一种板级高功率器件系统级封装结构及其封装方法技术方案

本发明专利技术涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种板级高功率器件系统级封装结构及其制作方法。封装结构至少包括散热板件、芯片、第一金属凸块、第二金属凸块、连接层、塑封层。芯片具有相对的功能面和非功能面，功能面设有第一焊盘、第二焊盘以及电连接第一焊盘、第二焊盘的第一金属凸块、第二金属凸块，非功能面设置第三焊盘；连接层设置在芯片与散热板件之间；塑封层设于散热板件上且包覆连接层、芯片及第一金属凸块、第二金属凸块，并暴露第一金属凸块、第二金属凸块的端面。通过上述设置，使得封装结构不仅具有良好的散热效果，还可以优化塑封存在的翘曲问题，提升器件性能；同时还省去基板及临时键合工艺，减小封装尺寸，有效节省芯片制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，特别涉及一种板级高功率器件系统级封装结构及其封装方法。

技术介绍

1、随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(fan-out wafer levelpackage，fowlp)的封装结构广泛应用于半导体行业中，已成为目前最为先进的封装技术。特别是针对功率器件、毫米波以及电源管理类的集成封装方面，fan-out技术主要通过重构晶圆，实现多颗芯片的集成合封，使不同器件之间的性能更加耦合，解决制造过程差异带来的器件不匹配的问题。该封装技术具有高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等优势。

2、然而现有的扇出封装结构一般采用环氧塑封材料对重构晶圆进行塑封，虽然能起到很好的塑封保护作用，但是该材料的热膨胀系数较大，在封装过程中容易引起整个晶圆封装体形成翘曲，继而易导致后续重布线工艺制程困难、重布线结构结合力差等问题；并且，环氧塑封材料本身的散热性较差,热量无法较好地排出，由于其芯片面积有限，致使芯片内部(尤其背面一侧)积累过高的热量，热量积累会使器件的电学性能发生漂移，并降低器件在长期使用的可靠性及寿命，甚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述散热板件的散热系数大于等于200W/(m·K)。

3.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述散热板件的材料包括铜、铝、金以及其合金中的至少一种，所述散热板件为一体式面板结构。

4.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括金属柱，所述金属柱电连接所述第二金属凸块和所述散热板件。

5.根据权利要求4所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

2.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述散热板件的散热系数大于等于200w/(m·k)。

3.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述散热板件的材料包括铜、铝、金以及其合金中的至少一种，所述散热板件为一体式面板结构。

4.根据权利要求1所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括金属柱，所述金属柱电连接所述第二金属凸块和所述散热板件。

5.根据权利要求4所述的板级高功率器件系统级封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括重布线结构，所述重布线结构位于远离所述散热板件一侧的所述塑封层的台面上；所述重布线结构通过所述第一金属凸块、第二金属凸块...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑洪，姜峰，于大全，
申请(专利权)人：厦门云天半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：