The application provides an image sensor and a production method thereof, the image sensor comprises: forming a semiconductor substrate with a photosensitive element; an insulating structure on the semiconductor substrate; a light shielding film on the insulating structure and partially covering the insulating structure; a filter layer corresponding to the photosensitive element on the insulating structure, and the light shielding film isolated The filter color layer; the passivation layer on the shading film and the filter color layer; the microlens on the passivation layer; wherein, the optical path from the microlens to the insulating structure is also provided with an electromagnetic wave absorption layer. The image sensor and the manufacturing method of the image sensor according to the present application can improve the imaging quality of the image sensor by forming an electromagnetic wave absorption layer in the optical path from the microlens to the insulating structure to avoid the electromagnetic wave entering the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法
本申请涉及半导体制造领域,具体来说,涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展,对高性能图像传感器的需求不断增长,这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。图像传感器通常为两种类型,电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CMOSImageSensors,CIS)。相比于CCD图像传感器,CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。在现在的开口环境中,存在着大量的电磁波,如γ射线,微波等,图像传感器被电磁波辐射会造成介质损耗和缺陷,从而对所述图像传感器的灵敏度、噪声等造成影响。随着图像传感器的结构越来越小,其受到的电磁波的影响也会越来越严重。在背照式图像传感器中,从微透镜到感光元件的光路区没有有效防护电磁波的结构,图像传感器的滤光片无法完全阻挡电磁波进入光电激发区。电磁波进入图像传感器,会对图像传感器的成像质量造成影响。
技术实现思路
本申请提供一种图像传感器及其制作方法,避免电磁波进入图像传感器,以提高所述图像传感器的成像质量。本申请的一方面提供一种图像传感器,包括:形成有感光元件的半导体衬底;位于所述半导体衬底上的绝缘结构;位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜;位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层,所述遮光膜隔 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:/n形成有感光元件的半导体衬底;/n位于所述半导体衬底上的绝缘结构;/n位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜;/n位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层,所述遮光膜隔离所述滤色层;/n位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层;/n位于所述钝化层上的微透镜;/n其中,从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。/n
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
形成有感光元件的半导体衬底;
位于所述半导体衬底上的绝缘结构;
位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜;
位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层,所述遮光膜隔离所述滤色层;
位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层;
位于所述钝化层上的微透镜;
其中,从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。
6.如权利要求1至5...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘强,郭松辉,林宗贤,吴明,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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