一种半导体整流设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体整流设备，包括掺杂有第一导电类型的衬底；设置在衬底的底表面上的第二电极；在衬底上限定的有源区域和场区域；设置在有源区域中的栅极；栅极绝缘体设置在栅极和衬底之间的薄膜，设置在衬底上的与栅极的第一侧和第二侧相邻，彼此面对并且掺杂有不同于第一导电类型的第二导电类型掺杂剂的主体区域和第二导电类型插塞在邻近栅极的第三和第四侧的衬底上形成的区域，连接第一和第二侧。

A semiconductor rectifier

【技术实现步骤摘要】
一种半导体整流设备
本专利技术涉及半导体器件
，更具体地，涉及半导体整流器器件。
技术介绍
高压大功率半导体整流器被广泛用作电源供应器和电源转换器。pn结二极管的漏电流小，特别是高温下的可靠性高。然而，由于-0.7V的高正向电压和使用少量载流子的电流传导特性，pn结二极管的开关速度较低，例如反向恢复时间。相反，肖特基二极管由于使用适当的金属电极，因此具有低的正向电压和使用大量载流子的导电特性，从而具有较小的反向恢复时间。然而，由于肖特基二极管在截止状态下具有大的漏电流，并且在高温下金属和半导体之间的接触部分的可靠性变差，美国专利美国专利第5,818,084号（RKWilliams等人）公开了一种整流二极管结构，其中通过同时连接漏极，栅极和主体并在金属氧化物半导体领域中将源极用作阴极来形成阳极。效应晶体管（MOSFET）结构。在上述的整流二极管中，由于具有比通常的MOS连接二极管低的导通电压，该MOS连接二极管通过连接漏极和栅极而形成阳极，并且通过连接源极和本体而形成阴极，并具有大量的导电特性。载流子，反向恢复时间比pn二极管的恢复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流器装置，包括：掺杂有第一导电类型的衬底，该衬底具有有源区和场区；基板的底面上的第二电极；有源区上的栅极；栅极和基板之间的栅极绝缘膜；衬底中与栅极的第一侧和第二侧相邻的彼此相对的主体区域，主体区域掺杂有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；和在衬底中的第二导电类型插塞区域，其邻近栅极的第三和第四侧，连接第一和第二侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种整流器装置，包括：掺杂有第一导电类型的衬底，该衬底具有有源区和场区；基板的底面上的第二电极；有源区上的栅极；栅极和基板之间的栅极绝缘膜；衬底中与栅极的第一侧和第二侧相邻的彼此相对的主体区域，主体区域掺杂有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；和在衬底中的第二导电类型插塞区域，其邻近栅极的第三和第四侧，连接第一和第二侧。


2.根据权利要求1所述的整流器装置，其中，所述主体区域包括在所述第一主体区域的底表面上的第一主体区域和第二主体区域。


3.根据权利要求1所述的整流器装置，其中，所述插头区域被掺杂为比所述主体区域更高的杂质浓度。


4.根据权利要求1所述的整流器装置，其中，所述插头区域与所述栅极的第三侧和第四侧重...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙昊，
申请(专利权)人：徐州科奥电气有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32