【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于转换多种气体而使气体流动的集成气阀。例如从多种工艺气体中选择规定的工艺气体,并使此工艺气体流入已经预先流动的携带气体内的可用于半导体制造装置的集成气阀。
技术介绍
一直以来,有通过使作为不同工艺过程的材料的气体每次少量流动,顺次形成被膜并叠层而制造半导体的方法。这种方法例如如图11框图所示,使用下述结构的集成气阀,即工艺气体流路201、202、203与携带气体流路200相连,开闭阀211、212、213分别设置在各个工艺气体流路201、202、203上。利用这种集成气阀,使反应炉与携带气体流路200相连,对工艺过程没有影响的携带气体总是流动。另一方面,从工艺气体流路201、202、203向携带气体流路200供应分别来自各流路的不同工艺气体。因而,通过开闭规定的开闭阀211、212、213,使需要的工艺气体流入在携带气体流路200内流动的携带气体中,然后送入反应炉。对于如图11所示的现有集成气阀,从各个开闭阀211、212、213至携带气体流路200的流路部分,在供给工艺气体后的闭阀时成为残留气体的死空间Q。因而,例如在开启开闭阀211而供 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:吉田一裕,井上贵史,御友重吾,成井启修,
申请(专利权)人:喜开理株式会社,索尼株式会社,
类型:发明
国别省市:
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