一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。与传统器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，降低器件的导通电阻。

A Vertical Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor Transistor Based on Gate Controlled Bipolar-Field Effect Composite Element Semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
本专利技术涉及半导体功率器件
，具体涉及一种垂直双扩散晶体管。
技术介绍
功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是在MOS集成电路工艺基础上发展起来的新一代半导体功率开关器件，二十年来取得了长足的进步，由LDMOS结构起步，经历了VVMOS、VUMOS、VDMOS、EXTFET等结构的演化，目前仍以VDMOS结构为主，垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、电压控制、热稳定性好等一系列独特特点，目前已在开关稳态电源、高频加热、计算机接口电路以及功率放大器等方面获得了广泛的应用。传统的VDMOS采用的基区与源区之间短接的电极连接方式。在关断状态下，器件基区和源区短接接地，可抑制由源区、基区和漂移区之间寄生的双极型晶体管开启使得器件发生二次击穿，降低器件的击穿电压。但在开启状态下，由于基区与源区短接，寄生的双极型晶体管依然没有开启，器件只能在正常开启的沟道中导电。
技术实现思路
本专利技术提出了一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上外延生成的漂移区；在所述漂移区表面中间区域形成的栅绝缘层；在所述漂移区上部两侧分别形成的两处基区；每一处基区均形成源区以及相应的沟道；源极，位于源区表面；栅极，位于栅绝缘层表面；漏极，位于衬底底部表面；其特征在于：所述衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料；每一处基区远离沟道的一端还向下深入漂移区形成重掺杂区域；所述的重掺杂区域的表面生成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。

【技术特征摘要】
1.一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体材料的衬底；在所述衬底上外延生成的漂移区；在所述漂移区表面中间区域形成的栅绝缘层；在所述漂移区上部两侧分别形成的两处基区；每一处基区均形成源区以及相应的沟道；源极，位于源区表面；栅极，位于栅绝缘层表面；漏极，位于衬底底部表面；其特征在于：所述衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料；每一处基区远离沟道的一端还向下深入漂移区形成重掺杂区域；所述的重掺杂区域的表面生成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。2.根据权利要求1所述的栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于：基极与栅极之间的连接材料为导体材料，使得栅极接入电压时基极与栅极电位一致。3.根据权利要求2所述的栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宝兴，董自明，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61