管式沉积设备制造技术

本发明专利技术提供了一种管式沉积设备，包括管式沉积腔体、收容于所述管式沉积腔体的载片单元和旋转驱动部。所述管式沉积设备包括所述旋转驱动部，且所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个或两个处于待镀状态，简化了工艺流程，提高了生产效率并降低了运营成本，避免了由于在所述管式沉积腔体外进行硅片的重复装片而影响良率的问题。

Tubular deposition equipment

The invention provides a tubular deposition device, which comprises a tubular deposition chamber, a carrier unit and a rotation driving part housed in the tubular deposition chamber. The tubular deposition device includes the rotary driving part, which drives the tubular deposition cavity or the carrier unit to rotate, so that the carrier unit can make any one or two of the two surfaces to be treated in the state of being plated without multiple access to the interior of the tubular deposition cavity, simplifying the process flow, improving the production efficiency and reducing The utility model reduces the operation cost and avoids the problem of affecting the yield due to the repeated loading of silicon wafer outside the tubular deposition cavity.

【技术实现步骤摘要】
管式沉积设备
本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造
，尤其涉及一种管式沉积设备。
技术介绍
晶硅太阳能电池是光伏行业的主导产品，通过优化其生产工艺和结构，目前已经研制出了诸如钝化发射极背场点接触电池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)、钝化发射极背接触电池(PassivatedEmitterSolarCell，PESC)以及钝化发射极背部局域扩散(PassivatedEmitterandRearLocally-diffused，PERL)电池等高效电池，光电转化效率均能接近20％甚至高于20％，具有良好的应用前景。随着晶硅太阳能电池在光电转化效率上的突破，从产业化应用的角度讲，提高设备的产能以及产品的良率是至关重要的。现有技术中的PERC减反射膜沉积过程通常是先将待处理的硅片进行装片，送入工艺腔中对其中一面进行减反射层沉积后降温出腔，再对待处理硅片进行翻面和重新装片，然后送入工艺腔中对另外一面进行减反射层沉积。上述工艺流程中，对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐，不利于提高生产效率。更重要的是，对硅片的重复装片容易影响产品的良率，不利于光电转化效率的提高。因此，需要开发一种新型的管式沉积设备以避免现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种管式沉积设备，以避免现有技术中存在的由于在工艺腔外进行硅片的重复装片，使得工艺流程繁琐而不利于提高生产效率以及容易影响良率的问题。为实现上述目的，本专利技术的所述管式沉积设备包括管式沉积腔体以及收容于所述管式沉积腔体的载片单元，所述管式沉积腔体由第一端面、第二端面以及位于所述第一端面和所述第二端面之间的筒形侧面围成，所述管式沉积设备还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转。本专利技术所述管式沉积设备的有益效果在于：所述管式沉积设备包括所述旋转驱动部，且所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积单元内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个或两个处于待镀状态，简化了工艺流程，提高了生产效率并降低了运营成本，避免了由于在所述管式沉积腔体外进行硅片的重复装片而影响良率的问题。优选的，所述载片单元包括若干基片承载部，所述基片承载部用以承载待处理基片，所述基片承载部具有相对设置的第一腔面与第二腔面。其有益效果在于：有利于通过所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元进行的旋转，使所述待处理基片在所述第一腔面或所述第二腔面之间切换位置，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个或两个处于待镀状态。进一步优选的，所述待处理基片为硅片，所述管式沉积腔体为PECVD沉积腔体。其有益效果在于：使所述管式沉积设备适用于PECVD的应用。进一步优选的，还包括控制单元，所述控制单元包括位置控制，所述旋转驱动部根据所述位置控制的指令控制所述载片单元处于第一腔面承载待处理基片的第一位置或控制所述载片单元处于第二腔面承载待处理基片的第二位置。其有益效果在于：有利于使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个或两个处于待镀状态。进一步优选的，所述第一腔面具有第一基片承载区，所述第二腔面具有第二基片承载区，所述第一基片承载区与第二基片承载区为实心区域。其有益效果在于：有利于通过所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元进行的旋转使所述待处理基片在所述第一腔面或所述第二腔面之间切换位置，使得所述载片单元无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够使两个所述待处理表面中的任意一个处于待镀状态。进一步优选的，还包括等离子体发生电源开关，所述控制单元还包括等离子体发生电源控制，所述等离子体发生电源控制根据所述位置控制的指令控制所述等离子体发生电源开关，当所述旋转部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转至所述第一位置与所述第二位置之间时，所述等离子体发生电源控制关断所述等离子体发生电源开关，以中断对所述管式沉积腔体内的等离子体发生电源供应。其有益效果在于：在所述管式沉积腔体或所述载片单元进行旋转的过程中，中断对所述管式沉积腔体内的等离子体发生电源供应，有利于所述待处理基片实现良好的镀膜均匀性。进一步优选的，还包括沉积反应前驱体供应装置，所述沉积反应前驱体供应装置向所述管式沉积腔体内供应至少3种气体。其有益效果在于：适用于在所述待处理基片的表面沉积至少一种介质膜。进一步优选的，还包括移动单元，所述移动单元用于推送所述载片单元进入所述管式沉积腔体内或者移动所述载片单元离开所述管式沉积腔体内。其有益效果在于：有利于连续化的生产过程。进一步优选的，还包括真空泵，所述真空泵与所述管式沉积腔体连接。其有益效果在于：使所述管式沉积腔体内达到一定真空度，保证所述待处理基片实现良好的镀膜均匀性。进一步优选的，还包括载片区，所述移动单元设置于所述载片区。其有益效果在于：便于将所述载片单元输入或输出所述管式沉积腔体。进一步优选的，还包括处理区，至少一个所述管式沉积腔体堆叠设置于所述处理区。其有益效果在于：减少所述管式沉积设备的占地面积并提高产能。优选的，还包括管式预处理腔，所述管式预处理腔与所述管式沉积腔体堆叠设置。优选的，所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体旋转，所述载片单元与所述管式沉积腔体同步旋转，所述旋转驱动部与所述管式沉积腔体可拆卸式连接，以驱动所述管式沉积腔体旋转。其有益效果在于：便于对所述管式沉积设备进行维护。优选的，所述旋转驱动部驱动所述载片单元旋转，所述旋转驱动部与所述载片单元可拆卸式连接，以驱动所述载片单元旋转。其有益效果在于：能够利用同一所述旋转驱动部作用于不同的所述载片单元，有利于提高所述管式沉积设备的利用率。进一步优选的，所述第一端面设置有第一腔门，所述第二端面设置有第二腔门，所述第一腔门设置有第一支撑对接部，所述第二腔门设置有第二支撑对接部，所述第一支撑对接部与所述第二支撑对接部用于支撑所述载片单元悬挂于所述管式沉积腔体内。优选的，所述第一端面设置有第一腔门，所述第二端面设置有第二腔门，所述第一腔门、所述第二腔门与所述筒形侧面形成可封闭的处理区，所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元沿着所述管式沉积腔体的中心轴线旋转。进一步优选的，所述第二腔门的一侧设置载片区，所述第二腔门与所述沉积反应前驱体供应装置相连接。进一步优选的，所述第一腔门与所述旋转驱动部相连接，所述第一腔门的一侧设置有真空泵和等离子体供应电源系统。进一步优选的，所述筒形侧面外设置有灯管、射频或电阻丝，用以对所述管式沉积腔体进行加热。附图说明图1为本专利技术的第一管式沉积设备的结构示意图；图2a为图1所示的A区域的放大结构示意图；图2b为图2a所示的基片承载部的结构示意图；图3为本专利技术的第二管式沉积设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种管式沉积设备，包括管式沉积腔体以及收容于所述管式沉积腔体的载片单元，所述管式沉积腔体由第一端面、第二端面以及位于所述第一端面和所述第二端面之间的筒形侧面围成，其特征在于，所述管式沉积设备还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转。/n

