一种低插损双频微带天线制造技术

本发明专利技术涉及微波领域，特涉及一种低插损双频微带天线，可应用于通信产品。本发明专利技术的电路层包括左电路层、右电路层，除端口一外，左电路层呈上下对称结构；右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180°得到，坐标系的X轴位于左电路层的水平中心线上，Y轴距离左电路层边距为0.18mm。本发明专利技术通过改变馈电点的位置对阻抗匹配进行优化，大幅度提高了插损指标。

A low insertion loss dual-band microstrip antenna

【技术实现步骤摘要】
一种低插损双频微带天线
本专利技术涉及微波领域，特涉及一种低插损双频微带天线，可应用于通信产品。
技术介绍
天线是无线通信系统的重要组成部件，其性能的优劣直接关系到整个通信系统，要求损耗特性好、频率选择性高。一般的微带天线只有一个频带，可满足通信产品的常规使用需求。但是，随着电子技术的不断发展，双频段技术的应用越来越多(如电子标签、手机天线)，因此，对双频微带天线提出了需求，目前已有一些双频微带天线的设计，其插损一般在-0.5dB～-1.5dB，有的甚至达-2.5dB，已无法满足通信系统对微带天线越来越高的指标要求。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种低插损双频微带天线。本专利技术采用双点双线馈电技术，通过改变馈电点的位置对阻抗匹配进行优化，大幅度提高了插损指标。本专利技术将双频微带天线插损提高到了-0.15dB～-0.35dB。本专利技术的技术方案为：一种低插损双频微带天线，包括介质层、电路层和底层电路层和底层分布在介质层的两面。其特征在于：电路层包括左电路层、右电路层，左电路层各个支节的尺寸如表所示：位置编号尺寸(mm)位置编号尺寸(mm)x11.52y31.72x20.6y41.14x36.3y51.17x43.15y61.73x51.4d10.36y15.9d20.96y22除端口一外，左电路层呈上下对称结构；右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180°得到，坐标系的X轴位于左电路层的水平中心线上，Y轴距离左电路层边距为0.18mm。根据如上所述的一种低插损双频微带天线，其特征在于：介质层的整个矩形区域均填充介质，填充介质的材料为PTFECeramic，介电常数为10.2，厚度为1mm。根据如上所述的一种低插损双频微带天线，其特征在于：电路层覆铜箔且铜箔表面镀金，铜箔厚度0.035mm，镀金层厚度不小于0.2um。根据如上所述的一种低插损双频微带天线，其特征在于：底层覆铜箔且铜箔表面镀金，铜箔厚度0.035mm，镀金层厚度不小于0.2um。本专利技术的有益效果是：1、天线有两个工作频率，且有极低的插损，实现了尖锐的频率选择性。本专利技术在两个工作频率点以外的频率具有较高的抑制作用。2、本专利技术的电路结构简洁、便于批量生产，对制造精度要求不高，生产后的产品可以免于调试。3、结构尺寸小，可应用在手机、电子标签等领域。附图说明图1双频微带天线电路板主视图。图2介质层示意图。图3双频微带天线电路版侧视图。附图标记说明：介质层1、电路层2、底层3。具体实施方式以下结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1和图3分别为双频微带天线电路板主视图及其侧视图，其中外边框包含的整个区域为介质层1，虚线部分为电路层2和底层3，电路层2和底层3分布在介质层1的两面。本专利技术的电路层2覆铜箔且铜箔表面镀金，铜箔厚度0.035mm，镀金层厚度不小于0.2um，底层3全面覆铜箔且铜箔表面镀金，厚度与电路层2一致。图2是介质层1示意图，整个矩形区域均填充介质，材料为PTFECeramic(聚四氟乙烯陶瓷)，介电常数为10.2，厚度为1mm。如图1所示，本专利技术的电路层2包括左电路层、右电路层，左电路层各个支节的尺寸如表1所示。从结构上看，如果去掉端口一矩形区域，左电路层呈上下对称结构。右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180°得到，坐标系的X轴位于左电路层的水平中心线上，Y轴距离左电路层边距为0.18mm，即图中的d1为0.36mm。左电路层的端口为端口一，右电路层的端口为端口二。端口一和端口二为天线的输入/输出端口，两个端口可以互换使用。端口一可与功放连接，端口二可与微波发射装置连接。各个支节的尺寸如表1所示：表1位置编号尺寸(mm)位置编号尺寸(mm)x11.52y31.72x20.6y41.14x36.3y51.17x43.15y61.73x51.4d10.36y15.9d20.96y22本专利技术的装置整体结构尺寸小，大小为15.77mm×8.8mm×1.07mm，可以应用在电子标签、手机天线等领域，实现天线便捷化高性能通讯。通过测试获得，本专利技术的装置在频率点3140MHz和5080MHz工作时，插损分别为-0.33dB和-0.15dB。本专利技术不仅局限于上述具体实施方式，本领域一般技术人员根据本专利技术公开的内容，可以采用其它多种具体实施方式实施本专利技术，因此，凡是采用本专利技术的设计结构和思路，做一些简单的变化或更改的设计，都落入本专利技术保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低插损双频微带天线，包括介质层、电路层和底层电路层和底层分布在介质层的两面。其特征在于：电路层包括左电路层、右电路层，左电路层各个支节的尺寸如表所示：

【技术特征摘要】
2018.10.18 CN 20181121385041.一种低插损双频微带天线，包括介质层、电路层和底层电路层和底层分布在介质层的两面。其特征在于：电路层包括左电路层、右电路层，左电路层各个支节的尺寸如表所示：位置编号尺寸(mm)位置编号尺寸(mm)x11.52y31.72x20.6y41.14x36.3y51.17x43.15y61.73x51.4d10.36y15.9d20.96y22除端口一外，左电路层呈上下对称结构；右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180...

【专利技术属性】
技术研发人员：许卫，张建明，李宏斌，沈金成，程浩然，伍进进，罗华，辛鹏，
申请(专利权)人：武汉滨湖电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42