一种晶硅太阳能电池处理方法技术

本发明专利技术提供了晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，所述晶硅太阳能电池处理方法包括，将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。本发明专利技术所述预处理腔室用于氧化处理节省了设备成本及厂房占地成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池处理方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，特别设计一种晶硅太阳能电池处理方法。
技术介绍
晶体硅太阳能电池存在电势衰减(PID)的问题。所述PID即潜在电势诱导衰减现象(PotentialInducedDegradation)，是组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量的电荷聚集在电池表面，让得电池表面钝化效果恶化，最终导致FF、Isc、Voc降低，使组件性能低于设计标准。在现有技术中太阳能电池电势衰减(PID)的问题解决方案有两种，请参考图1，为现有技术的常规背钝化晶硅电池工艺流程示意图。所述背钝化晶硅电池工艺流程包括清洗制绒、扩散制结、二次清洗、常规氧化处理/热氧化、背面钝化膜沉积、背面SiNx沉积、正面SiNx沉积、激光开槽、印刷烧结。其中的所述常规臭氧处理/热氧化步骤是解决电势衰减(PID)问题的两种方案，一是在二次清洗之后，做一步常温的臭氧处理，在硅片正面生长一层3-10nm的氧化硅来解决PID问题，这一方案对晶体硅电池片的电势衰减有一定的作用，但是由于这种方法氧化处理是在常温下进行，所以生长的氧化硅薄膜重复性不好，导致处理的效果波动比较大，不能保证稳定的抗PID效果；另一种方案是在二次清洗之后，采用热氧化炉生长一层氧化硅来解决PID的问题，这种方法虽然处理效果比较稳定，但是设备成本及厂房占地成本会很高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种晶硅太阳能电池处理方法，以解决现有太阳能电池技术中存在的：为了解决电势衰减(PID)问题而采用常温臭氧处理生长的氧化硅薄膜质量不好及采用热氧化炉生长稳定氧化硅薄膜的设备成本、厂房占地成本高，生产效率低的问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种晶硅太阳能电池处理方法，包括，将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。本专利技术的所述预处理进行氧化反应，在基板表面生成氧化硅薄膜，生成膜致密且质量稳定以保证稳定的抗PID效果，并且可以提高晶硅电池转化效率。可选的，所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态，或所述预处理腔室氧化处理过程保持非真空状态。可选的，当所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态时，先将所述待处理的基板传输至装载腔室中，打开蝶阀控制单元，对所述装载腔室抽真空，其次将所述基板传输至所述预处理腔室中，在所述预处理腔室中的加热到一定的温度后，打开气流控制单元，通入一定量的气体源，在一定的时间内生成一定厚度的氧化硅，然后在所述镀膜沉积腔对所述基板进行镀膜沉积。可选的，所述的气体源包括O3、N2O、O2。可选的，所述镀膜沉积腔包括正面减反膜沉积腔，所述减反膜包括SiNx减反膜或SiOxNy/SiNx双层减反膜。可选的，所述镀膜沉积腔包括钝化膜沉积腔、背面减反膜沉积腔或正面减反膜沉积腔中的一种或多种。可选的，所述预处理腔室的所述一定温度是100-600℃。可选的，所述通入气体源的一定量是200sccm-5000sccm的O3或N2O或O2，并通一定量的惰性气体，起稀释作用，所述惰性气体为N2。可选的，所述通入的气体源的一定时间是10s-600s，可选的，所述生成氧化硅的一定厚度是3nm-30nm。可选的，当所述预处理腔室氧化处理过程保持非真空状态时，先将所述基板传输至所述装载腔室，打开蝶阀控制单元，对所述装载腔室抽真空，其次将所述基板传输至预处理腔室，充气升压，然后将待处理基板进行氧化处理，完成后对预处理腔体抽真空，所述预处理腔室中进行氧化处理时，在所述预处理腔室中的加热到一定的温度后，打开气流控制单元，通入一定量的气体源，在一定的时间内生成一定厚度的氧化硅，再次将所述待处理的基板传输至装载腔室中，然后在所述镀膜沉积腔对所述基板进行镀膜沉积。可选的，所述的气体源包括O3、N2O、O2。可选的，所述镀膜沉积腔包括正面减反膜沉积腔，所述减反膜包括SiNx或SiOxNy/SiNx双层膜。可选的，所述镀膜沉积腔包括钝化膜沉积腔、背面减反膜沉积腔和正面减反膜沉积腔中的一种或多种。可选的，所述预处理腔室的所述一定温度是100-600℃。可选的，所述通入气体源的一定量是500sccm-5000sccm的O3、N2O或O2。并通入一定量的惰性气体，起稀释作用，所述惰性气体优为N2。可选的，所述通入的气体源的一定时间是15s-600s。可选的，所述生成氧化硅的一定厚度是3nm-30nm。