【技术特征摘要】
1.一种管式沉积设备，包括管式沉积腔体以及收容于所述管式沉积腔体的载片单元，所述管式沉积腔体由第一端面、第二端面以及位于所述第一端面和所述第二端面之间的筒形侧面围成，其特征在于，所述管式沉积设备还包括旋转驱动部，所述旋转驱动部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转。


2.根据权利要求1所述的管式沉积设备，其特征在于，所述载片单元包括若干基片承载部，所述基片承载部具有相对设置的第一腔面与第二腔面。


3.根据权利要求2所述的管式沉积设备，其特征在于，所述待处理基片为硅片，所述管式沉积腔体为PECVD沉积腔体。


4.根据权利要求3所述的管式沉积设备，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元包括位置控制，所述旋转驱动部根据所述位置控制的指令控制所述载片单元处于第一腔面承载待处理基片的第一位置或控制所述载片单元处于第二腔面承载待处理基片的第二位置。


5.根据权利要求4所述的管式沉积设备，其特征在于，所述第一腔面具有第一基片承载区，所述第二腔面具有第二基片承载区，所述第一基片承载区与第二基片承载区为实心区域。


6.根据权利要求5所述的管式沉积设备，其特征在于，还包括等离子体发生电源开关，所述控制单元还包括等离子体发生电源控制，所述等离子体发生电源控制根据所述位置控制的指令控制所述等离子体发生电源开关，当所述旋转部驱动所述管式沉积腔体或所述载片单元旋转至所述第一位置与所述第二位置之间时，所述等离子体发生电源控制关断所述等离子体发生电源开关，以中断对所述管式沉积腔体内的等离子体发生电源供应。


7.根据权利要求6所述的管式沉积设备，其特征在于，还包括沉积反应前驱体供应装置，所述沉积反应前驱体供应装置向所述管式沉积腔体内供应至少3种气体。


8.根据权利要求7所述的管式沉积设备，其特征在于，还包括移动单元，所述移动单元用于推送所述载片单元进入所述管式沉积腔体内或者移动所述载片单元离开所述管式沉积腔体内。


9.根据权利要求8所述的管式沉积设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥，彭海，陆勇，胡海明，费红才，袁刚，胡兵，奚明，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31