一种晶圆研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆研磨装置，包括：研磨机构；导向轮，导向轮上形成有导向槽，晶圆的边缘可旋转地置于导向槽中；止抵组件包括两个止抵件、两个辊杆和两个静压阀，两个止抵件相对设置在晶圆的两侧且止抵晶圆的表面，两个止抵件在晶圆的轴向方向上可移动，每个辊杆的一端分别与对应的止抵件相连，静压阀内限定有腔室，腔室中设有可移动的阀塞以将腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个辊杆的另一端与阀塞连接，辊杆可沿长度方向移动；稳压装置控制第一腔室中的压力等于预设压力值；检测器根据止抵件或辊杆的位移检测晶圆的厚度。本发明专利技术的研磨装置能够对晶圆导向，防止晶圆出现振动或偏移，检测晶圆厚度，使晶圆能够研磨至厚度均匀，去除损伤层。

A wafer grinding device

The invention provides a wafer grinding device, which comprises a grinding mechanism, a guide wheel, on which a guide groove is formed, and the edge of the wafer is rotatably placed in the guide groove; the stop assembly includes two stop pieces, two roll rods and two static pressure valves, two stop pieces are relatively arranged on both sides of the wafer and stop on the surface of the wafer, and two stop pieces are movable in the axial direction of the wafer One end of each roll bar is respectively connected with the corresponding check piece, and a chamber is defined in the static pressure valve, and a movable valve plug is arranged in the chamber to define the chamber as a first chamber and a second chamber, and the other end of each roll bar is connected with the valve plug, and the roll bar can move along the length direction; the pressure in the first chamber is controlled by the pressure stabilizing device to be equal to the preset pressure value; the detector according to the check piece or roll The displacement of the rod detects the thickness of the wafer. The grinding device of the invention can guide the wafer, prevent the wafer from vibration or offset, detect the thickness of the wafer, make the wafer grind to uniform thickness and remove the damaged layer.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆研磨装置
本专利技术涉及晶圆的加工领域，具体涉及一种晶圆研磨装置。
技术介绍
