对准的方法、处理工具以及用于晶片级对准的方法技术

本申请的各种实施例指向一种以低对准误差及高生产量进行工件级对准的方法。在一些实施例中，所述方法包括：基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的视场(FOV)，并进一步基于来自所述成像装置的反馈将第二工件上的第二对准标记对准所述第一对准标记。在所述第一对准标记的所述对准期间，所述第二工件处于所述视场外。所述第二对准标记的所述对准是在不将所述第一对准标记移动出所述视场的情况下执行。此外，在所述第二对准标记的所述对准期间，所述成像装置观察所述第二对准标记，且进一步穿过所述第二工件观察所述第一对准标记。所述成像装置可例如利用反射红外辐射执行成像。

Alignment methods, processing tools, and methods for wafer level alignment

【技术实现步骤摘要】
对准的方法、处理工具以及用于晶片级对准的方法
本专利技术实施例涉及一种对准的方法、处理工具以及用于晶片级对准的方法。
技术介绍
晶片到晶片(wafer-to-wafer，W2W)结合是一种将两个晶片结合在一起的工艺。在形成三维集成电路(three-dimensionalintegratedcircuit，3DIC)、微机电系统(microelectromechanicalsystem，MEMS)装置、绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)晶片以及其他物件时常常采用晶片到晶片结合。晶片级对准是将两个晶片对准的工艺，且是在晶片到晶片结合之前及/或期间执行以确保恰当的对准。对准误差可被量化为平移误差(translationerror)、工具稳定性误差、旋转误差、径向跳动误差(run-outerror)以及测量误差。此外，平移误差、工具稳定性误差及旋转误差通常是导致对准误差的最大因素。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，一种对准的方法包括：基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准的方法，其特征在于，包括：/n基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的视场，其中在所述第一对准标记的所述对准期间，第二工件处于所述视场外；以及/n基于来自所述成像装置的反馈将所述第二工件上的第二对准标记对准所述第一对准标记，其中所述第二对准标记的所述对准是在不将所述第一对准标记移动出所述视场的情况下执行，且其中在所述第二对准标记的所述对准期间，所述成像装置穿过所述第二工件对所述第一对准标记进行成像。/n

【技术特征摘要】
20180622 US 16/015,5071.一种对准的方法，其特征在于，包括：
基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的视场，其中在所述第一对准标记的所述对准期间，第二工件处于所述视场外；以及
基于来自所述成像装置的反馈将所述第二工件上的第二对准标记对准所述第一对准标记，其中所述第二对准标记的所述对准是在不将所述第一对准标记移动出所述视场的情况下执行，且其中在所述第二对准标记的所述对准期间，所述成像装置穿过所述第二工件对所述第一对准标记进行成像。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成像装置使用红外辐射对所述第一对准标记及所述第二对准标记进行成像。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工件位于第一工件平台的上侧上，其中所述第二工件位于第二工件平台的下侧上，且其中所述第二对准标记的所述对准包括：控制所述第二工件平台以使所述第二对准标记沿横向移动到对准所述第一对准标记。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二工件平台界定位于所述第二工件之上的开口，且其中所述第二对准标记的所述对准包括使用所述成像装置穿过所述开口及所述第二工件二者对所述第一对准标记进行成像。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
基于来自第二成像装置的反馈将所述第一工件上的第三对准标记对准到所述第二成像装置的第二视场，其中所述第一对准标记的所述对准与所述第三对准标记的所述对准是同时执行的。


6.一种处理工具，其特征在于，包括：
第一工件平台，被配置成将第一工件支撑在所述第一工件平台之上，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：王景宏，刘丙寅，林勇志，杜友伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW