一种多芯片焊接结构制造技术

一种多芯片焊接结构，通过在引线键合前先加入设于第一芯片的第一植球和设于第二芯片的带有第二植球本体和第一导电连线的第二植球，利用第一植球和第二植球来承受第一芯片和第二芯片间因引线键合而带来的压力，避免了采用引线键合方式连接两个或多个芯片时导致的较大的输出压力直接输送到芯片上，从而解决了传统的技术方案中的存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。

A multi chip welding structure

The utility model relates to a multi chip welding structure, in which the first planting ball arranged on the first chip and the second planting ball arranged on the second chip with the second planting ball body and the first conductive wire are added before the wire bonding, the first planting ball and the second planting ball are used to bear the pressure caused by the wire bonding between the first chip and the second chip, and the wire bonding method is avoided to connect two or more cores The larger output pressure caused by the chip time is directly transmitted to the chip, which solves the problems of increasing the bonding failure probability, low bonding quality and high failure rate caused by different output pressure of the same medium in the traditional technical scheme.

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片焊接结构
本技术属于集成电路
，尤其涉及一种多芯片焊接结构。
技术介绍
目前，传统的集成电路的焊接一般是采用超声方式直接引线键合，即通过超声功率电源输出频率稳定的超声频交流电信号，经超声换能器转变为机械振动，振幅经超声杆放大后传递给焊接劈刀，使两种金属接触面产生摩擦，振动摩擦能消除焊接区氧化膜及杂质，使交界面发生塑性变形达到原子间的结合，而高温能加速原子结合。但是在具有两个或多颗芯片进行互联焊接时，直接在芯片上采用传统的引线键合方式会导致同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加，影响键合质量，故障率高。因此，传统的技术方案中存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种多芯片焊接结构，旨在解决传统的技术方案中存在的同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。本技术实施例提供了一种多芯片焊接结构，包括载体，设置有安装芯片的基岛区域；第一芯片，所述第一芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上；第二芯片，所述第二芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上，且所述第一芯片和所述第二芯片以缝隙相互间隔设置；第一植球，所述第一植球设于所述第一芯片上的与所述第一表面相对的第二表面；以及第二植球，包括设于所述第二芯片上的与所述第一表面相对的第二表面的第二植球本体，以及由所述第二植球本体往外延伸与所述第一植球连接的第一导电连线。在一个实施例中，所述第一芯片和所述第二芯片在所述芯片安装区域内错位相对。在一个实施例中，所述第一植球位于所述第一芯片的第二表面上的焊盘；所述第二植球本体位于所述第二芯片的第二表面上的焊盘。在一个实施例中，所述载体还包括多个沿所述基岛区域外围设置的引脚，所述引脚包括引脚本体与所述引脚本体相互连接的引脚焊盘，各个所述引脚焊盘位于靠近所述基岛区域的内侧，所述各个所述引脚焊盘与所述第一芯片和/或第二芯片分别通过相互独立的导电体电连接。在一个实施例中，各个所述导电体包括第三植球本体和由所述第三植球本体往外延伸第二导电连线，各个所述第三植球与所述第一芯片的第二表面上的焊盘和/或所述第二芯片的第二表面上的焊盘焊接，各个所述第二导电连线远离所述第三植球本体的一端与各个引脚焊盘焊接。在一个实施例中，所述第一导电连线和所述第二导电连线呈弧形。在一个实施例中，各个所述导电体通过引线键合的方式连接各个所述引脚焊盘和所述第一芯片的第二表面上的焊盘、所述第一芯片的第二表面上的第一植球、所述第二芯片的第二表面上的焊盘、所述第二芯片的第二表面上所述第二植球中至少一种。在一个实施例中，多芯片焊接结构还包括固定胶，所述固定胶设于所述基岛区域与所述第一芯片的第一表面之间以及所述基岛与和所述第二芯片的第一表面之间，所述固定胶用以将所述第一芯片和所述第二芯片分别固定于所述基岛区域上。在一个实施例中，所述固定胶为结合胶中的一种。