一种滤波器的晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种滤波器的晶圆级封装结构，滤波器为基体，包含输入输出端口和IDT区域，输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域、粘结层的侧壁、粘结层上表面未被盖板覆盖的区域、盖板的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构；金属件连接所述输入输出端口，并通过阶梯状结构延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或者部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。上述的封装结构，较大程度优化了封装结构，降低封装工艺难度，提升了产品可靠性以及降低了产品成本。

A wafer level packaging structure of filter

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器的晶圆级封装结构
本技术涉及半导体的封装领域，尤其是一种滤波器的封装结构。
技术介绍
滤波器目前主要的封装技术还是用引线键合的陶瓷、金属、塑料封装形式，现有的这类滤波器封装结构存在以下缺点：1、表面密封盖成本较高；2、产品的可靠性对基体及密封盖平整度要求严苛，容易引起失效。3、器件安装的准确性、信号导线的影响、焊接的角度等这一系列的不确定性便造成了器件性能的不一致性，甚至对滤波器造成破坏。例如申请号为201711019212.4的中国技术专利，其为了形成封装结构，需要先在基体的正面制作输入输出端口，然后将基体的正面整体用盖板覆盖以保护输入输出端口，然后在基体的部分制作斜坡，，然后在基体的背面制作连接到输入输出端口的盲孔，进而使用金属线路连接输入输出端口和焊盘，这样才完成了整个封装过程。步骤非常多，工艺也比较复杂。
技术实现思路
本技术所要解决的主要技术问题是提供一种滤波器的晶圆级封装结构，可以降低封装工艺难度和封装成本。为了解决上述的技术问题，本技术提供了一种滤波器的晶圆级封装结构，其特征在于包括基体；基体的上表面上包含输入输出端口和IDT区域；输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域、粘结层的侧壁、粘结层上表面未被盖板覆盖的区域、盖板的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构；金属件连接所述输入输出端口，并通过阶梯状结构延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。本技术还提供了一种滤波器的晶圆级封装结构，包括基体；基体的上表面上包含输入输出端口和IDT区域；输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面完全覆盖，盖板的侧壁与粘接层的侧壁平齐；金属件连接所述输入输出端口，并通过盖板和粘接层的侧壁延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或者部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。在一较佳实施例中：所述盖板的材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属。在一较佳实施例中：所述封装电连接单元为镍钯金、镍金、钛铜焊盘或者BGA焊球。在一较佳实施例中：所述粘结层的厚度大于等于1微米。在一较佳实施例中：所述盖板的厚度大于等于1微米。在一较佳实施例中：所述粘结层与盖板的下表面，所述粘结层与输入输出端口的上表面还分别设有助粘剂。相较于现有技术，本技术的技术方案具备以下有益效果：1)实现了体积小、成本低的滤波器的封装结构。2)解决了现有传统封装结构体积大、工艺复杂同时性价比低的问题，同时因为采用了晶圆级封装工艺，使产品的每个部分都保持了质量的一致性，这也解决了封装可靠性低、单个成本高等问题。3)爬墙阶梯状的金属连接件降低了工艺复杂度，提高了产品的良率。附图说明图1为本技术优选实施例1中滤波器的晶圆级封装结构的示意图图2为本技术优选实施例2中滤波器的晶圆级封装结构的示意图；图3为本技术优选实施例3中滤波器的晶圆级封装结构的示意图。具体实施方式下文通过附图和具体实施例对本技术做进一步说明。一种滤波器的晶圆级封装方法，包括以下步骤：1)提供晶圆作为基体1，基体1的上表面上包含输入输出端口2和IDT(叉指换能器)区域7；此步骤中，晶圆的材料可以是硅或金刚石；输入输出端口2采用电镀、或溅射、或印刷工艺制作，材料为金属；2)输入输出端口2的上表面被粘结层3部分覆盖，各处的粘结层3厚度一致，同时露出IDT区域7；3)将盖板4粘合至粘结层3的上表面，并将粘结层3的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口2上表面未被粘结层3覆盖的区域、粘结层3的侧壁、粘结层3上表面未被盖板4覆盖的区域、盖板4的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构本实施例中，所述粘结层3与盖板4的下表面，所述粘结层3与输入输出端口2的上表面还分别设有助粘剂；输入输出端口2的一部分被粘结层3覆盖，被覆盖部分的输入输出端口可以被粘结层3保护，防止腐蚀，同时通过粘结层3将盖板4粘结在基体1的上表面，起到隔绝外界空气的作用；由于粘接层3有一定厚度，使得盖板4与基体1之间形成一个空腔，保护了位于空腔内的IDT区域7。盖板4的材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属材料；需要说明的是，本实施例中各图仅仅显示了晶圆中一个滤波器单元，实际一块晶圆上同时制作许多的滤波器单元，可以想象的是，整块晶圆上的截面结构为各图单个滤波器单元截面结构向一侧或两侧的重复；4)对所述阶梯状结构电镀金属件5，金属件5连接所述输入输出端口2，并通过阶梯状结构延伸；所述金属件5完整或部分覆盖输入输出端口2上表面未被粘结层3覆盖的区域；由于阶梯状结构的存在，在电镀过程中就可以形成爬墙式的金属件5，阶梯状结构中的平面对金属件5进行支撑，保证金属件5有足够的强度，输入输出端口2与封装电连接单元6的电连接就比较稳固。并且，金属件5将未被粘结层3覆盖的输入输出端口2覆盖，使得这部分的输入输出端口2被金属件5所保护。所述金属件10的材料可以是铜，镍，锡，银等；5)在盖板4的上表面制作与金属件连接的封装电连接单元6。6)最后将晶圆基体切割成单个滤波器。最终形成的滤波器的晶圆级封装结构如图1所示，包括基体1；所述基体1的上表面设有输入输出端口2；输入输出端口2的上表面被粘结层3部分覆盖；盖板4压在粘结层3之上，并且盖板4将粘结层3的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口2上表面未被粘结层覆盖的区域、粘结层3的侧壁、粘结层3上表面未被盖板4覆盖的区域、盖板4的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构；金属件5连接所述输入输出端口2，并通过阶梯状结构延伸至盖板4的上表面与封装电连接单元6连接，所述金属件5完整或部分覆盖输入输出端口2上表面未被粘结层3覆盖的区域。所述盖板4的材料为玻璃、陶瓷、硅或者金属。所述封装电连接单元6为焊球，作为本实施例的简单替换，封装电连接单元6还可以为镍钯金、镍金、钛铜焊盘。本实施例中，所述粘结层3的厚度大于等于1微米。所述盖板4的厚度大于等于1微米。实施例2实施例2与实施例1的区别在于：将封装电连接单元6由焊球替换为了焊盘，如图2所示。其余部分与实施例1相同，再此不再赘述。实施例3实施例3与实施例1的区别在于：实施例1的封装电连接单元6设置在盖板4的上表面，本实施例中改为设置在基体1的上表面。如图3所示。实施例4本实施例与实施例1的区别在于，盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面完全覆盖，盖板的侧壁与粘接层的侧壁平齐；金属件连接所述输入输出端口，并通过盖板和粘接层的侧壁延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或者部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。以上仅为本技术的优选实施例，但本技术的范围不限于此，本领域的技术人员可以容易地想到本技术所公开的变化或技术范围。替代方案旨在涵盖在本技术的范围内。因此，本技术的保护范围应由权利要求的范围确定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器的晶圆级封装结构，其特征在于包括基体；基体的上表面上包含输入输出端口和IDT区域；输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域、粘结层的侧壁、粘结层上表面未被盖板覆盖的区域、盖板的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构；金属件连接所述输入输出端口，并通过阶梯状结构延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或者部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。

【技术特征摘要】
1.一种滤波器的晶圆级封装结构，其特征在于包括基体；基体的上表面上包含输入输出端口和IDT区域；输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面部分覆盖，使得所述输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域、粘结层的侧壁、粘结层上表面未被盖板覆盖的区域、盖板的侧壁和上表面形成连续的阶梯状结构；金属件连接所述输入输出端口，并通过阶梯状结构延伸至盖板的上表面；盖板的上表面或者基体的上表面具有一与金属件连接的封装电连接单元，所述金属件完整或者部分覆盖输入输出端口上表面未被粘结层覆盖的区域。2.一种滤波器的晶圆级封装结构，其特征在于包括基体；基体的上表面上包含输入输出端口和IDT区域；输入输出端口的上表面被粘结层部分覆盖，同时露出IDT区域；盖板粘合在粘结层的上表面，并且盖板将粘结层的上表面完全覆盖，盖板的侧壁与粘接层的侧壁平...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜峰，王阳红，
申请(专利权)人：厦门云天半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35