像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，涉及显示技术领域；能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测；待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；该检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，输入阶段包括：向第二扫描端输入第一开启电压，侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；检测阶段包括：向第二扫描端输入第一关闭电压，侦测晶体管截止，检测第二节点的实际电压；并根据实际电压和第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。

Detection Method and Detection Device of Transistor Threshold Voltage Drift in Pixel Circuit

【技术实现步骤摘要】
像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，其中，AMOLED(Active-matrixOLED，中文全称：主动矩阵有机发光二极体)因驱动电压低，发光组件寿命长等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。OLED显示器的每一亚像素中均设置有像素电路来驱动OLED发光以进行画面显示；其中，像素电路一般采用晶体管、电容等器件电连接而成，然而，由于工艺、材料以及设计等方面不同的各像素电路中的晶体管的阈值电压往往会发生漂移，从而造成显示器在显示过程中出现亮点、暗点等，并且在线缺陷(linedefect)检测中很难检测出来；因此，对于设计一种关于像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法很有必要，以便对后续的制作工艺、显示驱动等提供相关的参考依据。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。在一些实施例中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第一信号，所述开关晶体管保持导通状态；所述驱动晶体管的阈值电压的漂移检测方法，在所述输入阶段之前还包括：重置阶段；所述重置阶段包括，向所述数据电压端输入重置电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述重置电压输出至所述第一节点，以将所述存储电容中残留的电荷释放，并对所述第二节点进行重置；所述输入阶段还包括：向所述侦测电压端输入第一电压；向所述第一控制电压端输入第一控制电压；向所述数据电压端输入第一数据电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述第一数据电压输出至所述第一节点。在一些实施例中，所述第一数据电压大于所述第一控制电压，所述第一电压大于所述第一控制电压；所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压小于所述第一电压，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。在一些实施例中，所述待检测晶体管为所述侦测晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第二信号，所述开关晶体管保持截止状态；所述检测阶段还包括：向所述侦测信号端输入第二电压；所述第二电压与所述第一电压不同。在一些实施例中，所述第一关闭电压大于所述第一电压，所述第二电压大于所述第一电压；所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压大于所述第一电压，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。本专利技术实施例还提供一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；所述检测装置包括：输入单元、检测单元、处理器；所述输入单元配置为：在输入阶段，向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，向所述侦测信号端输入第一电压；所述输入单元还配置为：在检测阶段，向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止；所述检测单元配置为：在所述检测阶段，检测所述第二节点的实际电压；所述处理器配置为：在所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个。在一些实施例中，在所述待检测晶体管为所述开关晶体管时，所述处理器配置为：根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压小于所述第一电压时，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。在一些实施例中，在所述待检测晶体管为所述侦测晶体管时，所述处理器配置为根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压大于所述第一电压时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。本专利技术实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；该检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，输入阶段包括：向第二扫描端输入第一开启电压，侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；检测阶段包括：向第二扫描端输入第一关闭电压，侦测晶体管截止，检测第二节点的实际电压；并根据实际电压和第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。综上所述，采用本专利技术提供的检测方法，能够对像素驱动电路中的驱动晶体管和侦测晶体管的阈值电压的漂移状态进行检测，从而可以对后续的生产以及显示控制提供依据，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。2.根据权利要求1所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。3.根据权利要求2所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。4.根据权利要求1-3任一项所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第一信号，所述开关晶体管保持导通状态；所述驱动晶体管的阈值电压的漂移检测方法，在所述输入阶段之前还包括：重置阶段；所述重置阶段包括，向所述数据电压端输入重置电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述重置电压输出至所述第一节点，以将所述存储电容中残留的电荷释放，并对所述第二节点进行重置；所述输入阶段还包括：向所述侦测电压端输入第一电压；向所述第一控制电压端输入第一控制电压；向所述数据电压端输入第一数据电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述第一数据电压输出至所述第一节点。5.根据权利要求4所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述第一数据电压大于所述第一控制电压，所述第一电压大于所述第一控制电压；所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述驱动晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压小于所述第一电压，则确定所述驱动晶体管的阈值电压发生负漂移。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪军，王东方，闫梁臣，李广耀，王海涛，王庆贺，胡迎宾，张扬，苏同上，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11