一种校正晶圆位置的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种校正晶圆位置的装置，包括：若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；动力装置，所述动力装置驱动所述调整棒沿切线方向运动。本实用新型专利技术的校正晶圆位置的装置能校正晶圆的位置，提高清洗效率，降低破片的概率，采用本装置校正晶圆位置前不需要检测晶圆的位置，从而节省时间，而且本装置的控制简单。

A device for correcting wafer position

【技术实现步骤摘要】
一种校正晶圆位置的装置
本技术属于半导体设备制造领域，特别是涉及一种校正晶圆位置的装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆通过清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦化等工艺形成IC产品，在这些工艺中都对晶圆的位置有严格的要求，位置有偏差会影响工作效率，还会导致破片，所以校正晶圆位置在半导体设备中尤为重要。现有的清洗晶圆设备腔室内无法确定晶圆的位置，导致清洗不均匀，还会导致破片。基于以上所述，本技术的目的是给出一种校正晶圆位置的装置，以解决现有技术的无法判断晶圆位置，清洗效率低，破片几率大等问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种校正晶圆位置的装置，用于解决现有技术中无法判断晶圆位置，清洗效率低，破片几率大等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种校正晶圆位置的装置，包括：若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；动力装置，所述动力装置驱动所述调整棒沿切线方向运动。可选地，所述调整棒的数量包括至少3个。可选地，所述调整棒的数量为3个，3个所述调整棒的运动方向形成一等边三角形，所述晶圆目标位置为所述等边三角形的内切圆。可选地，所述调整棒的材质包括聚氯乙烯。可选地，所述切线方向包括第一位置及第二位置，所述第一位置和所述第二位置分布于所述切点的两侧，在校正晶圆位置时，所述调整棒由第一位置沿其对应的切线方向运动至第二位置，再由所述第二位置沿其对应的切线方向运动至所述第一位置。可选地，所述若干调整棒同时经过所述切点位置。可选地，所述动力装置包括气缸。可选地，所述调整棒的下端与所述气缸连接，所述气缸的数量与所述调整棒的数量相同，所述调整棒沿着所述气缸的缸筒运动。可选地，所述调整棒运动于所述切点位置时也位于所述缸筒的中心位置。可选地，所述气缸包括磁偶式无杆气缸。可选地，所述气缸包括缸筒、磁块、磁环，所述缸筒包括非铁磁性物质，所述磁块位于所述缸筒内部，所述磁环套于所述缸筒外部，所述磁环与所述调整棒连接，所述磁块牵引着所述磁环从而驱动所述调整棒沿着所述缸筒运动。可选地，所述气缸的两端连接有气体源，以向所述缸筒内输送具有一定压强的气体从而推动所述磁块运动，所述气缸与所述气体源之间具有阀门，以控制气体输送的通断，所述气体源包括被压缩的干燥气体源，所述阀门包括电磁阀门。可选地，所述磁环与所述调整棒通过固定部件连接，所述调整棒与所述气缸一侧的夹角处具有弹性部件，使所述调整棒在不受挤压时与所述气缸垂直，使所述调整棒在受到挤压时向所述气缸的一侧偏转。可选地，还包括盖板，所述盖板的开关由盖板气缸控制，所述盖板关闭时挤压所述调整棒，使所述调整棒向所述气缸的一侧偏转，使所述调整棒的最高点低于所述晶圆目标位置，以保护所述调整棒，所述盖板开启时不挤压所述调整棒，所述调整棒与所述气缸垂直。可选地，所述校正晶圆位置的装置位于清洗腔室内，以校正晶圆的位置。可选地，所述晶圆由所述清洗腔室内的真空吸盘支撑，在校正晶圆位置时所述真空吸盘不固定所述晶圆，所述清洗腔室内具有环状废液收集盘。本技术还提供一种清洗晶圆的装置，包括：第一腔室；校正晶圆位置的装置，所述校正晶圆位置的装置位于所述第一腔室内；真空吸盘，所述真空吸盘位于所述第一腔室内，所述真空吸盘位于晶圆目标位置的中心下方，以支撑固定晶圆。可选地，所述第一腔室内还包括环状废液收集盘。如上所述，本技术提供一种校正晶圆位置的装置，本技术具有以下功效：本技术的校正晶圆位置的装置能校正晶圆的位置，提高清洗效率，降低破片的概率，采用本装置校正晶圆位置前不需要检测晶圆的位置，从而节省时间，而且本装置的控制简单。进一步的，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述调整棒沿所述晶圆目标位置的切线方向过切点运动，以校正晶圆的位置，从而提高清洗效率，降低破片的概率。所述气缸驱动所述调整棒运动，本装置的控制简单。所述气缸包括磁偶式无杆气缸，能节省空间和成本。还包括盖板，所述盖板的开关由盖板气缸控制，所述盖板关闭时挤压所述调整棒，使所述调整棒向所述气缸的一侧偏转，使所述调整棒的最高点低于所述晶圆目标位置，以保护所述调整棒。所述清洗腔室内具有环状废液收集盘，清洗过程的清洗液会被所述环状废液收集盘收集，从而不会乱飞溅。附图说明图1显示为本技术的校正晶圆位置的装置中调整棒位于第一位置时所呈现的俯视图。图2显示为本技术的校正晶圆位置的装置中调整棒位于第二位置时所呈现的俯视图。图3显示为本技术的校正晶圆位置的装置中调整棒所呈现的主视图。图4显示为本技术的校正晶圆位置的装置中调整棒与气缸垂直时所呈现的结构示意图。图5显示为本技术的校正晶圆位置的装置中调整棒向气缸一侧偏转时所呈现的结构示意图。图6显示为本技术的校正晶圆位置的装置中气缸所呈现的截面图。图7显示为本技术的校正晶圆位置的装置中盖板关闭时所呈现的俯视图。元件标号说明101晶圆目标位置102调整棒103缸筒104磁环105环状废液收集盘106切点107第一位置108第二位置109固定部件110弹性部件111阀门112气体源113磁块114盖板具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图6。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例1如图图1～图6所示，本实施例提供一种校正晶圆位置的装置，包括：调整棒102、动力装置。所述调整棒102贯穿晶圆目标位置101所在的平面并与所述晶圆目标位置101所在的平面垂直，所述晶圆目标位置101包括等距分布的若干切点106，所述若干调整棒102各自沿经过所述晶圆目标位置101的所述切点106的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置。作为示例，所述调整棒102的数量包括至少3个。所述调整棒102的材质包括聚氯乙烯。所述切线方向包括第一位置107及第二位置108，所述第一位置107和所述第二位置108分布于所述切点106的两侧，在校正晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校正晶圆位置的装置，其特征在于，包括：若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；动力装置，驱动所述调整棒沿所述切线方向运动。

