薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和电子装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和电子装置，该薄膜晶体管的制造方法包括：形成有源层；在有源层上形成栅绝缘层和栅极，栅绝缘层包括位于有源层上的第一部分、在第一部分两侧的第三部分、在第一部分和至少一侧的第三部分之间的第二部分，第二部分的厚度大于第三部分的厚度，栅极与第一部分重叠；以及以栅极为掩模对有源层进行离子掺杂，在有源层中形成沟道区、源极区、漏极区和轻掺杂漏极区；其中，轻掺杂漏极区与第二部分重叠，位于源极区与沟道区和/或漏极区与沟道区之间，源极区和漏极区与第三部分重叠。该薄膜晶体管可用于阵列基板，可有效降低薄膜晶体管的漏电流，该方法可简化制程工艺，降低生产成本。

Thin Film Transistors and Their Manufacturing Methods, Array Substrates and Electronic Devices

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和电子装置
本专利技术的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和电子装置。
技术介绍
在显示领域，作为其产业核心的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)受到愈来愈多的关注。薄膜晶体管例如通常包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极等结构。薄膜晶体管技术可以应用于各种显示装置中，例如液晶显示器、有机发光二极管显示器、电子纸显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。在显示装置中，薄膜晶体管例如可以类似于一个开关的作用，例如在栅极控制下，外部数据信号可以通过薄膜晶体管向显示装置中的像素电极实施充电和放电。在显示装置中，薄膜晶体管例如通常会具有关态漏电流，这将导致相应像素电极上的被充电的电荷流失。
技术实现思路
本专利技术至少一个实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层；在有源层上形成栅绝缘层和栅极，栅绝缘层包括位于有源层上的第一部分、在第一部分两侧的第三部分、在第一部分和至少一侧的第三部分之间的第二部分，第二部分的厚度大于第三部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层和栅极，其中，所述栅绝缘层包括位于所述有源层上的第一部分、在所述第一部分两侧的第三部分、在所述第一部分和至少一侧的所述第三部分之间的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第三部分的厚度，所述栅极与所述第一部分重叠；以及以所述栅极为掩模对所述有源层进行离子掺杂，在所述有源层中形成沟道区、源极区、漏极区和轻掺杂漏极区；其中，所述轻掺杂漏极区与所述第二部分重叠，位于所述源极区与所述沟道区和/或所述漏极区与所述沟道区之间，所述源极区和所述漏极区与所述第三部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层和栅极，其中，所述栅绝缘层包括位于所述有源层上的第一部分、在所述第一部分两侧的第三部分、在所述第一部分和至少一侧的所述第三部分之间的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第三部分的厚度，所述栅极与所述第一部分重叠；以及以所述栅极为掩模对所述有源层进行离子掺杂，在所述有源层中形成沟道区、源极区、漏极区和轻掺杂漏极区；其中，所述轻掺杂漏极区与所述第二部分重叠，位于所述源极区与所述沟道区和/或所述漏极区与所述沟道区之间，所述源极区和所述漏极区与所述第三部分重叠。2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述有源层上形成所述栅绝缘层包括：在所述有源层上形成栅绝缘层薄膜；通过光刻工艺对所述栅绝缘层薄膜进行构图，以形成包括所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分的所述栅绝缘层。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二部分包括从所述第一部分向所述第三部分倾斜的斜面部分或从所述第一部分向所述第三部分延伸的阶梯部分。4.如权利要求1所述的方法，其中，在所述有源层上形成所述栅绝缘层和所述栅极包括：在所述有源层上形成所述栅绝缘层薄膜；在所述栅绝缘层薄膜上形成所述栅极；以所述栅极为掩模，对所述栅绝缘层薄膜进行刻蚀，以形成包括所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分的所述栅绝缘层。5.如权利要求4所述的方法，其中，在所述栅极上保留有用于形成所述栅极的光刻胶图案的情况下，以所述栅极为掩模对所述栅绝缘层薄膜进行刻蚀。6.如权利要求4所述的方法，其中，所述刻蚀方法为干法刻蚀。7.如权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：白妮妮，刘亮亮，唐亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11