现象将微LED转印到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号，以下称为“现有专利技术5”)。然而，现有专利技术5存在如下缺点：在将微LED浸入到溶液而转印到阵列基板的方面而言，需要另外的溶液，此后需要干燥制程。LG电子揭示了一种将头保持器配置到多个拾取头与基板之间，随多个拾取头的移动而形状变形来对多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号，以下称为“现有专利技术6”)。然而，现有专利技术6具有如下缺点：其为在多个拾取头的接着面涂布具有接着力的接合物质而转印微LED的方式，因此需要在拾取头涂布接合物质的另外的制程。为了解决如上所述的现有专利技术的问题，需在直接使用现有专利技术所采用的基本原理的同时，改善上述缺点，但如上所述的缺点是从现有专利技术所使用的基本原理衍生，因此在保持基本原理的同时改善缺点的方面存在极限。因此，本专利技术的申请人不仅改善这些以往技术的缺点，而且揭示一种在现有专利技术中完全未考虑过的新颖的方式。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第0731673号(专利文献2)韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号(专利文献3)韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第1754528号(专利文献5)韩国注册专利公报注册编号第1757404号(专利文献6)韩国公开专利公报第10-2017-0026959号(专利文献7)韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]因此，本专利技术的目的在于提供一种使吸附微LED的吸附区域的真空压变均匀，从而可提高微LED转印的效率的微LED转印头。另外，本专利技术的目的在于提供一种均匀地形成产生吸附微LED的吸附面的吸附力的真空压，从而可提高微LED的转印效率的微LED转印头。[解决问题的手段]本专利技术的一特征的微LED转印头的特征在于包括吸附部件，所述吸附部件在不吸附微LED的非吸附区域的上表面具备支撑部，连接通过形成到所述支撑部之间的空气通路而传递吸入腔室的真空的真空压形成部。另外，所述微LED转印头的特征在于：在所述真空压形成部形成吸入孔。另外，所述微LED转印头的特征在于：包括通过所述支撑部结合到所述吸附部件的上部的具有气孔的多孔性部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：包括通过所述支撑部结合到所述吸附部件的上部且形成有吸入通路的支撑板。另外，所述微LED转印头的特征在于：所述吸附部件为多孔性吸附部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：吸附部件为具有任意气孔的多孔性吸附部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：吸附部件为具有垂直气孔的多孔性吸附部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：吸附部件为将金属阳极氧化而形成的阳极氧化膜。本专利技术的另一特征的微LED转印头的特征在于包括：吸附部件，吸附微LED；支撑部件，具备到所述吸附部件的非吸附区域的上表面；以及连通部件，在所述支撑部件的上部与所述支撑部件结合，使所述支撑部件之间的区域空气连通。另外，所述微LED转印头的特征在于：所述连通部件在下表面具备与所述支撑部件交叉的槽。另外，所述微LED转印头的特征在于：所述连通部件为具有气孔的多孔性部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：所述吸附部件为具有垂直气孔的多孔性吸附部件。另外，所述微LED转印头的特征在于：所述吸附部件为将金属阳极氧化而形成的阳极氧化膜。另外，所述微LED转印头的特征在于：连通部件形成吸入孔。另外，所述微LED转印头的特征在于：在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转印头，其特征在于，包括：/n吸附部件，所述吸附部件在不吸附微发光二极管的非吸附区域的上表面具备支撑部，连接通过形成到所述支撑部之间的空气通路而传递吸入腔室的真空的真空压形成部。/n

【技术特征摘要】
20180627 KR 10-2018-0074135;20180627 KR 10-2018-001.一种微发光二极管转印头，其特征在于，包括：
吸附部件，所述吸附部件在不吸附微发光二极管的非吸附区域的上表面具备支撑部，连接通过形成到所述支撑部之间的空气通路而传递吸入腔室的真空的真空压形成部。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，
在所述真空压形成部形成吸入孔。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，包括：
具有气孔的多孔性部件，通过所述支撑部结合到所述吸附部件的上部。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，包括：
支撑板，通过所述支撑部结合到所述吸附部件的上部且形成有吸入通路。


5.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，
所述吸附部件为多孔性吸附部件。


6.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，
所述吸附部件为具有任意气孔的多孔性吸附部件。


7.根据权利要求1所述的微发光二极管转印头，其特征在于，
所述吸附部件为具有垂直气...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR