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本发明公开一种晶体管结构及其操作方法，其中该晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。栅极重叠本征半导...
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