外延基板制造技术

本发明专利技术提供一种外延基板。所述外延基板包括基板结构，所述基板结构具有上部与下部，其中上部具有与基板结构的厚度方向平行的第一侧面、下部具有与基板结构的厚度方向平行的第二侧面以及第一侧面与第二侧面之间具有一距离，且所述距离介于0.1mm～3mm。

【技术实现步骤摘要】
外延基板
本专利技术涉及一种基板，尤其涉及一种外延基板。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,MOCVD)是目前在晶片(wafer)上进行外延(epitaxy)工艺的一种方法。在MOCVD的过程中，晶片设置在基板上。通过控制腔体内诸如温度、气压和气体流速等工艺参数以获得所希望的晶体生长。然而，在MOCVD工艺中，由于晶片快速旋转，容易造成晶片的边缘碰触到载体(carrier)壁面，进而碰撞挤压产生裂痕(crack)、滑移线(slipline)等问题。这种缺陷会影响后续形成的元件，而导致元件良率不佳。因此，如何降低晶片边缘缺陷，以改善元件良率，实为目前亟欲解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种外延基板，可以改善晶片外延时容易在晶片边缘产生缺陷的问题。本专利技术的外延基板包括基板结构，所述基板结构具有上部与下部，其中上部和下部分别具有与基板结构的厚度方向平行的第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面之间具有一距离，且所述距离介于0.1mm～3mm。在本专利技术的一实施例中，上述上部的第一侧面与下部相连的部位具有一接合角度。在本专利技术的一实施例中，上述接合角度包括90度或R角。在本专利技术的一实施例中，上述基板结构的上部的厚度介于200μm～500μm。在本专利技术的一实施例中，上述上部的厚度与第一侧面与第二侧面之间的距离的比值为一第一角度的正切。在本专利技术的一实施例中，上述第一侧面与下部相连的部位为一斜面，所述斜面与水平面夹一第二角度，且第二角度不大于上述第一角度。在本专利技术的一实施例中，上述基板结构的上部具有与下部相对的顶面，所述顶面与第一侧面之间具有一倒角。在本专利技术的一实施例中，上述基板结构的下部具有接合于上部的顶面，所述下部的顶面与第二侧面之间具有一倒角。在本专利技术的一实施例中，上述基板结构的下部具有与上部相对的底面，所述下部的底面与第二侧面之间具有一倒角。在本专利技术的一实施例中，上述的基板结构可由第一晶片与第二晶片所组成，所述上部为第一晶片，且所述下部为第二晶片。基于上述，本专利技术的外延基板分为上下部，且上下部的侧面之间具有一特定距离，因此能避免外延工艺期间自上部成长的晶片，因为乘载外延基板的载体旋转快速而使晶片边缘碰触到载体壁面的问题，以降低晶片边缘缺陷，进而改善元件良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为依照本专利技术的第一实施例的一种外延基板的半边剖面示意图；图2为依照本专利技术的第二实施例的一种外延基板的半边剖面示意图；图3为依照本专利技术的第三实施例的一种外延基板的半边剖面示意图；图4为依照本专利技术的第四实施例的一种外延基板的半边剖面示意图；图5为依照本专利技术的第五实施例的一种外延基板的半边剖面示意图；图6为依照本专利技术的第六实施例的一种外延基板的半边剖面示意图。附图标记说明100、200、300、400、500、600：基板结构102：上部102a、104a：顶面104：下部104b：底面106：第一侧面108：第二侧面110：接合角度112、606：倒角114、116：内角202：斜面602：第一晶片604：第二晶片d：距离t：厚度θ1：第一角度θ2：第二角度具体实施方式以下将参考附图来全面地描述本专利技术的例示性实施例，但本专利技术还可按照多种不同形式来实施，且不应解释为限于本文所述的实施例。在附图中，为了清楚起见，各区域、部位及层的大小与厚度可不按实际比例绘制。为了方便理解，下述说明中相同的元件将以相同的符号标示来说明。图1为依照本专利技术的第一实施例的一种外延基板的半边剖面示意图。请参照图1，第一实施例的外延基板包括基板结构100。基板结构100具有上部102与下部104，且为了清楚起见在图中只显示半边的外延基板，应知整个外延基板的另一半与图中呈现镜面对应。根据本实施例，基板结构100为单一晶片，其材料例如硅、碳化硅、氧化铝(蓝宝石)、氮化镓、氮化铝或是其他的材料。所述基板结构100的上部102具有与基板结构100的厚度方向平行的第一侧面106；下部104则具有与基板结构100的厚度方向平行的第二侧面108。