晶体管结构及其操作方法技术

本发明专利技术公开一种晶体管结构及其操作方法，其中该晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。栅极重叠本征半导体层的通道部。本征半导体层位于基板与栅极之间。第一源/漏极接触本征半导体层的第一接触部。第二源/漏极接触本征半导体层的第二接触部。遮蔽金属层配置于基板与本征半导体层之间。遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部。遮蔽图案重叠通道部。

Transistor structure and its operation method

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其操作方法
本专利技术涉及一种晶体管结构及其操作方法。
技术介绍
降低液晶显示面板的驱动频率可以达到节能的效果。然而，液晶显示面板于低频操作时，容易因像素结构的漏电，使画面(frame)的亮度下降，而在更新成下一个画面时，亮度又会明显提升，进而产生画面闪烁(flicker)现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶体管结构，性能佳。本专利技术提供一种晶体管结构的操作方法，能使晶体管结构具有良好的性能表现。本专利技术的一种晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。第一过度部连续的延伸于第一接触部与通道部之间。第二过度部连续的延伸于第二接触部与通道部之间。栅极重叠本征半导体层的通道部。本征半导体层位于基板与栅极之间。第一源/漏极接触本征半导体层的第一接触部。第二源/漏极接触本征半导体层的第二接触部。遮蔽金属层配置于基板与本征半导体层之间。遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：基板；本征半导体层，配置于该基板上，该本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部，该第一过度部连续的延伸于该第一接触部与该通道部之间，且该第二过度部连续的延伸于该第二接触部与该通道部之间；栅极，重叠该本征半导体层的该通道部，且该本征半导体层位于该基板与该栅极之间；第一源/漏极，接触该本征半导体层的该第一接触部；第二源/漏极，接触该本征半导体层的该第二接触部；以及遮蔽金属层，配置于该基板与该本征半导体层之间，该遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极分别重叠该第一过度部与该第二...

【技术特征摘要】
2019.01.16 TW 108101612;2018.08.10 US 62/717,2601.一种晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：基板；本征半导体层，配置于该基板上，该本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部，该第一过度部连续的延伸于该第一接触部与该通道部之间，且该第二过度部连续的延伸于该第二接触部与该通道部之间；栅极，重叠该本征半导体层的该通道部，且该本征半导体层位于该基板与该栅极之间；第一源/漏极，接触该本征半导体层的该第一接触部；第二源/漏极，接触该本征半导体层的该第二接触部；以及遮蔽金属层，配置于该基板与该本征半导体层之间，该遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极分别重叠该第一过度部与该第二过度部，而该遮蔽图案重叠该通道部。2.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极各自与该遮蔽图案相隔一间隙。3.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该遮蔽图案为浮置，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极适于被施加电压。4.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一过度部与该通道部的交界与该第二过度部与该通道部的交界对齐该栅极的边缘。5.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极还重叠该栅极。6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一遮蔽电极还重叠该第一源/漏极。7.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二遮蔽电极还重叠该第二源/漏极。8.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一源/漏极接触该本征半导体层的面为第一接触面，该第一接触部与该第一过度部的交界对齐该第一接触面的边缘，而该第二源/漏极接触该本征半导体层的面为第二接触面，该第二接触部与该第二过度部的交界对齐该第二接触面的边缘。9.如权利要求1所述的晶体管结构，还包括配置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信学，刘品妙，张哲嘉，陈亦伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71