介质膜沉积方法技术

本发明专利技术提供了一种介质膜沉积方法，包括：通过控制所述单一沉积腔内的机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，然后对另一个所述待处理表面进行镀膜处理。所述薄膜沉积方法通过控制所述机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述致密结构件紧密贴合，使得无须所述载片装置进出所述单一沉积腔，就能够对另一个所述待处理表面进行所述镀膜处理，从而避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

Medium Film Deposition Method

The present invention provides a method of dielectric film deposition, which includes: tightly fitting any one of the two surfaces to be treated with the compact structure of the carrier device or the mechanical device by controlling the mechanical device in the single deposition chamber, and then coating the other surface to be treated. By controlling the mechanical device, any of the two surfaces to be treated is tightly fitted with the compact structure, so that the coating treatment of the other surface to be treated can be carried out without the need for the carrier device to enter or exit the single deposition chamber, thereby avoiding the production capacity due to the cumbersome process flow existing in the prior art. Decline and low product yield.

【技术实现步骤摘要】
介质膜沉积方法
本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种介质膜沉积方法。
技术介绍
太阳能电池是光伏行业的主导产品，通过优化其生产工艺和结构，目前已经研制出了诸如钝化发射极背场点接触电池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)、钝化发射极背接触电池(PassivatedEmitterSolarCell，PESC)以及钝化发射极背部局域扩散(PassivatedEmitterandRearLocally-diffused，PERL)电池等高效电池，光电转化效率均能接近20％甚至高于20％，具有良好的应用前景。随着太阳能电池，尤其是晶硅太阳能电池在光电转化效率上的突破，从产业化应用的角度讲，提高设备的产能以及产品的良率是至关重要的。以PERC钝化膜和减反射膜沉积过程为例，现有技术通常是先将待处理的硅片进行装片，送入工艺腔中对其中一面进行钝化层沉积和减反射层沉积后降温出腔，再对待处理硅片进行翻面和重新装片，然后送入工艺腔中对另外一面进行减反射层沉积。上述工艺流程中，对硅片的翻面和重新装片以及对工艺腔内进行升降温处理使得工艺流程繁琐，不利于提高产能。更重要的是，对硅片的重复装片容易影响产品的良率，不利于光电转化效率的提高。因此，需要开发一种新型的介质膜沉积方法以避免现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种介质膜沉积方法，以避免现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。为实现上述目的，本专利技术的所述介质膜沉积方法，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行的镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。本专利技术所述介质膜沉积方法的有益效果在于：所述介质膜沉积方法中，放置有所述待处理硅片的所述载片装置进入所述单一沉积腔，由于所述待处理表面能够与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行的所述机械操作配合所述镀膜处理，能够在两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜，减少了降温出腔的次数以及对工艺腔内进行升降温处理的时间，避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。优选的，所述步骤S3中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。其有益效果在于：有利于在保障良率的同时不影响产能。优选的，所述载片装置具有复数个隔离片，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S1中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使一个所述待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合。其有益效果在于：有利于装载多个待处理硅片，以提高产能。进一步优选的，所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，使所述处理硅片沿所述绝缘杆组件滑动至所述隔离片的相邻隔离片，并通过所述载片的重力作用使所述第一待处理表面与所述相邻隔离片的表面紧密贴合。优选的，所述载片装置包括复数个镂空舟片，所述机械装置包括移动部以及复数个隔离板，所述隔离板为所述机械装置的致密结构件，将所述待处理硅片与所述镂空舟片固定连接，通过所述移动部带动所述隔离板在相邻的待处理硅片之间移动，以使任意一个所述待处理表面与所述隔离板紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。其有益效果在于：有利于装载多个待处理硅片，以提高产能。优选的，所述步骤S3中，所述镀膜处理包括钝化处理或减反射处理。其有益效果在于：有利于在同一所述单一沉积腔内对同一所述待处理硅片沉积不同功能或相同功能的介质膜。进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面依次进行所述钝化处理和所述第一次减反射处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜处理。进一步优选的，所述钝化处理包括第一次钝化处理和第二次钝化处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次钝化处理后，执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面进行所述第二次钝化处理。进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，所述第二次钝化处理完成后，对另一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理，然后执行所述机械操作，最后对一个所述待处理表面进行所述第二次减反射处理，以完成所述镀膜操作。进一步优选的，所述减反射处理包括第一次减反射处理和第二次减反射处理，所述步骤S3中，对一个所述待处理表面进行所述第一次减反射处理后，再执行所述机械操作，然后对另一个所述待处理表面依次执行所述钝化处理和所述第二次减反射处理。优选的，所述待处理硅片为N型硅片或P型硅片中的任意一种。进一步优选的，所述介质膜沉积方法还包括步骤S0，所述步骤S0中，提供原始硅片，对所述原始硅片进行制绒工艺、扩散工艺、绝缘抛光工艺、热氧化工艺和背钝化工艺中的任意一种或多种，以形成所述待处理硅片。优选的，所述第一介质膜和所述第二介质膜的厚度均小于200nm。进一步优选的，所述第一介质膜和所述第二介质膜均由钝化膜或减反射膜中的任意一种或两种构成，所述钝化膜的层数至少为1，所述减反射膜的层数至少为1。进一步优选的，所述减反射膜各层的组成材料为氮化硅或氮氧化硅中的任意一种，所述钝化膜各层的组成材料为氧化硅、碳化硅、铝氧化物中的任意一种。进一步优选的，所述减反射膜或所钝化膜为渐进膜。附图说明图1为本专利技术的介质膜沉积方法的流程图；图2a为现有技术常用的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺流程示意图；图2b为本专利技术的“正面钝化-正面减反射-背面减反射”工艺流程示意图；图3a为现有技术常用的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图；图3b为本专利技术的“正面钝化-背面钝化-背面减反射-正面减反射”工艺流程示意图；图4为本专利技术一些实施例的石墨舟的部分结构示意图；图5为本专利技术的气相沉积设备的结构示意图；图6为图4所示的石墨舟中的装载单元的一种工作状态示意图；图7为图6所示的装载单元的另一种工作状态示意图；图8为本专利技术另一些实施例的石墨舟、机械装置以及待处理硅片之间的工作状态示意图；图9为图8所示的第一镂空舟片的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质膜沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。

