一种低介电聚酰亚胺电路板制造技术

本发明专利技术提供的一种低介电聚酰亚胺电路板，包括以下步骤：将聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；将聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面；热处理进行亚胺化；再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上；将无胶覆铜板半成品置于马弗炉热处理50～80min，即得。本发明专利技术提供的聚酰亚胺电路板介电常数低、吸湿率低、铜剥离强度高，性能优异。

A low dielectric polyimide circuit board

【技术实现步骤摘要】
一种低介电聚酰亚胺电路板
本专利技术涉及材料领域，特别涉及一种低介电聚酰亚胺电路板。
技术介绍
微电子封装技术向高速化，轻型化方向发展，要求基板材料具有较低的介电常数，金属布线材料的电阻率低，抗电迁移能力高，聚酰亚胺的介电常数低，柔性好，抗电能力强，耐高温，因此，聚酰亚胺基本上是理想的电子封装用基板，在民用电子器件产品，通讯器件中得到广泛的应用。聚酰亚胺是指主链上含有酰亚胺环(-CO-NH-CO-)的一类聚合物，其中以含有酞酰亚胺结构的聚合物最为重要。聚酰亚胺是综合性能最佳的有机高分子材料之一，具有耐高温、低介电常数、耐腐蚀等优点，其耐高温性能达到400℃以上，长期使用温度范围为-200～300℃，具有很高的绝缘性能。聚酰亚胺作为一种特种工程材料，已广泛应用在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域，并成为一种综合性能优异的不可替代的功能性材料。聚酰亚胺（PI）具有优异的耐热性、良好的机械性能、稳定的化学性能、优良的介电性能、无毒、耐辐照等性能，而且制备工艺相对简单，综合性能优良，正受到越来越多的重视。然而，目前的聚酰亚胺电路板仍然不能满足更高的要求。
技术实现思路
技术问题：为了解决现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种低介电聚酰亚胺电路板。技术方案：本专利技术提供的一种低介电聚酰亚胺电路板，包括以下步骤：（1）将聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；（2）选择厚度在8～80μm的、经粗化处理的压延铜箔，在惰性气体保护下，将步骤（1）得到的聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面；在氮气保护烘箱中，在80℃、120℃、185℃、220℃～260℃、350℃～380℃下各进行5-10min的阶段性热处理进行亚胺化；（3）再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上，得半成品，加热至290～320℃层压；（4）将步骤（3）得到的无胶覆铜板半成品置于马弗炉中，加热至390～420℃，惰性气体保护下处理50～80min，即得低介电聚酰亚胺电路板；其中，所述聚酰亚胺的结构式如式V所示：。作为改进，所述聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：（1）式VI所示的化合物与式VII所示的化合物反应，得式VIII所示的中间体；（2）VIII所示的中间体反应，得式V所示的化合物；反应式如下：。作为改进，所述聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：（1）在氮气保护和一定温度条件下，式VI所示的化合物与式VII所示的化合物在有机溶剂中搅拌反应，得式VIII所示的中间体；（2）加入脱水剂和催化剂，VIII所示的中间体于一定温度下继续搅拌反应，清洗，过滤，烘干，得式V所示的化合物。步骤（1）中，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺或N，N-二甲基甲酰胺的一种；反应温度为5-25℃。步骤(2)中，所述脱水剂为三氟乙酸酐、乙酸酐、氯化亚砜或有机硅化合物的一种或几种的混合物；脱水剂与化合物VII的摩尔比为3:1～5:1。步骤(2)中，所述催化剂为三乙胺或吡啶中的一种或两种混合，催化剂与化合物VII的摩尔比为2:1～4:1。步骤(2)中，反应温度为40～60℃。有益效果：本专利技术提供的聚酰亚胺电路板介电常数低、吸湿率低、铜剥离强度高，性能优异。具体实施方式下面对本专利技术作出进一步说明。实施例1聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：（1）在氮气保护和一定温度条件下，式VI所示的化合物与式VII所示的化合物在有机溶剂中搅拌反应，得式VIII所示的中间体；所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮；反应温度为15℃；（2）加入脱水剂和催化剂，VIII所示的中间体于一定温度下继续搅拌反应，清洗，过滤，烘干，得式V所示的化合物；所述脱水剂为三氟乙酸酐；脱水剂与化合物VII的摩尔比为4:1；所述催化剂为三乙胺，催化剂与化合物VII的摩尔比为3:1；反应温度为50℃。实施例2聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：（1）在氮气保护和一定温度条件下，式VI所示的化合物与式VII所示的化合物在有机溶剂中搅拌反应，得式VIII所示的中间体；所述有机溶剂为N，N-二甲基乙酰胺；反应温度为5℃；（2）加入脱水剂和催化剂，VIII所示的中间体于一定温度下继续搅拌反应，清洗，过滤，烘干，得式V所示的化合物；所述脱水剂为乙酸酐；脱水剂与化合物VII的摩尔比为5:1；所述催化剂为吡啶，催化剂与化合物VII的摩尔比为4:1；反应温度为40℃。