【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法本申请是申请日为2015年1月29日、申请号为201510045391.3、专利技术名称为“太阳能电池及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及太阳能电池及其制造方法,并且更具体地,涉及一种具有改进的电极连接结构的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
近年来,随着诸如石油和煤的常规能源耗尽,对代替这些能源的另选能源的兴趣在增加。在这些之中,太阳能电池作为将太阳能转换成电能的下一代电池正吸引相当多的关注。这样的太阳能电池通过根据设计形成各种层和电极来制造。可以根据各种层和电极的设计来确定太阳能电池的效率。应该克服低效率使得能够将太阳能电池付诸实际使用。因此,应该设计各种层和电极使得太阳能电池效率被最大化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供了具有增强效率的太阳能电池及其制造方法。根据本专利技术的实施方式的太阳能电池包括:半导体基板;位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域;位于所述导电型区域上的保护层;以及电极,该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。附图说明将从结合附图进行的以下详细描述更清楚地理解本专利技术的上述和其它目的、特征以及其它优点,附图中:图1是根据本专利技术的实施方式的太阳能电池模块的后视立体图;图2是根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的截面图;图3是图2所例示的太阳能电池的部分后视平面图;图4例示了根据本专利技术的实施方式的例示了太阳能电池的第一电极与带状物(ribbon)之间的粘合结构的各种示例的示意放大图;图5a至图5h是例示了用于制造根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的方法的截面 ...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的单晶硅基板;在所述单晶硅基板上的氧化物层;在所述氧化物层上的多晶硅层,其中,所述多晶硅层包括在所述氧化物层的同一表面上的所述第一导电类型的第一导电区域以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域;在所述多晶硅层上的硅氧化物层,所述硅氧化物层具有5eV或更大的带隙;在所述硅氧化物层上的硅氮化物层,所述硅氮化物层具有小于3eV的带隙,其中,所述硅氮化物层具有多个开口,其中,所述硅氧化物层具有多个压下部,其中,所述多个压下部的厚度小于所述硅氮化物层的厚度,其中,所述太阳能电池还包括:第一电极,所述第一电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第二导电区域,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第一导电区域和所述第一电极之间,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第二导电区域和所述第二电极之间。
【技术特征摘要】
2014.01.29 KR 10-2014-00116481.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的单晶硅基板;在所述单晶硅基板上的氧化物层;在所述氧化物层上的多晶硅层,其中,所述多晶硅层包括在所述氧化物层的同一表面上的所述第一导电类型的第一导电区域以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域;在所述多晶硅层上的硅氧化物层,所述硅氧化物层具有5eV或更大的带隙;在所述硅氧化物层上的硅氮化物层,所述硅氮化物层具有小于3eV的带隙,其中,所述硅氮化物层具有多个开口,其中,所述硅氧化物层具有多个压下部,其中,所述多个压下部的厚度小于所述硅氮化物层的厚度,其中,所述太阳能电池还包括:第一电极,所述第一电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第二导电区域,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第一导电区域和所述第一电极之间,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第二导电区域和所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层具有比所述第一导电区域的带隙和所述第二导电区域的带隙更大的带隙。3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,布置有所述第一电极和所述第二电极的所述硅氧化物层的表面具有蚀刻的迹线。4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层比所述硅氮化物层更薄。5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层具有1nm至3nm的厚度。6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述开口包括连接所述第一导电区域和所述第一电极的第一开口和连接所述第二导电区域和所述第二电极的第二开口。7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其中,所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下。8.一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑寅道,沈承焕,郑一炯,南正范,
申请(专利权)人:LG电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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