成膜装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于，通过溅射法简单地变更基板上的层组成。成膜装置具备真空容器、基板输送机构、成膜源和控制部。上述真空容器能够维持减压状态。上述基板输送机构能够在上述真空容器内输送基板。上述成膜源具有与上述基板对置且沿着上述基板的输送方向配置的第一靶和第二靶。上述第一靶的材料与上述第二靶的材料不同。通过向上述第一靶与上述第二靶之间施加频率为长波段的交流电压而产生等离子体，由此能够在上述基板形成由上述第一靶的上述材料与上述第二靶的上述材料混合而成的层。上述控制部能够改变上述交流电压的占空比。

Film forming device and method

The subject of the invention is to simply change the layer composition on the substrate by sputtering. The film forming device is provided with a vacuum container, a substrate conveying mechanism, a film forming source and a control unit. The vacuum vessel can maintain the state of decompression. The substrate conveying mechanism can transport the substrate in the vacuum vessel. The film-forming source has a first target and a second target opposite to the substrate and configured along the transport direction of the substrate. The material of the first target is different from that of the second target. The plasma is generated by applying a long band AC voltage between the first target and the second target, so that a layer formed by mixing the materials of the first target and the materials of the second target can be formed on the substrate. The control unit can change the duty cycle of the AC voltage.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置及成膜方法
本专利技术涉及成膜装置及成膜方法。
技术介绍
ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)层等透明导电层被用于显示器、太阳能电池、触摸面板等电子器件(例如，参照专利文献1)。作为透明导电层的成膜方法，存在有以CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法为代表的化学制作方法和以溅射法为代表的物理制作方法。CVD法例如有时难以适用于耐热性低的基板，有时废气的处理花费时间。另一方面，溅射法能够应用于耐热性低的基板，通过向真空容器中导入氧，可以将其组成调整成最佳。而且，溅射法也能够应用于大型基板。因此，在上述电子器件设置透明导电层的情况下，多数采用溅射法。并且，在透明导电层中，根据电子器件的用途，有时会要求组成的变更。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5855948号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，在采用溅射法的情况下，靶材的组成已经固定。因此，形成在基板上的层的组成无法简单地变更。为了变更该层的组成，需要分别准备与各个层组成对应的靶材。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种在通过溅射法在基板上形成层的情况下，能够简单地变更该层的组成的成膜装置及成膜方法。用于解决问题的手段为了实现上述目的，本专利技术的一个方式涉及的成膜装置具备真空容器、基板输送机构、成膜源和控制部。上述真空容器能够维持减压状态。上述基板输送机构能够在上述真空容器内输送基板。上述成膜源具有与上述基板对置且沿着上述基板的输送方向配置的第一靶和第二靶。上述第一靶的材料与上述第二靶的材料不同。通过向上述第一靶与上述第二靶之间施加频率为长波段的交流电压而产生等离子体，由此能够在上述基板形成由上述第一靶的上述材料和上述第二靶的上述材料混合而成的层。上述控制部能够改变上述交流电压的占空比。根据这样的成膜装置，通过改变施加于上述第一靶与上述第二靶之间且频率为长波段的上述交流电压的上述占空比，能够简单地改变上述层中的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比。在上述成膜装置中，上述第一靶的电阻率可以与上述第二靶的电阻率不同。根据这样的成膜装置，在上述层中，能够简单地改变电阻率不同的上述第一靶与上述第二靶的混合比。在上述成膜装置中，上述第一靶的溅射率可以与上述第二靶的溅射率不同。根据这样的成膜装置，在上述层中，即使上述第一靶和上述第二靶各自的溅射率不同，通过改变上述占空比，也能够形成均匀地包含上述第一靶和上述第二靶的层。在上述成膜装置中，上述频率可以为10kHz以上且100kHz以下。根据这样的成膜装置，通过对上述第一靶与上述第二靶之间施加10kHz以上且100kHz以下的频带的上述交流电压，能够适当地改变上述层中的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比。在上述成膜装置中，上述第一靶和上述第二靶分别可以构成为圆筒形，上述第一靶和上述第二靶各自的中心轴可以与上述基板的输送方向交叉，上述第一靶和上述第二靶分别可以构成为能够以各自的上述中心轴为轴进行旋转。