废气的减压除害装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够使稀释用的氮气的使用极小化、能量的利用效率和经济性优异的废气的除害装置。即，本发明专利技术的废气的减压除害装置具有反应筒(16)，该反应筒(16)将经由真空泵(14)从废气产生源(12)供给的废气(E)在形成于其内部的废气处理空间(16a)中通过电热加热器(18)或等离子体加热或激发而进行分解和/或反应处理。在该反应筒(16)的废气出口(20)侧连接有从上述真空泵(14)的排气口到上述反应筒(16)的内部进行减压的后级真空泵(22)。由水封泵构成该后级真空泵(22)，并且设置用清洗水(W)对上述反应筒(16)的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件(24)。然后，将从该水洗部件(24)供给的清洗水(W)作为上述后级真空泵(22)的密封水。

Pressure reducing and killing device for waste gas

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】废气的减压除害装置
本专利技术主要涉及适合于从电子产业的制造工艺排出的可燃性气体、有毒气体、温室效应气体等有害的废气的处理的废气的除害装置。
技术介绍
在制造半导体、液晶等的电子产业中，使用氮化硅膜CVD、氧化硅膜CVD、氮氧化硅膜CVD、TEOS氧化膜CVD、高介电常数膜CVD、低介电常数膜CVD及金属膜CVD等各种CVD工艺。其中，例如在硅类薄膜的形成中，使用主要使用了具有爆炸性、毒性的硅烷类气体的CVD法。该CVD法中使用的包含上述硅烷类气体的工艺气体在CVD工艺中被使用后，作为废气在下述专利文献1所记载那样的除害装置中被无害化，但以往以来，在该除害装置的近前，为了将废气中的硅烷类气体稀释至爆炸界限以下而投入了大量的稀释用氮气。在此，在典型的氮氧化硅膜CVD中使用SiH4/NH3/N2O＝1slm/10slm/10slm(slm；standardliterperminute，1atm、以升表示0℃时的每1分钟的流量的单位)，但由于SiH4的爆炸范围为1.3％～100％，因此从CVD工艺排出的这样的气体需要立即用稀释用氮气稀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种废气的减压除害装置，是具备反应筒(16)和后级真空泵(22)的废气(E)的减压除害装置，/n该反应筒(16)将经由真空泵(14)从废气产生源(12)供给的废气(E)在形成于所述反应筒(16)的内部的废气处理空间(16a)中通过电热加热器(18)或等离子体进行加热或激发而进行分解和/或反应处理；/n该后级真空泵(22)与所述反应筒(16)的废气出口(20)侧连接，从所述真空泵(14)的排气口到所述反应筒(16)的内部进行减压，/n其特征在于，/n由水封泵构成所述后级真空泵(22)，并且设置用清洗水(W)对所述反应筒(16)的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件(24)，/n将从所述水洗部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170524 JP 2017-1027111.一种废气的减压除害装置，是具备反应筒(16)和后级真空泵(22)的废气(E)的减压除害装置，
该反应筒(16)将经由真空泵(14)从废气产生源(12)供给的废气(E)在形成于所述反应筒(16)的内部的废气处理空间(16a)中通过电热加热器(18)或等离子体进行加热或激发而进行分解和/或反应处理；
该后级真空泵(22)与所述反应筒(16)的废气出口(20)侧连接，从所述真空泵(14)的排气口到所述反应筒(16)的内部进行减压，
其特征在于，
由水封泵构成所述后级真空泵(22)，并且设置用清洗水(W)对所述反应筒(16)的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件(24)，
将从所述水洗部件(24)供给到所述反应筒(16)的废气流路的下游端侧的清洗水(W)作为所述后级真空泵(22)的密封水。


2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田昌志，吉田哲久，柳泽道彦，塚田勉，今村启志，
申请(专利权)人：北京康肯环保设备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11