晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法技术

本发明专利技术提供了一种减反射膜沉积方法，包括：将放置有所述待处理硅片的所述载片装置进入所述等离子体化学气相沉积设备的单一沉积腔，对所述第一待处理表面进行所述第一减反射处理后，通过所述单一沉积腔内的所述翻转装置使所述第一待处理表面与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，然后继续在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片的第二待处理表面继续进行所述第二减反射处理。所述减反射膜沉积方法使所述载片装置无需进出所述单一沉积腔进行翻面或上下片操作就能够实现双面镀减反射膜，避免了由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

Antireflection Coating Deposition Method for Crystalline Silicon Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法
本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造
，尤其涉及一种晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池是光伏行业的主导产品，通过优化其生产工艺和结构，目前已经研制出了诸如钝化发射极背场点接触电池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)、钝化发射极背接触电池(PassivatedEmitterSolarCell，PESC)以及钝化发射极背部局域扩散(PassivatedEmitterandRearLocally-diffused，PERL)电池等高效电池，光电转化效率均能接近20％甚至高于20％，具有良好的应用前景。随着晶硅太阳能电池在光电转化效率上的突破，从产业化应用的角度讲，提高设备的产能以及产品的良率是至关重要的。现有技术中的PERC减反射膜沉积过程通常是先将待处理的硅片进行装片，送入工艺腔中对其中一面进行减反射层沉积后降温出腔，再对待处理硅片进行翻面和重新装片，然后送入工艺腔中对另外一面进行减反射层沉积。上述工艺流程中，对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐，不利于提高产能。更重要的是，对硅片的重复装片容易影响产品的良率，不利于光电转化效率的提高。因此，需要开发一种新型的晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法以避免现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法，以避免现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。为实现上述目的，本专利技术的所述减反射膜沉积方法包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和管式等离子体化学气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的第一待处理表面和第二待处理表面，所述管式等离子体化学气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使所述第二待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，所述第一待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述第一待处理表面进行第一减反射处理；S4：所述第一减反射处理完毕后，通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行机械操作，以使所述第二待处理表面处于待镀状态，且所述第一待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合；S5：在所述单一沉积腔内对所述第二待处理表面进行第二减反射处理；所述步骤S4中，所述机械操作包括翻转操作、机械推动操作或移动操作。本专利技术所述减反射膜沉积方法的有益效果在于：所述减反射膜沉积方法中，放置有所述待处理硅片的所述载片装置进入所述单一沉积腔，对所述第一待处理表面进行所述第一减反射处理后，通过所述单一沉积腔内的所述机械装置使所述第一待处理表面与所述载片装置或所述机械装置的紧密结构件紧密贴合，使得所述载片装置无需进出所述单一沉积腔进行翻面或上下片操作，就能够在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片的第二待处理表面继续进行所述第二减反射处理，从而在实现对所述待处理硅片的双面镀减反射膜的同时避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。优选的，所述步骤S4中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。其有益效果在于：有利于在保障良率的同时不影响产能。进一步优选的，通过所述机械操作控制所述载片装置的翻转角度为90度-270度。进一步优选的，所述载片装置具有复数个隔离片，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S1中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使所述第二待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合。进一步优选的，所述步骤S4中，通过所述机械装置控制所述载片装置进行所述机械操作，使所述待处理硅片沿所述绝缘杆组件滑动至所述隔离片的相邻隔离片，并通过所述待处理硅片的重力作用使所述第一待处理表面与所述相邻隔离片的表面紧密贴合。优选的，所述载片装置包括复数个镂空舟片，所述机械装置包括移动部以及复数个隔离板，所述隔离板为所述机械装置的致密结构件，将所述待处理硅片与所述镂空舟片固定连接，通过所述移动部带动所述隔离板在相邻的待处理硅片之间移动，以使任意一个所述待处理表面与所述隔离板紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。优选的，通过所述第一减反射处理在所述第一待处理表面形成第一减反射膜后，执行所述步骤S4，然后通过所述第二减反射处理在所述第二待处理表面形成第二减反射膜。其有益效果在于：对其中一个待处理表面完成减反射沉积后，再对另一个待处理表面进行减反射沉积，有利于通过减少翻转操作的次数来提高产能。优选的，所述待处理硅片为N型硅片或P型硅片中的任意一种。进一步优选的，还包括步骤S0，所述步骤S0中，提供原始硅片，对所述原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺和背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述待处理硅片。优选的，所述第一减反射膜的厚度和所述第二减反射膜的厚度均小于200nm，所述第一减反射膜和所述第二减反射膜均由至少一层减反射层构成。进一步优选的，所述减反射层的组成材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳化硅中的任意一种。进一步优选的，所述第一减反射膜或所述第二减反射膜为渐进膜。附图说明图1a为本专利技术的减反射膜沉积方法的流程图；图1b为现有技术的常用减反射膜沉积方法的流程示意图；图1c为本专利技术一些实施例的减反射膜沉积方法的流程示意图；图2为本专利技术一些实施例的石墨舟的部分结构示意图；图3为本专利技术的气相沉积设备的结构示意图；图4为图2所示的石墨舟中的装载单元的一种工作状态示意图；图5为图4所示的装载单元的另一种工作状态示意图；图6为本专利技术另一些实施例的石墨舟、机械装置以及待处理硅片之间的工作状态示意图；图7为图6所示的第一镂空舟片的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法，参考图1a，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和管式等离子体化学气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的第一待处理表面和第二待处理表面，所述管式等离子体化学气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使所述第二待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，所述第一待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述第一待处理表面进行第一减反射处理；S4：所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和管式等离子体化学气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的第一待处理表面和第二待处理表面，所述管式等离子体化学气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使所述第二待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，所述第一待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述第一待处理表面进行第一减反射处理；S4：所述第一减反射处理完毕后，通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行机械操作，以使所述第二待处理表面处于待镀状态，且所述第一待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合；S5：在所述单一沉积腔内对所述第二待处理表面进行第二减反射处理；所述步骤S4中，所述机械操作包括翻转操作、机械推动操作或移动操作。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池的减反射膜沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和管式等离子体化学气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的第一待处理表面和第二待处理表面，所述管式等离子体化学气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使所述第二待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，所述第一待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述第一待处理表面进行第一减反射处理；S4：所述第一减反射处理完毕后，通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行机械操作，以使所述第二待处理表面处于待镀状态，且所述第一待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合；S5：在所述单一沉积腔内对所述第二待处理表面进行第二减反射处理；所述步骤S4中，所述机械操作包括翻转操作、机械推动操作或移动操作。2.根据权利要求1所述的减反射膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。3.根据权利要求1所述的减反射膜沉积方法，其特征在于，通过所述机械操作控制所述载片装置的翻转角度为90度-270度。4.根据权利要求1所述的减反射膜沉积方法，其特征在于，所述载片装置具有复数个隔离片，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻所述隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S1中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使所述第二待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合。5.根据权利要求4所述的减反射膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴虹，奚明，汤亮才，刘奎，王传博，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31