开关及其制备方法和显示面板技术

技术编号:22003630 阅读:38 留言:0更新日期:2019-08-31 06:21
本公开提供了一种开关,包括:相对设置的第一衬底基板和承载结构,第一衬底基板朝向承载结构的一侧设置有容纳槽,容纳槽内设置有电致形变结构、第一导电图形和第二导电图形,第一导电图形与第二导电图形相对设置,电致形变结构位于第一导电图形背向第二导电图形的一侧,第一导电图形与电致形变结构固定且两者之间绝缘,第二导电图形与承载结构朝向第一衬底基板的一侧表面固定;电致形变结构用于响应所加载的电场的控制,沿垂直于第一导电图形所处平面的方向进行伸缩形变,以带动第一导电图形进行相应运动,从而控制第一导电图形与第二导电图形相接触或分离。本公开还提供了一种开关制备方法和显示面板。

Switch and its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
开关及其制备方法和显示面板
本公开涉及显示
,特别涉及一种开关及其制备方法和显示面板。
技术介绍
目前,无论是液晶显示面板还是有机发光二极管显示面板,显示面板内往往会选用薄膜晶体管来作为开关使用。在实际生产中发现,薄膜晶体管制备过程极其复杂,需要进行多次薄膜沉积-光刻-刻蚀等工艺才能制备出相应的图案,为制得PN型半导体,通常还需要进行掺杂等工序,薄膜晶体管的电学特性的均一性也难以把控。在实际使用过程中发现,将薄膜晶体管作为开关来使用时,薄膜晶体管或多或少会存在关态漏电流,影响显示效果;另外,薄膜晶体管的相对电阻较大,运行过程中容易发热,功耗偏大。
技术实现思路
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种开关及其制备方法和显示面板。第一方面,本公开实施例提供了一种开关,包括:相对设置的第一衬底基板和承载结构,所述第一衬底基板朝向所述承载结构的一侧设置有容纳槽,所述容纳槽内设置有电致形变结构、第一导电图形和第二导电图形,所述第一导电图形与所述第二导电图形相对设置,所述电致形变结构位于所述第一导电图形背向所述第二导电图形的一侧,所述第一导电图形与所述电致形变结构固定且两者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关,其特征在于,包括:相对设置的第一衬底基板和承载结构,所述第一衬底基板朝向所述承载结构的一侧设置有容纳槽,所述容纳槽内设置有电致形变结构、第一导电图形和第二导电图形,所述第一导电图形与所述第二导电图形相对设置,所述电致形变结构位于所述第一导电图形背向所述第二导电图形的一侧,所述第一导电图形与所述电致形变结构固定且两者之间绝缘,所述第二导电图形与所述承载结构朝向所述第一衬底基板的一侧表面固定;所述电致形变结构用于响应所加载的电场的控制,沿垂直于所述第一导电图形所处平面的方向进行伸缩形变,以带动所述第一导电图形进行相应运动,从而控制所述第一导电图形与所述第二导电图形相接触或分离。

【技术特征摘要】
1.一种开关,其特征在于,包括:相对设置的第一衬底基板和承载结构,所述第一衬底基板朝向所述承载结构的一侧设置有容纳槽,所述容纳槽内设置有电致形变结构、第一导电图形和第二导电图形,所述第一导电图形与所述第二导电图形相对设置,所述电致形变结构位于所述第一导电图形背向所述第二导电图形的一侧,所述第一导电图形与所述电致形变结构固定且两者之间绝缘,所述第二导电图形与所述承载结构朝向所述第一衬底基板的一侧表面固定;所述电致形变结构用于响应所加载的电场的控制,沿垂直于所述第一导电图形所处平面的方向进行伸缩形变,以带动所述第一导电图形进行相应运动,从而控制所述第一导电图形与所述第二导电图形相接触或分离。2.根据权利要求1所述的开关,其特征在于,所述电致形变结构包括:第一电极、电致形变图形和第二电极,所述电致形变图形位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述第二电极位于所述第一电极和所述第一导电图形之间,所述第二电极与所述第一导电图形之间设置有绝缘层;所述第一电极和所述第二电极用于在加载有不同电压时形成电场,所述电致形变图形用于响应所述电场的控制产生相应的伸缩形变。3.根据权利要求2所述的开关,其特征在于,所述容纳槽包括:沿第一方向延伸的第一容纳部和沿第二方向延伸的第二容纳部,所述第一容纳部和所述第二容纳部交叉设置,所述第一容纳部和所述第二容纳部相交叠的区域为交叠区;所述第一电极位于所述第一容纳部内,所述第二电极位于所述第二容纳部内,所述电致形变图形位于所述交叠区内。4.根据权利要求3所述的开关,其特征在于,所述第一电极朝向所述第二电极的一侧且未被所述电致形变图形覆盖的区域设置有保护图形。5.根据权利要求3所述的开关,其特征在于,所述第一导电图形位于所述第二容纳部内;所述第二导电图形位于所述第一容纳部内。6.根据权利要求2所述的开关,其特征在于,所述电致形变图形的材料包括:有机压电材料或无机...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐胜姚琪黎午升吴慧利李士佩贺芳尹东升顾仁权何伟赵雪飞
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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