【技术特征摘要】
1.一种校正晶圆位置的装置，其特征在于，包括：若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；动力装置，驱动所述调整棒沿所述切线方向运动。2.根据权利要求1所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述调整棒的数量包括至少3个。3.根据权利要求2所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述调整棒的数量为3个，3个所述调整棒的运动方向形成一等边三角形，所述晶圆目标位置为所述等边三角形的内切圆。4.根据权利要求1所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述调整棒的材质包括聚氯乙烯。5.根据权利要求1所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述切线方向包括第一位置及第二位置，所述第一位置和所述第二位置分布于所述切点的两侧，在校正晶圆位置时，所述调整棒由第一位置沿其对应的切线方向运动至第二位置，再由所述第二位置沿其对应的切线方向运动至所述第一位置。6.根据权利要求5所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述若干调整棒同时经过所述切点位置。7.根据权利要求1所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述动力装置包括气缸。8.根据权利要求7所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述调整棒的下端与所述气缸连接，所述气缸的数量与所述调整棒的数量相同，所述调整棒沿着所述气缸的缸筒运动。9.根据权利要求8所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述调整棒运动于所述切点位置时也位于所述缸筒的中心位置。10.根据权利要求8所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述气缸包括磁偶式无杆气缸。11.根据权利要求10所述的校正晶圆位置的装置，其特征在于：所述气缸包括缸筒、...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁洋，刘家桦，叶日铨，张文福，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32