太阳能电池及其制造方法技术

技术编号:22241247 阅读:21 留言:0更新日期:2019-10-09 20:49
太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池,包括:半导体基板;位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域;位于所述至少一个导电型区域上的保护层;以及电极,该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。

Solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法本申请是申请日为2015年1月29日、申请号为201510045391.3、专利技术名称为“太阳能电池及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及太阳能电池及其制造方法,并且更具体地,涉及一种具有改进的电极连接结构的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
近年来,随着诸如石油和煤的常规能源耗尽,对代替这些能源的另选能源的兴趣在增加。在这些之中,太阳能电池作为将太阳能转换成电能的下一代电池正吸引相当多的关注。这样的太阳能电池通过根据设计形成各种层和电极来制造。可以根据各种层和电极的设计来确定太阳能电池的效率。应该克服低效率使得能够将太阳能电池付诸实际使用。因此,应该设计各种层和电极使得太阳能电池效率被最大化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供了具有增强效率的太阳能电池及其制造方法。根据本专利技术的实施方式的太阳能电池包括:半导体基板;位于所述半导体基板上的至少一个导电型区域;位于所述导电型区域上的保护层;以及电极,该电极被布置在所述保护层上并且电连接至所述导电型区域。附图说明将从结合附图进行的以下详细描述更清楚地理解本专利技术的上述和其它目的、特征以及其它优点,附图中:图1是根据本专利技术的实施方式的太阳能电池模块的后视立体图;图2是根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的截面图;图3是图2所例示的太阳能电池的部分后视平面图;图4例示了根据本专利技术的实施方式的例示了太阳能电池的第一电极与带状物(ribbon)之间的粘合结构的各种示例的示意放大图;图5a至图5h是例示了用于制造根据本专利技术的实施方式的太阳能电池的方法的截面图;图6是根据本专利技术的另一实施方式的太阳能电池的电极的截面图;图7是根据本专利技术的又一实施方式的太阳能电池的电极的截面图;图8是根据本专利技术的再一个实施方式的太阳能电池的部分后视平面图;图9是根据本专利技术的修改的实施方式的太阳能电池的横截面图;图10是根据本专利技术的另一修改实施方式的太阳能电池的横截面图;图11是根据本专利技术的又一修改实施方式的太阳能电池的横截面图。具体实施方式现在将详细地参照本专利技术的实施方式,其示例被例示在附图中。然而,本专利技术可以用许多不同的形式加以具体化,并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施方式。为了描述的清楚,在附图中例示了仅构成本专利技术的特征的元素并且从附图中省略了将在本文中未被描述的其它元素。同样的附图标记在所有各处指代同样的元素。在附图中,为了例示的清楚和方便可以放大或缩小构成元素的厚度、面积等。本专利技术不限于所例示的厚度、面积等。还应当理解,贯穿本说明书,当一个元素被称为“包括”另一元素时,除非上下文另外清楚地指示,否则术语“包括”指定另一元素的存在,但是不排除其它附加的元素的存在。另外,应当理解,当诸如层、区域或板的一个元素被称为位于另一元素“上”时,一个元素可以直接位于另一元素上,并且还可能存在一个或更多个中间元素。相比之下,当诸如层、区域或板的一个元素被称为“直接位于”另一元素上时,不存在一个或更多个中间元素。在下文中,将参照附图详细地描述根据本专利技术的实施方式的太阳能电池以及用于制造太阳能电池的方法。首先,将详细地描述太阳能电池模块,并且此后将详细地描述包括在其中的太阳能电池和这些太阳能电池中使用的电极。图1是根据本专利技术的实施方式的太阳能电池模块100的后视立体图。参照图1,根据本专利技术的实施方式的太阳能电池模块100包括至少一个太阳能电池(例如,太阳能电池)150、布置在太阳能电池150的正面上的第一基板121(在下文中被称为“前基板”)以及布置在太阳能电池150的背面上的第二基板122(在下文中被称为“背片”)。另外,太阳能电池模块100可以包括布置在太阳能电池150与前基板121之间的第一密封层(sealant)131以及布置在太阳能电池150与背片122之间的第二密封层132。将在下面对此进行更详细的描述。首先,各个太阳能电池150被构造为包括用来将太阳能转换成电能的光电转换单元以及电连接至该光电转换单元的电极。在本专利技术的实施方式中,光电转换单元例如可以是包括半导体基板(例如,硅晶片)或半导体层(例如,硅层)的光电转换单元。将在下面参照图2和图3详细地描述具有以上所述的结构的太阳能电池150。太阳能电池150包括一个或多个带状物144。太阳能电池150可以通过带状物144彼此串联、并联或串并联电连接。将通过示例描述相邻的第一太阳能电池151和第二太阳能电池152。也就是说,带状物144可以将第一太阳能电池151的第一电极42(见图2和图3)连接至与第一太阳能电池151相邻的第二太阳能电池152的第二电极44(见图2和图3)。可以不同地改变带状物144、第一太阳能电池151的第一电极42以及第二太阳能电池152的第二电极44之间的连接结构。例如,第一太阳能电池151和第二太阳能电池152的第一电极42可以沿着第一边缘彼此连接,并且第一太阳能电池151和第二太阳能电池152的第二电极44可以沿着与第一边缘相对的第二边缘彼此连接。在这方面,带状物144可以跨越第一太阳能电池151和第二太阳能电池152而形成以便连接布置在第一太阳能电池151的第一边缘处的第一电极42和布置在与第一太阳能电池151相邻的第二太阳能电池152的第二边缘处的第二电极44并且可以沿着第一边缘和第二边缘延伸。在这方面,为了防止带状物144和第一太阳能电池151及第二太阳能电池152之间的不必要的短路,绝缘层142被部分地布置在带状物144和第一太阳能电池151及第二太阳能电池152之间,并且在绝缘层142之外突出的带状物144的突出部可以连接至第一电极42或第二电极44。然而,本专利技术的实施方式不限于上述示例并且各种修改是可能的。另外,汇流带状物145交替地连接由带状物144连接并且布置在单行中的太阳能电池150的带状物144的相对端部。汇流带状物145可以被布置在与布置在单行中的太阳能电池150的端部交叉的方向上。汇流带状物145可以连接至接线盒,所述接线盒收集由太阳能电池150产生的电并且防止电的反向流动。第一密封层131可以被布置在太阳能电池150的正面上,并且第二密封层132可以被布置在太阳能电池150的背面上。第一密封层131和第二密封层132通过层压彼此粘附,进而防止可能不利地影响太阳能电池150的水分或氧气的渗透并且使得能实现太阳能电池150的元素的化学结合。第一密封层131和第二密封层132可以是乙烯醋酸乙烯酯(EVA)共聚物树脂、聚乙烯醇缩丁醛、硅树脂、酯基树脂、烯烃基树脂等,但是本专利技术的实施方式不限于此。因此,可以通过除层压以外的各种方法使用各种其它材料来形成第一密封层131和第二密封层132。前基板121被布置在第一密封层131上以便借此穿过太阳光并且可以由钢化玻璃制成以保护太阳能电池150免于外部冲击等。另外,前基板121可以由低铁钢化玻璃制成以防止太阳光的反射并且增加太阳光的透射率,但是本专利技术的实施方式不限于此。也就是说,前基板121可以由各种其它材料制成。背片122被布置在太阳能电池150的其它表面上以保护太阳能电池150并且是防水且绝缘的并且阻挡紫外光。背片122可以由层、片等制成。背片122可以是Tedlar/PET/Tedlar(TPT)型的,或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的单晶硅基板;在所述单晶硅基板上的氧化物层;在所述氧化物层上的多晶硅层,其中,所述多晶硅层包括在所述氧化物层的同一表面上的所述第一导电类型的第一导电区域以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域;在所述多晶硅层上的硅氧化物层,所述硅氧化物层具有5eV或更大的带隙;在所述硅氧化物层上的硅氮化物层,所述硅氮化物层具有小于3eV的带隙,其中,所述硅氮化物层具有多个开口,其中,所述硅氧化物层具有多个压下部,其中,所述多个压下部的厚度小于所述硅氮化物层的厚度,其中,所述太阳能电池还包括:第一电极,所述第一电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第二导电区域,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第一导电区域和所述第一电极之间,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第二导电区域和所述第二电极之间。

