等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法技术

本发明专利技术公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明专利技术人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤。本发明专利技术还公开了一种垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明专利技术创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。

Plasma etching method and preparation method of vertical cavity surface emitting laser

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种等离子体刻蚀方法。
技术介绍
VCSEL，全名为垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)，是以GaAs(砷化镓)半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)等其他光源，具有模式好、阈值低、稳定性好、寿命长、调制速率高、集成高、发散角小、耦合效率高、价格便宜等很多优点。因为在垂直于衬底的方向上可并行排列着多个激光器，所以非常适合应用在并行光传输以及并行光互连等领域，它以空前的速度成功地应用于单通道和并行光互联，以它很高的性能价格比，在宽带以太网、高速数据通信网中得到了大量的应用。VCSEL激光器的关键制备工艺主要包括表面钝化、刻蚀、湿法氧化、金属化、背面减薄等。其中，表面钝化技术主要是为了在外延片深台面结构的侧壁及底部均匀包覆上钝化膜(通常包含氧化铝膜)，防止器件漏电以及受环境水汽影响；刻蚀技术主要是为了在外延片表面形成窗口结构，是实现湿法氧化、金属化等其他工艺的桥梁；湿法氧化技术主要是为了在外延片内部形成绝缘氧化层，引导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，其特征在于，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，其特征在于，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。2.如权利要求1所述等离子体刻蚀方法，其特征在于，该方法使用RIE刻蚀设备。3.如权利要求2所述等离子体刻蚀方法，其特征在于，所使用刻蚀工艺参数具体如下：刻蚀功率为30瓦～100瓦，腔体压力为2帕斯卡～10帕斯卡，衬底温度为20℃，刻蚀托盘为碳基材料，刻蚀气体为CF4，气体流量为10sccm～50sccm。4.如权利要求1所述等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述碳基氟化物为三氟甲烷和四氟化碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，许聪基，赖铭智，
申请(专利权)人：苏州长瑞光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32