图像传感器及其制作方法技术

本申请提供一种图像传感器及其制作方法，所述的图像传感器包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。

Image sensor and its making method

The application provides an image sensor and a production method thereof, the image sensor comprises: forming a semiconductor substrate with a photosensitive element; an insulating structure on the semiconductor substrate; a light shielding film on the insulating structure and partially covering the insulating structure; a filter layer corresponding to the photosensitive element on the insulating structure, and the light shielding film isolated The filter color layer; the passivation layer on the shading film and the filter color layer; the microlens on the passivation layer; wherein, the optical path from the microlens to the insulating structure is also provided with an electromagnetic wave absorption layer. The image sensor and the manufacturing method of the image sensor according to the present application can improve the imaging quality of the image sensor by forming an electromagnetic wave absorption layer in the optical path from the microlens to the insulating structure to avoid the electromagnetic wave entering the image sensor.

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法
本申请涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。图像传感器通常为两种类型，电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)。相比于CCD图像传感器，CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。在现在的开口环境中，存在着大量的电磁波，如γ射线，微波等，图像传感器被电磁波辐射会造成介质损耗和缺陷，从而对所述图像传感器的灵敏度、噪声等造成影响。随着图像传感器的结构越来越小，其受到的电磁波的影响也会越来越严重。在背照式图像传感器中，从微透镜到感光元件的光路区没有有效防护电磁波的结构，图像传感器的滤光片无法完全阻挡电磁波进入光电激发区。电磁波进入图像传感器，会对图像传感器的成像质量造成影响。
技术实现思路
本申请提供一种图像传感器及其制作方法，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。本申请的一方面提供一种图像传感器，包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。在本申请的一些实施例中，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。在本申请的一些实施例中，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。本申请实施例还提供一种图像传感器的制作方法，包括：提供形成有感光元件的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘结构；在所述绝缘结构上形成部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；在所述绝缘结构上形成位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；在所述遮光膜和所述滤色层上形成钝化层；在所述钝化层上形成微透镜，所述方法还包括：在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。在本申请的一些实施例中，所述的电磁波吸收层材料为本征型导电高分子材料。在本申请的一些实施例中，所述的本征型导电高分子材料包括聚吡咯，聚碳酸酯或者聚乙炔中的任意一种或者多种。在本申请的一些实施例中，采用电化学聚合工艺形成所述本征型导电高分子材料。本申请所述的图像传感器及其制作方法，通过在从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中形成电磁波吸收层，避免电磁波进入图像传感器，以提高所述图像传感器的成像质量。本申请中另外的特征将部分地在下面的描述中阐述。通过该阐述，使以下附图和实施例叙述的内容对本领域普通技术人员来说变得显而易见。本申请中的专利技术点可以通过实践或使用下面讨论的详细示例中阐述的方法、手段及其组合来得到充分阐释。附图说明以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本公开的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。在本申请实施例中，附图仅仅示意性的对图像传感器的结构进行描述，并不对构成图像传感器的各部件的具体结构以及具体位置关系做严格的限定，并且，各部件示意图与实际部件的尺寸不一定按比例绘制，且在一些情况下，为了清楚地说明实施例的特征，比例可以被夸大。其中：图1是本申请实施例图像传感器结构示意图。图2是本申请实施例另一图像传感器结构示意图。图2A至图2C为图2所示图像传感器结构制作方法各步骤的结构示意图。图3是本申请实施例又一图像传感器结构示意图。图4是本申请实施例再一图像传感器结构示意图。具体实施方式以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本公开不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。下面结合实施例和附图对本专利技术技术方案进行详细说明。本申请实施例提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括：形成有感光元件的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；位于所述钝化层上的微透镜；其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。在本申请的实施例中，所述电磁波吸收层可以设置在所述图像传感器的不同位置，只需要起到阻挡电磁波进入所述感光元件，并且不影响所述图像传感器的其它成像性能即可，因此，本申请提供多个具体实施例，以说明所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置。根据所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置，所述图像传感器制作方法中形成所述电磁波吸收层的工艺也有所不同，在实施例1-4中，结合所述电磁波吸收层在所述图像传感器中的不同位置，一并阐述其制作工艺。实施例1：下面参考附图1对本申请实施例所述的图像传感器及其制作方法进行进一步的详细说明。所述图像传感器包括：形成有感光元件110的半导体衬底100；位于所述半导体衬底100上的绝缘结构130；位于所述绝缘结构130上的电磁波吸收层140a；位于所述电磁波吸收层140a上并且部分覆盖所述电磁波吸收层140a的遮光膜160；位于所述电磁波吸收层140a上位置对应于所述感光元件110的滤色层150，所述遮光膜160隔离所述滤色层15本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n形成有感光元件的半导体衬底；/n位于所述半导体衬底上的绝缘结构；/n位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；/n位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；/n位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；/n位于所述钝化层上的微透镜；/n其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
形成有感光元件的半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的绝缘结构；
位于所述绝缘结构上并且部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜；
位于绝缘结构上位置对应于所述感光元件的滤色层，所述遮光膜隔离所述滤色层；
位于所述遮光膜和所述滤色层上的钝化层；
位于所述钝化层上的微透镜；
其中，从所述微透镜至所述绝缘结构的光路中还设置有电磁波吸收层。


2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜表面。


3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述微透镜与所述钝化层之间。


4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层位于所述绝缘结构表面。


5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述的电磁波吸收层包围所述滤色层除光入射面之外的其它表面。


6.如权利要求1至5...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，郭松辉，林宗贤，吴明，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32