根据这样的成膜装置，即使上述基板为大型，上述基板的面内方向上的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比也变得更均匀。在上述成膜装置中，上述成膜源还可以具有：第一磁路，其配置在上述第一靶的内部；以及第二磁路，其配置在上述第二靶的内部。上述第一磁路与上述第一靶对置的朝向以及上述第二磁路与上述第二靶对置的朝向可以构成为可变。根据这样的成膜装置，通过上述磁路，在各个上述靶附近补充的等离子体的位置可变，从而能够改变从各个上述靶放出的溅射粒子的朝向。为了实现上述目的，本专利技术的一个方式涉及的成膜方法包括：使第一靶以及材料不同于上述第一靶的第二靶与基板对置，并且沿着上述基板的输送方向配置上述第一靶和上述第二靶。在减压气氛下沿上述输送方向输送上述基板的同时，向上述第一靶与上述第二靶之间施加频率为长波段且能够改变占空比的交流电压，由此在上述第一靶与上述第二靶之间产生等离子体。在上述基板形成由上述第一靶的材料和上述第二靶的材料混合而成的层。根据这样的成膜方法，通过改变施加于上述第一靶与上述第二靶之间且频率为长波段的上述交流电压的上述占空比，能够自由地改变上述层中的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比。由此，能够简单地变更形成在上述基板上的上述层的组成。在上述成膜方法中，上述第一靶的电阻率可以与上述第二靶的电阻率不同。根据这样的成膜方法，在上述层中，能够简单地改变电阻率不同的上述第一靶与上述第二靶的混合比。在上述成膜方法中，上述第一靶的溅射率可以与上述第二靶的溅射率不同。根据这样的成膜方法，在上述层中，即使上述第一靶和上述第二靶各自的溅射率不同，通过改变上述占空比，也能够形成均匀此包含上述第一靶和上述第二靶的层。在上述成膜方法中，上述频率可以为10kHz以上且100kHz以下。根据这样的成膜方法，通过对上述第一靶与上述第二靶之间施加10kHz以上且100kHz以下的频带的上述交流电压，能够适当地改变上述层中的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比。在上述成膜方法中，也可以将上述第一靶和上述第二靶分别构成为圆筒形，使上述第一靶和上述第二靶各自的中心轴与上述基板的输送方向交叉，在使上述第一靶和上述第二靶分别以各自的上述中心轴为轴进行旋转的同时在上述第一靶与上述第二靶之间产生上述等离子体。根据这样的成膜方法，即使上述基板为大型，上述基板的面内方向上的上述第一靶的材料与上述第二靶的材料的混合比也变得更均匀。在上述成膜方法中，可以在上述第一靶的内部配置第一磁路，在上述第二靶的内部配置第二磁路，改变上述第一磁路与上述第一靶对置的朝向和上述第二磁路与上述第二靶对置的朝向，使得在上述第一靶与上述第二靶之间产生上述等离子体。根据这样的成膜方法，通过上述磁路，在各个上述靶附近补充的等离子体的位置可变，从而能够改变从各个上述靶放出的溅射粒子的朝向。在上述成膜方法中，可以在上述第一靶和上述第二靶各自的上述溅射率不同的情况下，向上述溅射率低的靶更长地施加上述交流电压。根据这样的成膜方法，能够在基板上形成由第一靶的材料及第二靶的材料分别均匀地混合而成的层。专利技术效果如以上所述，根据本专利技术，提供了一种能够简单地改变通过溅射法形成在基板上的层的组成的成膜装置及成膜方法。附图说明图1为第一实施方式所涉及的成膜装置的概略剖视图。图2为表示第一实施方式所涉及的成膜装置的靶与基板的配置的俯视图。图3为第一实施方式的成膜方法的概略流程。图4的(a)为表示第一实施方式所涉及的成膜装置的动作的概略剖视图，(b)、(c)为表示施加于第一靶和第二靶的矩形波交流电压的时间变化的概略图。图5为表示矩形波交流电压的占空比与层的薄层电阻之间的关系的图表。图6为第一实施方式所涉及的成膜装置的其他动作的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，具备：/n真空容器，其能够维持减压状态；/n基板输送机构，其能够在所述真空容器内输送基板；/n成膜源，其具有与所述基板对置且沿着所述基板的输送方向配置的第一靶和第二靶，所述第一靶的材料与所述第二靶的材料不同，通过向所述第一靶与所述第二靶之间施加频率为长波段的交流电压而产生等离子体，由此能够在所述基板形成由所述第一靶的所述材料和所述第二靶的所述材料混合而成的层；以及/n控制部，其能够改变所述交流电压的占空比。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170403 JP 2017-0735771.一种成膜装置，具备：
真空容器，其能够维持减压状态；
基板输送机构，其能够在所述真空容器内输送基板；
成膜源，其具有与所述基板对置且沿着所述基板的输送方向配置的第一靶和第二靶，所述第一靶的材料与所述第二靶的材料不同，通过向所述第一靶与所述第二靶之间施加频率为长波段的交流电压而产生等离子体，由此能够在所述基板形成由所述第一靶的所述材料和所述第二靶的所述材料混合而成的层；以及
控制部，其能够改变所述交流电压的占空比。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
所述第一靶的电阻率与所述第二靶的电阻率不同。


3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
所述第一靶的溅射率与所述第二靶的溅射率不同。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其中，
所述频率为10kHz以上且100kHz以下。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其中，
所述第一靶和所述第二靶分别构成为圆筒形，
所述第一靶和所述第二靶各自的中心轴与所述基板的输送方向交叉，
所述第一靶和所述第二靶分别构成为能够以各自的所述中心轴为轴进行旋转。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜装置，其中，
所述成膜源还具有：第一磁路，其配置在所述第一靶的内部；以及第二磁路，其配置在所述第二靶的内部，
所述第一磁路与所述第一靶对置的朝向以及所述第二磁路与所述第二靶对置的朝向构成为可变。


7.一种成膜方法，其中，
使第一靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：须田具和，高桥明久，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP