高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，包括：金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料；所述金属框架设有一凹陷部；金属框架上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有MOS芯片；MOS芯片与金属框架上的相应焊垫通过凸件连接；在MOS芯片的背面贴装有金属散热片；金属散热片与MOS芯片背面的漏极相连；在金属框架凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片；控制芯片通过金属线与金属框架上相应焊垫连接；在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料；本实用新型专利技术MOS芯片大功率输出时电性能更优，散热效果更好。

Packaging structure of high power MOS chip and control chip

【技术实现步骤摘要】
高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构
本技术属于集成电路封装
，尤其是一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构。
技术介绍
现有的MOS芯片与控制芯片的组合堆叠结构，需要借助于胶膜堆叠结构，参见图1；1.先将MOS芯片在基板或框架上进行装片；2.然后对MOS芯片进行焊金属线作业；3.将磨划好的带胶膜的控制芯片进行装片，胶膜覆盖MOS芯片上连接的金属线；4.对控制芯片焊金属线；5.最后通过塑封料包封以保护产品结构。目前已有的可实现MOS芯片与控制芯片堆叠的技术中，有如下缺点：1）MOS芯片栅极需要大功率输出时，焊接的金属线电性能不佳；2）MOS芯片需要散热时，基板或金属框架达不到MOS芯片的散热需要。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，以及相应的封装方法，使得组合封装结构中的MOS芯片大功率输出时电性能更优，加厚了MOS芯片散热通道，散热效果更好。本技术采用的技术方案是：一种高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，包括：金属框架(1)、MOS芯片(4)、金属散热片(6)、控制芯片(8)、金属线(9)、塑封料(10)；/n所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；/n在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中倒装焊接有MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；在MOS芯片(4)的背面贴装有金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；/n在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片(8)；控制芯片(8)通过金属线(9)...

【技术特征摘要】
1.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，包括：金属框架(1)、MOS芯片(4)、金属散热片(6)、控制芯片(8)、金属线(9)、塑封料(10)；
所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；
在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中倒装焊接有MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；在MOS芯片(4)的背面贴装有金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；
在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片(8)；控制芯片(8)通过金属线(9)与金属框架(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷炯，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32