【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管
本揭示涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。在高世代液晶面板中，铜材料作为金属线因其具有阻抗低、抗电迁移能力强等优点，使得铜材料代替传统的铝材料称为趋势。然而，使用铜材料作为导线材料的其中一个难点在于，铜本身与玻璃或非金属层的附着性很差，以及铜在非金属层中易发生扩散，一般的应对之策是使用多金属层材料，现有的铜工艺中，使用铜/钼双金属层结构作为导线成为选择项之一，但钼金属相对比较活泼，使用铜/钼双金属层结构在湿蚀刻制程中则易发生电偶腐蚀，并且在光阻剥离制程中易发生进一步恶化，形成铜/钼底切现象(Cuundercut)，在后续显示面板的可靠性验证中，则易发生串扰和渐变线等不良现象，进而影响显示面板的品质。因此，需要提供一种新的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，来解决上述技术问题。
技术实现思路
本揭示提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，解决了使用使用铜/钼双金属层结构作为导线时，易发...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：提供基板，在所述基板表面形成图案化的第一栅极绝缘层及第一光阻层；S20：在未形成图案化的所述第一栅极绝缘层的所述基板上形成图案化的第一金属层；S30：在所述第一金属层上沉积第二金属层，形成图案化的栅极；S40：在所述第一栅极绝缘层及所述栅极上依次形成第二栅极绝缘层、有源层及源漏极金属层；以及S50：在所述源漏极金属层上形成源极及漏极。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：提供基板，在所述基板表面形成图案化的第一栅极绝缘层及第一光阻层；S20：在未形成图案化的所述第一栅极绝缘层的所述基板上形成图案化的第一金属层；S30：在所述第一金属层上沉积第二金属层，形成图案化的栅极；S40：在所述第一栅极绝缘层及所述栅极上依次形成第二栅极绝缘层、有源层及源漏极金属层；以及S50：在所述源漏极金属层上形成源极及漏极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S10包括：S101：在所述基板上依次沉积所述第一栅极绝缘层及所述第一光阻层；S102：曝光、显影所述第一光阻层；以及S103：采用干法蚀刻形成图案化的所述第一栅极绝缘层，并保留所述第一光阻层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S20包括：S201：在所述第一光阻层及所述基板上沉积所述第一金属层；以及S202：剥离所述第一光阻层，形成图案化的所述第一金属层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S30包括：S301：在所述第一栅极绝缘层及所述第一金属层上依次沉积所述第二金属层及第二光阻层；S302：曝光、显影所述第二光阻层；S303...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈梦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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