通常，线切割结束的晶圆存在厚度偏差，由于线切割中使用的SiC研磨料，晶圆的表面残留有损伤层。就研磨料与研磨工程同时自由地运动而发生的加工而言，晶圆在加工过程中发生表面的微裂等表面损伤，晶圆研磨过程中，如图1中，研磨粒3在研磨板2的作用下研磨晶圆1，如图2中，用砂轮5来研磨晶圆4，晶圆研磨后晶圆的表面存在厚度偏差或损伤层，为了减小晶圆的厚度偏差或去除表面的损伤层，通过研磨工程及表面粗磨工程来实现。但是，就研磨工程而言，每单位时间的材料去除率低，为了执行研磨工程需要准备研磨浆料等本作业以外的准备工程耗费大量时间，为了在研磨工程之后去除粘附于晶圆表面的研磨浆料，需要具备额外的清洗装备，工序复杂，研磨效率不高，在研磨过程中，晶圆易出现振动或偏移使得研磨出现偏差，导致晶圆的厚度不均匀，存在厚度差，晶圆的加工研磨质量降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种晶圆研磨装置，用以解决晶圆研磨过程中需要研磨浆料，晶圆易振动或偏移，晶圆的厚度加工不均匀，加工效率低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术实施例的晶圆研磨装置，包括：研磨机构，用于研磨晶圆；导向轮，所述导向轮上形成有沿周向方向延伸的导向槽，所述晶圆的边缘可旋转地置于所述导向槽中且止抵所述导向槽的内侧壁；至少一组止抵组件，所述止抵组件包括：两个止抵件，两个所述止抵件相对设置在所述晶圆的两侧且分别止抵所述晶圆的表面，两个止抵件在所述晶圆的轴向方向上可移动，所述晶圆在两个所述止抵件之间可旋转；两个辊杆，每个所述辊杆的一端分别与对应的所述止抵件相连；两个静压阀，所述静压阀内限定有腔室，所述腔室中设有可移动的阀塞以将所述腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个所述辊杆的另一端分别伸入对应的所述静压阀内的所述第二腔室中与所述阀塞连接，当所述止抵件承受的压力与所述静压阀内的所述第一腔室中的压力不相等时，所述辊杆沿长度方向移动；稳压装置，所述稳压装置与所述静压阀的第一腔室连通以控制所述第一腔室中的压力等于预设压力值；检测器，所述检测器根据所述止抵件或所述辊杆移动的位移来检测所述晶圆的厚度。其中，所述研磨机构包括：可旋转的研磨轮，所述研磨轮上设有沿周向方向延伸的研磨槽。其中，所述研磨机构还包括：第一电机，所述第一电机与所述研磨轮相连以驱动所述研磨轮旋转。其中，所述导向轮包括多个，多个所述导向轮沿所述晶圆的周向间隔开分布。其中，所述导向轮可旋转并驱动所述晶圆旋转。其中，还包括第二电机，所述第二电机与所述导向轮相连以驱动所述导向轮旋转。其中，所述导向轮为聚氨酯树脂材质件。其中，所述止抵组件还包括：两个弹簧，每个所述辊杆上分别套设一个所述弹簧且所述弹簧的一端与所述静压阀连接，所述弹簧的另一端与所述止抵件连接，所述止抵件移动时能够压缩或拉伸所述弹簧，所述检测器根据所述弹簧的位移来检测所述晶圆的厚度。其中，所述晶圆研磨装置包括四组所述止抵组件，四组所述止抵组件中的所述止抵件在所述晶圆的表面间隔开设置。其中，所述稳压装置包括：电磁阀，所述电磁阀的出口与所述第一腔室连通；流体装置，所述流体装置与所述电磁阀的进口连通；控制器，所述控制器与所述电磁阀连接并控制所述电磁阀的导通或关闭以使所述第一腔室中的压力等于预设压力值。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：根据本专利技术实施例的晶圆研磨装置，晶圆的边缘可旋转地置于导向槽中，导向轮的导向槽能够对晶圆进行导向，防止晶圆旋转研磨时出现振动或偏移，晶圆研磨不需要研磨浆料，简化工序，两个止抵件相对设置在晶圆的两侧且分别止抵晶圆的表面，两个止抵件在晶圆的轴向方向上可移动，晶圆在两个止抵件之间可旋转，当止抵件承受的压力与静压阀内的第一腔室中的压力不相等时，辊杆沿长度方向移动，检测器根据止抵件或辊杆移动的位移来检测晶圆的厚度，能够时刻检测晶圆的厚度，使得晶圆能够研磨至厚度均匀，去除晶圆表面的损伤，减小晶圆的厚度偏差，提高晶圆的加工质量。附图说明图1为研磨晶圆时的一个示意图；图2为研磨晶圆时的另一个示意图；图3为本专利技术实施例的晶圆研磨装置的一个结构示意图；图4为本专利技术实施例的晶圆研磨装置的另一个结构示意图；图5为本专利技术实施例的晶圆研磨装置中的静压阀与辊杆连接的一个示意图。附图标记导向轮10；第二电机11；止抵件20；辊杆21；静压阀22；第一腔室23；第二腔室24；阀塞25；弹簧26；晶圆30；研磨轮40；电磁阀50；流体装置51；控制器52。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图具体描述根据本专利技术实施例的晶圆研磨装置。如图3至图5所示，根据本专利技术实施例的晶圆研磨装置包括研磨机构、导向轮10、至少一组止抵组件、稳压装置和检测器。