The invention discloses a flexible organic nonvolatile storage device for preparing a lanthanum oxide dielectric layer based on a solution method, which comprises a flexible Muscovite substrate and a gold bottom electrode, an insulating layer, a storage layer of poly (\u03b1 - methylstyrene), an active layer of pentacene and a gold source and drain electrode successively stacked on the substrate, and the insulating layer is a lanthanum oxide film. Furthermore, the preparation of lanthanum oxide thin film for insulating layer by solution method has the advantages of simple process, low cost and low energy consumption. The preparation temperature of lanthanum oxide thin film as insulating layer can be as low as 120 \u2103, and the lanthanum oxide insulating layer prepared at low temperature can not only reduce the leakage current of the device, but also make the storage device show excellent storage performance, the operating voltage can be as low as \u2011 7V, and the writing speed is fast (10 0 \u03bc s), especially under the condition of ultraviolet irradiation, it has a good response to light, and can be used in the field of optical sensing technology. At the same time, its ultra-low working voltage characteristics make it have a better application prospect.
【技术实现步骤摘要】
一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法和应用
本专利技术属于柔性有机电子学
,特别公开了一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法和应用。
技术介绍
与传统的硅基电子器件相比,柔性有机电子器件具有质量轻、可低温集成、可柔性和可任意形状大面积制造等优点,如今采用有机场效应晶体管(OFET)驱动的柔性显示屏、柔性电子纸、柔性有机非易失性存储器以及射频标签等产品逐渐在市场上推广,表明有机场效应晶体管有着巨大的应用潜力。近年来,基于聚合物驻极体型OFET存储器的领域,学术界也取得了长足的进展。非易失性有机场效应晶体管存储器具有制备工艺简单、成本低、设计性强、非破坏性读取、可与柔性衬底集成、单个器件可以实现多阶存储等优点而备受广泛的关注。但是目前OFET存储器的性能仍不能满足市场商业存储器的需求,这限制它们的实际应用。总的来说,还面临着以下不可忽视的挑战:工作电压高;擦写速度慢;保持特性差;可靠性差等。而器件中的绝缘层是OFET存储器中控制存储性能的关键元件,其直接影响OFET存储器的稳定性和保持特性。因此,设计和制造低成本高质量的绝缘层对实现高性能OFET存储器具有重要意义。由于器件中的绝缘层材料一般选用电介质,介电常数较大的介电层材料能够降低器件的驱动电压和提高器件工作的开态电流。再者,由于溶液法具有制备工艺简单、可大面积加工、材料来源众多、制备成本低廉等优点,获得了广泛的关注与研究。因此,寻找可溶液法低温制备的高介电常数的绝缘材 ...
【技术保护点】
1.一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,包括柔性白云母衬底和在衬底上依次层叠的金底电极、绝缘层、存储层聚α-甲基苯乙烯、有源层并五苯和金源漏电极,所述绝缘层为氧化镧薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,包括柔性白云母衬底和在衬底上依次层叠的金底电极、绝缘层、存储层聚α-甲基苯乙烯、有源层并五苯和金源漏电极,所述绝缘层为氧化镧薄膜。
2.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,步骤S1中,金底电极的厚度为20~50nm。
3.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,存储层聚α-甲基苯乙烯的厚度为10~20nm。
4.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,金源漏电极的厚度为40~60nm。
5.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,所述白云母衬底的厚度为5~10μm。
6.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,所述有源层并五苯的厚度为30~50nm。
7.根据权利要求1所述基于溶液法制备氧化镧介电层的柔性有机非易失性存储器件,其特征在于,所述氧化镧薄膜采用溶液法低温制备,方法如下:乙酰丙酮镧水合物作为溶质,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在手套箱内按0.05M的浓度配比制备出初步的混合溶液,然后在室温环境下依次进行通氧处理、密封包装、80~95...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆旭兵,何宛兒,邹正淼,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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