【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片
本专利技术涉及半导体器件的封装
，尤其涉及一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片。
技术介绍
现有的背面有终端结构图形的功率器件在封装过程中，需要功率器件的终端结构的图形区域和封装的金属框架隔离，不然会造成功率器件的终端结构图形部分和金属框架短路，这样器件就会失效。以前背面有终端结构的图形的功率器件，如双台面可控硅、共阳二极管等等成品，每年封装的量在数十亿只，在封装过程中是采取芯片的终端结构的图形部分和金属框架隔离的方法：在金属框架4上面制造一个小于芯片有源区的凸台3，如图1所示，芯片的有源区域和框架接触，进一步注入塑封料5的过程中，塑封料5填入芯片1和金属框架4之间，通过填入的塑封料5使得芯片1的终端结构图形区域和金属框架4隔离。这种封装方法的塑封料、框架、芯片封装过程对位等等要求很高，成本高，另外是产品封装过程中应力很大，造成产品可靠性差。因此，对于半导体器件在封装过程中需要芯片背面的终端结构图形区域和金属框架绝缘，专利技术一种塑封料、金属框架及封装工艺要求低的工艺技术，同时能够提高封装好成品的...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：根据芯片晶圆的尺寸制作用于覆盖芯片终端结构图形区域的绝缘隔片；步骤二，绝缘隔片对准位置覆合在芯片的终端结构图形区域并高温固化后划片；步骤三，基于步骤二得到的芯片焊接在金属框架上，经塑封料完全覆盖包裹完毕成型后完成封装。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：根据芯片晶圆的尺寸制作用于覆盖芯片终端结构图形区域的绝缘隔片；步骤二，绝缘隔片对准位置覆合在芯片的终端结构图形区域并高温固化后划片；步骤三，基于步骤二得到的芯片焊接在金属框架上，经塑封料完全覆盖包裹完毕成型后完成封装。2.根据权利要求1所述的半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法，其特征在于：所述绝缘隔片为丝网，根据芯片晶圆的尺寸大小制作丝网的网眼，芯片的有源区域放置在大网眼上，芯片终端图形区域相接触的丝径上涂抹绝缘胶。3.根据权利要求1所述的半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法，其特征在于：所述绝缘隔片为绝缘膜，根据芯片晶圆的尺寸大小制作用于覆盖芯片终端结构图形区域的绝缘膜，所述绝缘膜为可粘连的中空结构，四周边缘粘连芯片终端图形区域，中空部位对准芯片有源区域。4.一种绝缘隔片，用于隔离芯片的终端结构图形区域和金属框架，其特征在于：所述绝缘隔片...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁一明，胡耀军，王新，王天立，
申请(专利权)人：无锡明祥电子有限公司，上海一滴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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