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一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和电子装置，该薄膜晶体管的制造方法包括：形成有源层；在有源层上形成栅绝缘层和栅极，栅绝缘层包括位于有源层上的第一部分、在第一部分两侧的第三部分、在第一部分和至少一侧的第三部分之间的第二部分，第二部分的厚度...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司授权不得商用。