【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘接剂层形成装置、半导体芯片生产线、及层叠体的制造方法
本专利技术涉及粘接剂层形成装置、半导体芯片生产线、及层叠体的制造方法。更具体而言,涉及在半导体晶片的至少一面形成粘接剂层的装置(粘接剂层形成装置)、具有该粘接剂层形成装置的半导体芯片生产线、及在半导体晶片的至少一面具有粘接剂层的层叠体的制造方法。本申请主张2017年5月12日在日本申请的日本特愿2017-095585号的优先权,并将其内容援引至本申请中。
技术介绍
在层叠半导体芯片的制作中,进行将硅晶片堆叠并通过粘接剂贴合的操作。特别是在堆叠晶片方式(Wafer-on-Wafer,WOW方式)中,在不将形成有晶体管电路的硅晶片切成芯片的形式的情况下,以晶片为单位借助粘接剂而进行层叠。在上述WOW方式中,存在在贴合时会混入空气(起泡)的隐患,因此通常在减压下(特别是真空下)进行压合/加热(例如,参照非专利文献1)。此时,若在粘接剂中残留有溶剂,则溶剂在减压下会发生气化而发泡,引起与起泡同样的现象,其结果有时会引起晶片的粘接不良。因此,需要对所涂布的粘接剂充分地除去 ...
【技术保护点】
1.一种粘接剂层形成装置,其是将在半导体晶片的一面涂布形成的涂膜中的溶剂除去而形成粘接剂层的装置,其中,/n所述粘接剂层形成装置具备:/n载置所述半导体晶片的下部板、/n与所述下部板形成容积10升以下的封闭空间的上部罩、及/n对所述封闭空间内进行减压的减压机构。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170512 JP 2017-0955851.一种粘接剂层形成装置,其是将在半导体晶片的一面涂布形成的涂膜中的溶剂除去而形成粘接剂层的装置,其中,
所述粘接剂层形成装置具备:
载置所述半导体晶片的下部板、
与所述下部板形成容积10升以下的封闭空间的上部罩、及
对所述封闭空间内进行减压的减压机构。
2.根据权利要求1所述的粘接剂层形成装置,其中,所述上部罩的成为所述封闭空间的顶棚的部分为圆顶型。
3.根据权利要求2所述的粘接剂层形成装置,其中,所述上部罩的圆顶型部为金属制,所述圆顶型部的厚度为2mm以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的粘接剂层形成装置,其具有对所述涂膜进行加热的加热机构。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的粘接剂层形成装置,其中,
所述上部罩在周缘具有凸缘部,
所述下部板具有:载置所述半导体晶片的载置台、和在该载置台的周围与所述凸缘部接触而形成所述封闭空间的槽。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的粘接剂层形成装置,其中,在所述下部板的内部的与所述封闭空间阻断通气的位置具有热电偶。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的粘接剂层形成装置,其还具有上下驱动单元,所述上下驱动单元具有钩单元及球单元,并且使所述上部罩升降而使所述封闭空间开闭,所述上部罩与分支管连接,所述分支...
【专利技术属性】
技术研发人员:船木克典,辻直子,
申请(专利权)人:株式会社大赛璐,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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