【技术特征摘要】
1.一种介质膜沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述待处理硅片进行镀膜处理和机械操作，以使两个所述待处理表面分别形成第一介质膜和第二介质膜；所述步骤S3中，通过所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，以使任意一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。2.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述机械装置完成所述机械操作的时间不超过10分钟。3.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述载片装置具有复数个隔离片，所述隔离片为所述载片装置的致密结构件，相邻隔离片之间通过绝缘杆组件固定连接，所述步骤S2中，将所述待处理硅片水平放置在所述隔离片的表面，通过所述待处理硅片的重力作用使一个所述待处理表面与所述隔离片的表面紧密贴合。4.根据权利要求3所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述机械装置对所述载片装置进行所述机械操作，使所述待处理硅片沿所述绝缘杆组件滑动至所述隔离片的相邻隔离片，并通过所述待处理硅片的重力作用使所述第一待处理表面与所述相邻隔离片的表面紧密贴合。5.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述载片装置包括复数个镂空舟片，所述机械装置包括移动部以及复数个隔离板，所述隔离板为所述机械装置的致密结构件，将所述待处理硅片与所述镂空舟片固定连接，通过所述移动部带动所述隔离板在相邻的待处理硅片之间移动，以使任意一个所述待处理表面与所述隔离板紧密贴合时，另一个所述待处理表面处于待镀状态。6.根据权利要求1所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述镀膜处理包括钝化处理或减反射处理。7.根据权利要求6所述的介质膜沉积方法，其特征在于，所述减反射处理包...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴虹，奚明，汤亮才，刘奎，王传博，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31