在本实施例中，第一侧面106与第二侧面108之间具有一距离d，且距离d介于0.1mm～3mm，例如0.1mm、0.5mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm或3mm。详细而言，若距离d低于0.1mm，则第一侧面106与第二侧面108过于接近而相当于位在同一平面，因此无法降低晶片外延时其边缘碰触载体壁面的机率。若距离d大于3mm，则上部102的可用面积过小。在一实施例中，上部102的最大直径小于下部104的最大直径，而外延面是上部102与下部104相对的顶面102a，但本专利技术不限于此。若是将基板结构100倒置，则上部102的最大直径可大于下部104的最大直径，此时外延面是下部104与上部102相对的底面104b。在本实施例中，由于利用如MOCVD方式进行晶片外延时，第一侧面106相较第二侧面108远离载体的壁面，且两者之间具有特定距离d。也就是说，当基板结构100在工艺中旋转时，由于第一侧面106与第二侧面108之间具有特定距离d，使得载体仅会碰触到第二侧面108，而第一侧面106不受影响，进而能避免承载在基板结构100上的晶片因旋转快速，而使其边缘碰触到载体壁面的问题，以防止晶片边缘缺陷产生，进而改善元件良率。在本实施例中，基板结构100的上部102与基板结构100的下部104相连的部位具有一接合角度110。在本实施例的接合角度110是R角，但本专利技术不以此为限；接合角度110还可以是90度。在本实施例中，基板结构100的上部102具有一厚度t，例如介于200μm～500μm。详细而言，若上部102的厚度t低于200μm，则基板结构100的上部102在外延工艺中，易因基板结构100高速旋转而触碰到载体的壁面，进而损伤承载在基板结构100的上部102上的晶片；若上部102的厚度t高于500μm，则基板结构100的下部104相较于上部102的厚度不足，易使得基板结构在外延工艺中因高速旋转而飞离载体。在一些实施例中，基板结构100的上部102的顶面102a与第一侧面106之间具有一倒角(bevel)112，其中倒角112介于9度～47度，优选为10度～25度。在另一些实施例中，基板结构100的下部104具有接合于上部102的顶面104a，顶面104a与第二侧面108之间形成有内角114，且第二侧面108与下部104的底面104b之间形成有另一内角116。其中，内角114可选择性地为倒角，其中倒角介于9度～47度，优选为10度～25度。详细而言，若上述倒角112或为倒角的内角114低于9度，则倒角过小，使得缺陷容易延伸至基板结构100上成长的晶面；若倒角112或为倒角的内角114高于47度，则容易造成基板结构100碎边。在另一些实施例中，若倒角112或为倒角的内角114介于10度～25度，则适合防止晶片边缘缺陷产生，进而改善元件良率。考虑到加工性的观点，倒角工艺例如是CNC精密加工、L型成型圆边砂轮、研磨工艺、激光工艺或是化学蚀刻(chemicaletching)等来进行，但本专利技术不以此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延基板，其特征在于，包括：基板结构，具有上部与下部，其中所述上部具有与所述基板结构的厚度方向平行的第一侧面、所述下部具有与所述基板结构的所述厚度方向平行的第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面之间具有距离，且所述距离介于0.1mm～3mm。

【技术特征摘要】
2018.04.03 TW 1071117291.一种外延基板，其特征在于，包括：基板结构，具有上部与下部，其中所述上部具有与所述基板结构的厚度方向平行的第一侧面、所述下部具有与所述基板结构的所述厚度方向平行的第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面之间具有距离，且所述距离介于0.1mm～3mm。2.根据权利要求1所述的外延基板，其中所述上部的所述第一侧面与所述下部相连的部位具有接合角度。3.根据权利要求2所述的外延基板，其中所述接合角度包括90度或R角。4.根据权利要求1所述的外延基板，其中所述基板结构的所述上部的厚度介于200μm～500μm。5.根据权利要求1所述的外延基板，其中所述上部的厚度与所述第一侧面与所述第二侧面之间的所述距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：范俊一，庄志远，施英汝，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71