【技术特征摘要】
2014.01.29 KR 10-2014-00116481.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的单晶硅基板;在所述单晶硅基板上的氧化物层;在所述氧化物层上的多晶硅层,其中,所述多晶硅层包括在所述氧化物层的同一表面上的所述第一导电类型的第一导电区域以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域;在所述多晶硅层上的硅氧化物层,所述硅氧化物层具有5eV或更大的带隙;在所述硅氧化物层上的硅氮化物层,所述硅氮化物层具有小于3eV的带隙,其中,所述硅氮化物层具有多个开口,其中,所述硅氧化物层具有多个压下部,其中,所述多个压下部的厚度小于所述硅氮化物层的厚度,其中,所述太阳能电池还包括:第一电极,所述第一电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极布置在所述硅氧化物层上并且通过穿透所述开口电连接到所述第二导电区域,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第一导电区域和所述第一电极之间,其中,所述多个压下部中的一个压下部被布置在所述第二导电区域和所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层具有比所述第一导电区域的带隙和所述第二导电区域的带隙更大的带隙。3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,布置有所述第一电极和所述第二电极的所述硅氧化物层的表面具有蚀刻的迹线。4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层比所述硅氮化物层更薄。5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述硅氧化物层具有1nm至3nm的厚度。6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述开口包括连接所述第一导电区域和所述第一电极的第一开口和连接所述第二导电区域和所述第二电极的第二开口。7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其中,所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下。8.一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑寅道沈承焕郑一炯南正范
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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