实施例3聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：（1）在氮气保护和一定温度条件下，式VI所示的化合物与式VII所示的化合物在有机溶剂中搅拌反应，得式VIII所示的中间体；所述有机溶剂为N，N-二甲基甲酰；反应温度为25℃；（2）加入脱水剂和催化剂，VIII所示的中间体于一定温度下继续搅拌反应，清洗，过滤，烘干，得式V所示的化合物；所述脱水剂为氯化亚砜；脱水剂与化合物VII的摩尔比为3:1；所述催化剂为三乙胺，催化剂与化合物VII的摩尔比为2:1；反应温度为60℃。实施例4低介电聚酰亚胺电路板的制备方法，包括以下步骤：（1）将实施例1的聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；导热填料为碳化硅。聚酰亚胺胶液中聚酰亚胺的重量百分比为16％，聚酰亚胺胶液中填料的重量百分比为8％。（2）选择厚度在50μm的、经粗化处理的压延铜箔，在惰性气体保护下，将步骤（1）得到的聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面，聚酰亚胺胶液涂覆层的厚度为8～15μm；在氮气保护烘箱中，在80℃、120℃、185℃、220℃～260℃、350℃～380℃下各进行8min的阶段性热处理进行亚胺化；（3）再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上，得半成品，加热至305℃层压；层压压力为25Mpa，层压时间为75min；（4）将步骤（3）得到的无胶覆铜板半成品置于马弗炉中，加热至405℃，惰性气体保护下处理65min，即得聚酰亚胺挠性覆铜板。实施例5低介电聚酰亚胺电路板的制备方法，包括以下步骤：（1）将实施例2的聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；导热填料为氧化铝。聚酰亚胺胶液中聚酰亚胺的重量百分比为12％，聚酰亚胺胶液中填料的重量百分比为5％。（2）选择厚度在50μm的、经粗化处理的压延铜箔，在惰性气体保护下，将步骤（1）得到的聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面，聚酰亚胺胶液涂覆层的厚度为8～15μm；在氮气保护烘箱中，在80℃、120℃、185℃、220℃～260℃、350℃～380℃下各进行5min的阶段性热处理进行亚胺化；（3）再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上，得半成品，加热至290℃层压；层压压力为27M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电聚酰亚胺电路板，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）将聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；/n（2）选择厚度在 8～80μm的、经粗化处理的压延铜箔，在惰性气体保护下，将步骤（1）得到的聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面；在氮气保护烘箱中，在 80℃、120℃、185℃、220℃～260℃、350℃～380℃下各进行5-10min的阶段性热处理进行亚胺化；/n（3）再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上，得半成品，加热至290～320℃层压；/n（4）将步骤（3）得到的无胶覆铜板半成品置于马弗炉中，加热至390～420℃，惰性气体保护下处理50～80min，即得低介电聚酰亚胺电路板；/n其中，所述聚酰亚胺的结构式如式V所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种低介电聚酰亚胺电路板，其特征在于：包括以下步骤：
（1）将聚酰亚胺、导热填料加入到二甲基甲酰胺中，搅拌使混匀，得聚酰亚胺胶液；
（2）选择厚度在8～80μm的、经粗化处理的压延铜箔，在惰性气体保护下，将步骤（1）得到的聚酰亚胺胶液涂覆到一片铜箔的粗糙面；在氮气保护烘箱中，在80℃、120℃、185℃、220℃～260℃、350℃～380℃下各进行5-10min的阶段性热处理进行亚胺化；
（3）再将另一片大小相同的铜箔覆盖在聚酰亚胺胶液上，得半成品，加热至290～320℃层压；
（4）将步骤（3）得到的无胶覆铜板半成品置于马弗炉中，加热至390～420℃，惰性气体保护下处理50～80min，即得低介电聚酰亚胺电路板；
其中，所述聚酰亚胺的结构式如式V所示：

。


2.根据权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺电路板，其特征在于：所述聚酰亚胺的制备方法，包括以下步骤：
（1）式VI所示的化合物与式VII所示的化合物反应，得式VIII所示的中间体；
（2）VIII所示的中间体反应，得式V所示的化合物；
反应式如下：

。


3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤学妹，徐勇，陈坚，
申请(专利权)人：南京中鸿润宁新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32