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：本专利技术提供的晶硅太阳能电池处理方法包括预处理腔室，用于对待处理的基板进行预处理，同时在一定的温度下在所述预处理腔室里通入气体源，进行氧化处理，这种方提法高了基板表面氧化硅薄膜的质量，保证稳定的抗PID效果，并且可以提高晶硅电池转化效率；预处理与氧化处理都是在预处理腔室里，且与沉积腔集成一体机台结构，简化了工艺流程，提高了生产效率，也实现了晶体硅电池片的抗PID和钝化技术集成在同一台设备中，减少设备及厂房占地的成本。附图说明图1是现有技术的背钝化晶硅电池工艺流程示意图；图2是本专利技术的背钝化晶硅电池工艺流程示意图；图3是本专利技术实施例一的晶硅电池设备系统结构示意图；图4是本专利技术实施例一的预处理腔室示意图；图5是本专利技术实施例一的硅晶电池处理方法流程示意图；图6是本专利技术实施例二的晶硅电池设备系统结构示意图；图7是本专利技术实施例二的预处理腔室示意图；图8是本专利技术实施例二的硅晶电池处理方法流程示意图；具体实施方式针对现有晶硅太阳能电池技术中存在的：为了解决电势衰减(PID)问题而采用常温臭氧处理生长的氧化硅薄膜质量不好及采用热氧化炉生长稳定氧化硅薄膜的设备成本、厂房占地成本高，生产效率低的问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种晶硅太阳能电池处理设备，包括：装载卸载腔室，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的基板；预处理腔室，用于对待处理的基板进行预处理；所述预处理腔室用于氧化处理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。镀膜沉积腔室，所述镀膜沉积腔室用于对所述待处理基板进行镀膜沉积；同时，本专利技术还提供一种晶硅电池处理方法，将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。本专利技术的所述预处理室的氧化处理，能使基板表面氧化硅薄膜致密且质量稳定以保证稳定的抗PID效果，并且可以提高晶硅电池转化效率。现有技术中，在硅晶电池钝化膜沉积工艺前，需要对电池基板进行抗PID处理的步骤，所述抗PID处理方法包括常温臭氧处理生长氧化硅薄膜和用热氧化炉生长氧化硅薄膜两种方法，其中常温臭氧处理的氧化硅薄膜，由于是常温下处理的，所以氧化硅薄膜重复性不好，导致处理的效果波动比较大；另外一种方法，使用热氧化炉生长氧化硅薄膜，虽然是氧化硅薄膜的质量比较稳定，但是需要单独的一台热氧化炉，这样会增加一道生产工序，降低生产效率，同时设备会占用一定的厂房空间，使得设备成本及厂房占地成本会很高。针对上述缺陷，专利技术人提出了利用预处理腔室对基板进行抗PID处理，下面将结合具体的实施例对本专利技术的技术方案进行详细的说明。实施例一对本专利技术的实施例一的晶硅电池设备结构详述如下。如图3示，晶硅太阳能电池设备系统都是在真空状态下进行工作的。所述真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，其特征在于，包括：将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。

【技术特征摘要】
2017.09.29 CN 20171090516421.一种晶硅太阳能电池处理设备的处理方法，其特征在于，包括：将预处理腔室的待处理基板进行氧化处理；将氧化处理后的基板传输至镀膜沉积腔室中；在所述镀膜沉积腔室中对所述基板进行镀膜沉积。2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态，或所述预处理腔室氧化处理过程保持非真空状态。3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室氧化处理过程保持真空状态，是先将所述待处理的基板传输至装载腔室中，打开蝶阀控制单元，对所述装载腔室抽真空，其次将所述基板传输至所述预处理腔室中，在所述预处理腔室中进行加热，然后打开气流控制单元，通入气体源以生成氧化硅薄膜，然后将所述待处理的基板传输至镀膜沉积腔中，在所述镀膜沉积腔对所述基板进行镀膜沉积。4.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述的气体源为O3或N2或O2或惰性气体，所述惰性气体起稀释作用，所述惰性气体为N2。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述气体源O3、N2O、O2中的一种或多种气体的通入量为200sccm-5000sccm，同时通入所述惰性气体N2。6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述预处理腔室的加热温度是100℃-600℃。7.如权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述气体源的通入时间是10s-600s。8.如权利要求7所述的处理方...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚明，吴红星，戴虹，吴堃，夏马来，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31