上述的多芯片焊接结构，通过在引线键合前先加入设于第一芯片的第一植球和设于第二芯片的带有第二植球本体和第一导电连线的第二植球，利用第一植球和第二植球来承受第一芯片和第二芯片间因引线键合而带来的压力，避免了采用引线键合方式连接两个或多个芯片时导致的较大的输出压力直接输送到芯片上，从而解决了传统的技术方案中的存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的多芯片焊接结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的多芯片焊接结构的另一结构示意图；图3为本技术实施例提供的多芯片焊接结构的另一结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1，本技术第一实施例提供的多芯片焊接结构的结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：本实施例中的多芯片焊接结构，包括：载体10、第一芯片20、第二芯片30、第一植球40、以及第二植球50，载体10设置有安装芯片的基岛区域11，第一芯片20的第一表面贴设于基岛区域11上，第二芯片30的第一表面贴设于基岛区域11上，且第一芯片20和第二芯片30以缝隙相互间隔设置，第一植球40设于第一芯片20上的与第一表面相对的第二表面，第二植球50包括设于第二芯片30上的与第一表面相对的第二表面的第二植球本体51，以及由第二植球本体51往外延伸与第一植球40连接的第一导电连线52。应理解，载体10可以为承载芯片的物体，例如基板或者普通PCB板等，在本实施例中，载体10由铜框架构成，在其他实施例中，载体10可以为普通PCB板。应理解，第一芯片20和第二芯片30的第一表面为芯片的无源面，第一芯片20和第二芯片30的第二表面为芯片的有源面，第一表面与第二表面相对，本实施例中的第一芯片20和第二芯片30只是示例芯片与芯片间的焊接，并不特指某一芯片，即实施例中可以包含多个芯片，芯片两两间互联时可以任意设定第一芯片20和第二芯片30。应理解，第一芯片20与第二芯片30以缝隙相互间隔设置可以是以平行间隔、错位相对或者其他方式任意分布。应理解，本实施例中的第二植球50中的第二植球本体51和第一导电连线52，是先采用植球技术在第二芯片30的第二表面上先植入第二植球本体51，再从第二植球本体51向外延伸出第一导电连线52；在其他实施例中也可以是，第二植球本体51和第一导电连线52分别形成后，通过焊锡等方式连接在一起。应理解，第一植球40和第二植球本体51可以为锡球或者其他金属球，第一导电连线52可以为锡线或者其他金属线。在一个实施例中，第一导电连线52呈弧形，在其他实施例中，第一导电连线52可以呈直线或者曲线等形状。本实施中的多芯片焊接结构，通过在引线键合前先加入设于第一芯片20的第一植球40和设于第二芯片30的带有第二植球本体51和第一导电连线的第二植球50，利用第一植球40和第二植球50来承受第一芯片20和第二芯片30间因引线键合而带来的压力，避免了采用引线键合方式连接两个或多个芯片时导致的较大的输出压力直接输送到芯片上，从而解决了传统的技术方案中的存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。请参阅图2，在一个实施例中，第一芯片20和第二芯片30在芯片安装区域内错位相对。在一个实施例中，第一植球40位于第一芯片20的第二表面上的焊盘；第二植球本体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片焊接结构，其特征在于，包括：/n载体，设置有安装芯片的基岛区域；/n第一芯片，所述第一芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上；/n第二芯片，所述第二芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上，且所述第一芯片和所述第二芯片以缝隙相互间隔设置；/n第一植球，所述第一植球设于所述第一芯片上的与所述第一表面相对的第二表面；以及/n第二植球，包括设于所述第二芯片上的与所述第一表面相对的第二表面的第二植球本体，以及由所述第二植球本体往外延伸与所述第一植球连接的第一导电连线。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片焊接结构，其特征在于，包括：
载体，设置有安装芯片的基岛区域；
第一芯片，所述第一芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上；
第二芯片，所述第二芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上，且所述第一芯片和所述第二芯片以缝隙相互间隔设置；
第一植球，所述第一植球设于所述第一芯片上的与所述第一表面相对的第二表面；以及
第二植球，包括设于所述第二芯片上的与所述第一表面相对的第二表面的第二植球本体，以及由所述第二植球本体往外延伸与所述第一植球连接的第一导电连线。


2.如权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片在所述芯片安装区域内错位相对。


3.如权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述第一植球位于所述第一芯片的第二表面上的焊盘；所述第二植球本体位于所述第二芯片的第二表面上的焊盘。


4.如权利要求1所述的多芯片焊接结构，其特征在于，所述载体还包括多个沿所述基岛区域外围设置的引脚，所述引脚包括引脚本体与所述引脚本体相互连接的引脚焊盘，各个所述引脚焊盘位于靠近所述基岛区域的内侧，所述各个所述引脚焊盘与所述第一芯片和/或第二芯片分别通过相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓白，朱连迎，栗伟斌，程仕红，舒雄，李建强，云星，
申请(专利权)人：深圳米飞泰克科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44