具体而言，研磨机构用于研磨晶圆30；导向轮10上形成有沿周向方向延伸的导向槽，晶圆30的边缘可旋转地置于所述导向槽中且止抵所述导向槽的内侧壁；止抵组件包括两个止抵件20、两个辊杆21和两个静压阀22，止抵件20可以为片状，两个止抵件20相对设置在晶圆30的两侧且分别止抵晶圆30的表面，两个止抵件在晶圆30的轴向方向上可移动，晶圆30在两个止抵件20之间可旋转，辊杆21可以为陶瓷材料，每个辊杆21的一端分别与对应的止抵件20相连，静压阀22内限定有腔室，所述腔室中设有可移动的阀塞以将所述腔室限定成第一腔室23和第二腔室24，每个辊杆21的另一端分别伸入对应的静压阀22内的第二腔室24中与阀塞25连接，当止抵件20承受的压力与静压阀22内的第一腔室23中的压力不相等时，辊杆21沿长度方向移动；稳压装置与静压阀22的第一腔室连通以控制第一腔室23中的压力等于预设压力值；检测器根据止抵件20或辊杆21移动的位移来检测晶圆30的厚度。也就是说，晶圆研磨装置主要由研磨机构、导向轮10、至少一组止抵组件、稳压装置和检测器构成。研磨机构可以用于研磨晶圆30，研磨机构还可以包括用于承载晶圆的承载台和用于研磨晶圆的研磨结构；导向轮10可以具有多个，比如四个，导向轮10上可以形成有沿导向轮10的周向方向延伸的导向槽，晶圆30的边缘可旋转地置于导向槽中，且晶圆30的边缘可以止抵导向槽的内侧壁，通过导向槽能够对晶圆进行导向，防止晶圆旋转时出现振动或偏移，减小晶圆研磨时的厚度偏差。止抵组件可以包括两个止抵件20、两个辊杆21和两个静压阀22，两个止抵件20相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于，包括：/n研磨机构，用于研磨晶圆；/n导向轮，所述导向轮上形成有沿周向方向延伸的导向槽，所述晶圆的边缘可旋转地置于所述导向槽中且止抵所述导向槽的内侧壁；/n至少一组止抵组件，所述止抵组件包括：/n两个止抵件，两个所述止抵件相对设置在所述晶圆的两侧且分别止抵所述晶圆的表面，两个止抵件在所述晶圆的轴向方向上可移动，所述晶圆在两个所述止抵件之间可旋转；/n两个辊杆，每个所述辊杆的一端分别与对应的所述止抵件相连；/n两个静压阀，所述静压阀内限定有腔室，所述腔室中设有可移动的阀塞以将所述腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个所述辊杆的另一端分别伸入对应的所述静压阀内的所述第二腔室中与所述阀塞连接，当所述止抵件承受的压力与所述静压阀内的所述第一腔室中的压力不相等时，所述辊杆沿长度方向移动；/n稳压装置，所述稳压装置与所述静压阀的第一腔室连通以控制所述第一腔室中的压力等于预设压力值；/n检测器，所述检测器根据所述止抵件或所述辊杆移动的位移来检测所述晶圆的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于，包括：
研磨机构，用于研磨晶圆；
导向轮，所述导向轮上形成有沿周向方向延伸的导向槽，所述晶圆的边缘可旋转地置于所述导向槽中且止抵所述导向槽的内侧壁；
至少一组止抵组件，所述止抵组件包括：
两个止抵件，两个所述止抵件相对设置在所述晶圆的两侧且分别止抵所述晶圆的表面，两个止抵件在所述晶圆的轴向方向上可移动，所述晶圆在两个所述止抵件之间可旋转；
两个辊杆，每个所述辊杆的一端分别与对应的所述止抵件相连；
两个静压阀，所述静压阀内限定有腔室，所述腔室中设有可移动的阀塞以将所述腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个所述辊杆的另一端分别伸入对应的所述静压阀内的所述第二腔室中与所述阀塞连接，当所述止抵件承受的压力与所述静压阀内的所述第一腔室中的压力不相等时，所述辊杆沿长度方向移动；
稳压装置，所述稳压装置与所述静压阀的第一腔室连通以控制所述第一腔室中的压力等于预设压力值；
检测器，所述检测器根据所述止抵件或所述辊杆移动的位移来检测所述晶圆的厚度。


2.根据权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述研磨机构包括：
可旋转的研磨轮，所述研磨轮上设有沿周向方向延伸的研磨槽。


3.根据权利要求2所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述研磨机构还包括：
第一电机，所述第一电机与所述研磨轮相连以驱动所述研磨轮旋转。

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【专利技术属性】
技术研发人员：姜镕，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61