一种驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种驱动电路，在现有源极驱动的基础上，增加MOS管Q3，电容C4和二极管D5。当MOS管Q2导通时，驱动电路导通MOS管Q3，并由MOS管Q3开通源极驱动MOS管Q1，同时控制第二电压源VCC通过二极管D5给电容C4充电提供驱动能量。当MOS管Q2关断时，MOS管Q3和MOS管Q1的栅极电容参与串联分压，当栅极电压降低后MOS管Q3和MOS管Q1先后关断。本发明专利技术可以有效降低MOS管Q1的栅极充电电流流过MOS管Q2，从而降低MOS管Q2的开关损耗，使源极驱动电路满足大功率应用场合使用的要求。

A driving circuit

【技术实现步骤摘要】
一种驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路，特别涉及一种用于高压开关电源的驱动电路。
技术介绍
反激式开关电源具有电路简单、可靠性高、输入电压范围宽的特点，很轻松就可以实现交流100V～264V的宽电压范围工作，即使如此，也满足不了日益增长的各种应用，如工业配电系统中的仪表电源，经常需要一种标称输入电压85VAC～528VAC的小功率开关电源，实际上可以在64VAC～660VAC超宽范围稳定工作的电源，同时要求体积小，甚至还要求兼顾直流输入，兼顾三相交流电四线的输入，俗称三相四线制，即3条相线，1条零线。为了提高电源输入电压，一般采用源极驱动方案，现有技术方案参见专利ZL200810028422.4，名为《一种源极驱动的反激变换电路》，图1为现有技术源极驱动的反激变换电路的原理框图，图2为现有技术源极驱动的反激变换电路的原理图，如图所示：电路启动时电流一路通过电阻R1后一路给辅电源电路的电容C2充电，另一路给电源管理芯片PWMIC供电。当电压上升到电源管理芯片PWMIC工作电压时，电源管理芯片PWMIC开始驱动MOS管Q2。在电源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，其特征在于：包括第一电压源Vs、第二电压源VCC、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D5、分压电容C2和电容C4，第二电压源VCC电联接二极管D5的阳极，二极管D5的阴极连接MOS管Q3的漏极，MOS管Q3的源极连接MOS管Q1的栅极，电容C4连接于MOS管Q3的漏极和MOS管Q1的源极之间，第一电压源Vs通过电容C2连接于MOS管Q3的栅极，MOS管Q2的漏极连接于第一MOS管Q1的源极，MOS管Q2的源极接参考地。/n

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于：包括第一电压源Vs、第二电压源VCC、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D5、分压电容C2和电容C4，第二电压源VCC电联接二极管D5的阳极，二极管D5的阴极连接MOS管Q3的漏极，MOS管Q3的源极连接MOS管Q1的栅极，电容C4连接于MOS管Q3的漏极和MOS管Q1的源极之间，第一电压源Vs通过电容C2连接于MOS管Q3的栅极，MOS管Q2的漏极连接于第一MOS管Q1的源极，MOS管Q2的源极接参考地。


2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：还包括一分压电路，所述分压电路的分压点与MOS管Q3的栅极连接。


3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于：所述分压电路包含电阻R2，电阻R2的一端作为分压电路的分压点与MOS管Q3的栅极连接，电阻R2另一端连接第一电压源Vs。

【专利技术属性】
技术研发人员：贾宇锋，蔡嘉齐，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44