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本实用新型提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，包括：金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料；所述金属框架设有一凹陷部；金属框架上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有M...该专利属于无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。